GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

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Bastian Bretz
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1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) 2.54 mm spacing Area not flat Cathode (SFH 9) Anode () Approx. weight.3 g ø3. ø2.9 (3.5) Chip position Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified GEX625 fex625 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 39, SFH 9 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Lichtschranken bis 5 khz Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 39, SFH 9 Applications IR remote control for hifi and V sets, video tape recorder, dimmers Light-reflection switches (max. 5 khz) yp ype Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Q6273-Q95 3-mm-LED-Gehäuse (), klares violettes Epoxy- -2 Q6273-Q274 Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( / ), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( / ), anode marking: short lead Semiconductor Group 997--

2 Grenzwerte ( A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm hermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm op ; stg C j C V R 5 V I F I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength aeak emission Spektrale Bandbreite bei 5 % von I max, Spectral bandwidth at 5 % of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ± 2 Grad deg. A.6 mm 2 L B mm L W H 2.6 mm Semiconductor Group

3 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Schaltzeiten, I e von % auf 9 % und von 9 % auf %, bei, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9 % and from 9 % to %,, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaβspannung Forward voltage, = 2 ms I F = A, = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ otal radiant flux, = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, emperature coefficient of I e or Φ e, emperaturkoeffizient von V F, emperature coefficient of V F, emperaturkoeffizient von λ peak, emperature coefficient of λ peak, t r, t f /.5 µs C o 25 pf V F.5 (<.8) V 3. (< 3.8) I R. ( ) µa Φ e 25 mw C I.5 %/K C V 2 mv/k C λ.25 nm/k Semiconductor Group

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Grouping of radiant intensity I e in axial direction at a solid angle of Ω =. sr -2 Strahlstärke Radiant intensity, = 2 ms I e > 2.5 > 2 mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = A, = µs I e typ mw/sr Radiation characteristics I rel = f (ϕ) ϕ. OHR Semiconductor Group

5 Relative spectral emission I rel = f (λ) OHR877 I Radiant intensity e I e = f (I F ) Single pulse, = 2 µs 2 OHR878 Max. permissible forward current I F = f ( A ) 25 OHR88 Ι rel % 8 Ι e Ι e () Ι F nm λ C Forward current, I F = f (V F ) Single pulse, = 2 µs OHR88 Permissible pulse handling capability I F = f (τ), A = 25 o C, duty cycle D = parameter 4 OHR886 Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board I F = f (I), A = 25 o C 2 OHR949 A 3..2 D = V 8 V F 2 DC D = s mm 3 Semiconductor Group

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