BPX43. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

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1 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 fmof6019 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluß, geeignet bis 125 C Gruppiert lieferbar Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm High linearity Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 C Available in groups Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BPX43 BPX 43-2 BPX 43-3 BPX 43-4 BPX 43-5 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Q P16-S5 Semiconductor Group

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 50 V I C 50 ma I CS 200 ma V EB 7 V Einheit Unit P tot 220 mw R thja 450 K/W Semiconductor Group

3 Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mw/cm 2, V CB = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CB = 5 V Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current V CE = 25 V, E = 0 Wert Value λ S max 880 nm λ nm Einheit Unit A mm 2 L B 1 1 mm mm L W H mm ϕ ± 15 Grad deg. I PCB 11 I PCB 35 C CE C CB C EB µa µa pf pf pf I CEO 20 ( 300) na Semiconductor Group

4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V I PCE I PCE ma ma Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3 E e = 0.5 mw/cm 2 Stromverstärkung Current gain E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V t r, t f µs V CEsat mv I PCE I PCB 1) 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group

5 Relative spectral sensitivity S rel = f (λ) Photocurrent I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total power dissipation P tot = f (T A ) Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Dark current I CEO = f (V CE ), E = 0 Photocurrent I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V Dark current I CEO /I CEO25 o = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 Collector-emitter capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group

6 Collector-base capacitance C CB = f (V CB ), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-base capacitance C EB = f (V EB ), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics S rel = f (ϕ) Semiconductor Group