Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power SPL PL90_0

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power SPL PL90_0"

Transkript

1 Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity (LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld Laterale Austrittsöffnung 6 µm Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm behandelt werden. Features Low cost plastic package Reliable strained InGaAs/GaAs material High power large-optical-cavity (LOC) structure for a narrow far-field Lateral laser aperture 6 µm Applications Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Test and measurement systems Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC Safety of laser products. Typ Opt. Spitzenausgangsleistung Wellenlänge Bestellnummer Type Opt. Peak Power Wavelength Ordering Code 4 W 95 nm Q6272OP

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Spitzenausgangsleistung Peak output power Durchlaßstrom Forward current Pulsbreite (Halbwertsbreite) Pulse width (FWHM) Tastverhältnis Duty cycle Sperrspannung Reverse voltage Betriebstemperatur Operating temperature Lagertemperatur Storage temperature Löttemperatur (t max = 1 s, 2 mm von Gehäuseunterseite) Soldering temperature (t max = 1 s, 2 mm from bottom edge of case) Werte Values Einheit Unit min. max. P peak 5 W I F 6 A t p 1 ns d.c..1 % V R 3 V T op C T stg C T s + 26 C

3 Optische Kennwerte (T A = 25 C) Optical Characteristics Werte Values min. typ. max. Zentrale Emissionswellenlänge 1) λ peak nm Emission wavelength 1) Spektrale Breite (Halbwertsbreite) 1) λ 3 nm Spectral width (FWHM) 1) Spitzenausgangsleistung 1) P op W Peak output power 1) Schwellstrom I th A Threshold current Betriebsspannung 1) V op V Operating voltage 1) Minimale Anstiegs- und Abfallzeit (1% 9%) Minimum rise and fall time (1% 9%) t r, t r ns Austrittsöffnung Aperture size Einheit Unit w h 6 2 µm 2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) θ θ Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlänge 2) λ / T.28 nm/k Temperature coefficient of wavelength 2) Temperaturkoeffizient der opt. Ausgangsleistung Temperature coefficient of optical power P op /P op T -.4 %/K Thermischer Widerstand Thermal resistance R th JA 16 K/W 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf eine Pulsbreite von 1 ns bei einer Frequenz von 1 khz und einem Betriebsstrom von 5 A bei T A = 25 C. Standard operating conditions refer to pulses of 1 ns width at 1 khz rate with 5 A operating current at T A = 25 C

4 Optical output power P opt and forward voltage V F vs. forward current I F (T A = 25 C) V F OHL V W A 8 Far-field distribution parallel to junction I rel vs. θ (T A = 25 C, P opt = 4 W) I rel I F OHL749 P opt Optical spectrum, relative intensity I rel vs. Wavelength λ (T A = 25 C, P opt = 4 W) Far-field distribution perpendicular to junction I rel vs. θ (T A = 25 C, P opt = 4 W) Deg 3 θ I rel I rel OHF nm 92 λ OHL Deg 4 θ

5 Maßzeichnung Package Outlines 2.54 (.1) mm spacing Cathode.6 (.24).4 (.16).8 (.31).4 (.16) 1.8 (.71) 1.2 (.47) 29. (1.142) 27. (1.63) Chip position Area not flat Detail X 3.5 (.138) 3.7 (.146) Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). X 5. (.197) 4.2 (.165) Bottom view 5.9 (.232) 5.5 (.217).6 (.24).4 (.16).1 (.4)....7 (.28) 5.1 (.21) 4.8 (.189) (.67) 1.9 (.75) 5 Y Detail Y Chip position A ø.3 A GEOY

6 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0 Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse

Mehr

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power SPL PL85

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power SPL PL85 Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes

Mehr

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_ Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse

Mehr

SPL PL90_3. Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme

SPL PL90_3. Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_3 Besondere Merkmale Kostengünstiges

Mehr

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power SPL LL85 Besondere Merkmale Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse

Mehr

SPL PL

SPL PL Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse, 10 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package, 10 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL85 Besondere Merkmale

Mehr

Nanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3

Nanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3 Nanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3 Besondere Merkmale Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material Hochleistungslaser

Mehr

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage. SPL LLxx

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage. SPL LLxx Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage SPL LLxx Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse

Mehr

Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3

Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3 2014-10-30 Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Reliable strained InGaAs/GaAs material Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material

Mehr

SPL PL90_

SPL PL90_ Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse, 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package, 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_3 Besondere Merkmale

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

Bestellnummer Ordering Code SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558

Bestellnummer Ordering Code SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558 Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL8 Besondere

Mehr

Nanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Nanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Nanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL AH90_3 Besondere Merkmale 12 getrennt ansteuerbare

Mehr

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich-

Mehr

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Mehr

SPL LL90_3. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 20 V) Laser aperture 200 µm x 10 µm

SPL LL90_3. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 20 V) Laser aperture 200 µm x 10 µm Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 7 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 7 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SPL LL9_3 Besondere

Mehr

SPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.

SPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1. 29-3-4 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Optical peak power up to 25 W Optische Spitzenleistung

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63

Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm Sperrstromarm

Mehr

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm SPL MY81S9

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm SPL MY81S9 Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Kollimierte Strahlung durch

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Mehr

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte Metallbauform

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform

Mehr

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 808 nm SPL MY81G2

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 808 nm SPL MY81G2 Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 88 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 88 nm SPL MY81G2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Kollimierte Strahlung

Mehr

Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1.

Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1. 29-3-4 Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Optical peak power up

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

SIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 808nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 808nm SPL LG81-P. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet

SIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 808nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 808nm SPL LG81-P. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet SIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 88nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 88nm SPL LG81-P Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrichund

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

SPL LL85. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Laser aperture 200 µm x 2 µm

SPL LL85. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Laser aperture 200 µm x 2 µm Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL8 Besondere

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW

Mehr

Cyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET

Cyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET Cyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 60 mw (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY

Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und

Mehr

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 90/120mW (T Case = 25 C) Typ.

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELTRON Elektronik GmbH // Tel: 9852 6727- // Fax: 9852 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 FA SFH 23

Mehr

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 50mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441 Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH

Mehr

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 120mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge

Mehr

GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A

GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse,

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins Hohe Empfindlichkeit

Mehr

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL T4 NSB

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL T4 NSB Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL T4 NSB Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus

Mehr

Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S

Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus Zuverlässige

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (940nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (940nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (94nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450

Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450 Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450 Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte

Mehr

Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S

Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S Besondere Merkmale Unmontierter Laserbarren Design mit

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Laserdiode im TO-220 Gehäuse 2.0 W cw Laser Diode in TO-220 Package 2.0 W cw SPL 2Y94-2S. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet

Laserdiode im TO-220 Gehäuse 2.0 W cw Laser Diode in TO-220 Package 2.0 W cw SPL 2Y94-2S. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Laserdiode im TO-220 Gehäuse 2.0 W cw Laser Diode in TO-220 Package 2.0 W cw SPL 2Y94-2S Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich-

Mehr

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage Peak Power SPL LL90 Besondere Merkmale Kleines kostengütiges Plastik-Gehäuse

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 2701

Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 2701 Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen von 4nm bis 5nm Sehr kurze Schaltzeit im spezifizierten

Mehr

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Gabellichtschranke Slotted Interrupter Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes

Mehr

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300

Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

SPL LL85 2009-03-04 1

SPL LL85 2009-03-04 1 29-3-4 Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Low cost,

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883

IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

Mehr

Sales: Technical: Fax:

Sales: Technical: Fax: DATA SHEET Order code Manufacturer code Description 58-0138 n/a n/a The enclosed information is believed to be correct, Information may change without notice due to product improvement. Users should ensure

Mehr

Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET

Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 50 &30 mw (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 30mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:

Mehr

EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at ore.hu.

EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at   ore.hu. EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at www.hest ore.hu. GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD

Mehr

PLT Bio- und Medizintechnik Messtechnik

PLT Bio- und Medizintechnik Messtechnik 2007-05-23 Cyan Diode in TO56 Package Datasheet Draft Version 0.1 PLT5 488 Draft- PLT5 488 This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. Features

Mehr

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5130

Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5130 Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 513 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes

Mehr

This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases.

This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. 2007-05-23 Cyan Diode in TO56 Package Datasheet Draft Version 0.1 PLT5 488 Draft- PLT5 488 This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. Features

Mehr