Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power SPL PL90_0
|
|
- Henriette Fried
- vor 5 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity (LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld Laterale Austrittsöffnung 6 µm Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm behandelt werden. Features Low cost plastic package Reliable strained InGaAs/GaAs material High power large-optical-cavity (LOC) structure for a narrow far-field Lateral laser aperture 6 µm Applications Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Test and measurement systems Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC Safety of laser products. Typ Opt. Spitzenausgangsleistung Wellenlänge Bestellnummer Type Opt. Peak Power Wavelength Ordering Code 4 W 95 nm Q6272OP
2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Spitzenausgangsleistung Peak output power Durchlaßstrom Forward current Pulsbreite (Halbwertsbreite) Pulse width (FWHM) Tastverhältnis Duty cycle Sperrspannung Reverse voltage Betriebstemperatur Operating temperature Lagertemperatur Storage temperature Löttemperatur (t max = 1 s, 2 mm von Gehäuseunterseite) Soldering temperature (t max = 1 s, 2 mm from bottom edge of case) Werte Values Einheit Unit min. max. P peak 5 W I F 6 A t p 1 ns d.c..1 % V R 3 V T op C T stg C T s + 26 C
3 Optische Kennwerte (T A = 25 C) Optical Characteristics Werte Values min. typ. max. Zentrale Emissionswellenlänge 1) λ peak nm Emission wavelength 1) Spektrale Breite (Halbwertsbreite) 1) λ 3 nm Spectral width (FWHM) 1) Spitzenausgangsleistung 1) P op W Peak output power 1) Schwellstrom I th A Threshold current Betriebsspannung 1) V op V Operating voltage 1) Minimale Anstiegs- und Abfallzeit (1% 9%) Minimum rise and fall time (1% 9%) t r, t r ns Austrittsöffnung Aperture size Einheit Unit w h 6 2 µm 2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) θ θ Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlänge 2) λ / T.28 nm/k Temperature coefficient of wavelength 2) Temperaturkoeffizient der opt. Ausgangsleistung Temperature coefficient of optical power P op /P op T -.4 %/K Thermischer Widerstand Thermal resistance R th JA 16 K/W 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf eine Pulsbreite von 1 ns bei einer Frequenz von 1 khz und einem Betriebsstrom von 5 A bei T A = 25 C. Standard operating conditions refer to pulses of 1 ns width at 1 khz rate with 5 A operating current at T A = 25 C
4 Optical output power P opt and forward voltage V F vs. forward current I F (T A = 25 C) V F OHL V W A 8 Far-field distribution parallel to junction I rel vs. θ (T A = 25 C, P opt = 4 W) I rel I F OHL749 P opt Optical spectrum, relative intensity I rel vs. Wavelength λ (T A = 25 C, P opt = 4 W) Far-field distribution perpendicular to junction I rel vs. θ (T A = 25 C, P opt = 4 W) Deg 3 θ I rel I rel OHF nm 92 λ OHL Deg 4 θ
5 Maßzeichnung Package Outlines 2.54 (.1) mm spacing Cathode.6 (.24).4 (.16).8 (.31).4 (.16) 1.8 (.71) 1.2 (.47) 29. (1.142) 27. (1.63) Chip position Area not flat Detail X 3.5 (.138) 3.7 (.146) Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). X 5. (.197) 4.2 (.165) Bottom view 5.9 (.232) 5.5 (.217).6 (.24).4 (.16).1 (.4)....7 (.28) 5.1 (.21) 4.8 (.189) (.67) 1.9 (.75) 5 Y Detail Y Chip position A ø.3 A GEOY
6 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse
MehrImpuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power SPL PL85
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes
MehrImpuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_ Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse
MehrSPL PL90_3. Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme
Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_3 Besondere Merkmale Kostengünstiges
MehrHybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power SPL LL85 Besondere Merkmale Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
MehrSPL PL
Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse, 10 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package, 10 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL85 Besondere Merkmale
MehrNanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3
Nanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3 Besondere Merkmale Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material Hochleistungslaser
MehrHybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage. SPL LLxx
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage SPL LLxx Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
MehrNanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3
2014-10-30 Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Reliable strained InGaAs/GaAs material Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material
MehrSPL PL90_
Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse, 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package, 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_3 Besondere Merkmale
Mehr650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data
65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale
MehrBestellnummer Ordering Code SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL8 Besondere
MehrNanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Nanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL AH90_3 Besondere Merkmale 12 getrennt ansteuerbare
MehrBlaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET
Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich-
MehrSilizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
MehrSPL LL90_3. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 20 V) Laser aperture 200 µm x 10 µm
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 7 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 7 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SPL LL9_3 Besondere
MehrSPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.
29-3-4 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Optical peak power up to 25 W Optische Spitzenleistung
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
MehrSilizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm Sperrstromarm
MehrPassiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm SPL MY81S9
Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Kollimierte Strahlung durch
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
MehrSilizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte Metallbauform
MehrSilizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F
Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform
MehrPassiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 808 nm SPL MY81G2
Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 88 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 88 nm SPL MY81G2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Kollimierte Strahlung
MehrNanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1.
29-3-4 Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Optical peak power up
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrSchmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
MehrSIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 808nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 808nm SPL LG81-P. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet
SIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 88nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 88nm SPL LG81-P Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrichund
MehrSilicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21
Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrSPL LL85. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 9 V) Laser aperture 200 µm x 2 µm
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL LL8 Besondere
MehrSFH 203 P, SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrBPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW
MehrCyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET
Cyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 60 mw (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:
MehrBlaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY
Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrBlaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY
Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und
MehrGrüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY
Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 90/120mW (T Case = 25 C) Typ.
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELTRON Elektronik GmbH // Tel: 9852 6727- // Fax: 9852 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 FA SFH 23
MehrGrüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY
Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 50mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
MehrSchmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441
Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH
MehrGrüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package
Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 120mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge
MehrGaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse,
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrPhotodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130
Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins Hohe Empfindlichkeit
MehrBlaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL T4 NSB
Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL T4 NSB Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus
MehrLaser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S
Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus Zuverlässige
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (940nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (94nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrBlaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450
Blaue Laser Diode in TO38 ICut Bauform Blue Laser Diode in TO38 ICut Package PL 450 Besondere Merkmale Typ. Emissionswellenlänge 450nm Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus
MehrSilizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221
Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte
MehrUnmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S
Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S Besondere Merkmale Unmontierter Laserbarren Design mit
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrLaserdiode im TO-220 Gehäuse 2.0 W cw Laser Diode in TO-220 Package 2.0 W cw SPL 2Y94-2S. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet
Laserdiode im TO-220 Gehäuse 2.0 W cw Laser Diode in TO-220 Package 2.0 W cw SPL 2Y94-2S Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich-
MehrHybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power
Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage Peak Power SPL LL90 Besondere Merkmale Kleines kostengütiges Plastik-Gehäuse
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrSchnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 2701
Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN-Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen von 4nm bis 5nm Sehr kurze Schaltzeit im spezifizierten
MehrGabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300
Gabellichtschranke Slotted Interrupter Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes
MehrGabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
MehrSPL LL85 2009-03-04 1
29-3-4 Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: Low cost,
MehrIR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883
IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
MehrSales: Technical: Fax:
DATA SHEET Order code Manufacturer code Description 58-0138 n/a n/a The enclosed information is believed to be correct, Information may change without notice due to product improvement. Users should ensure
MehrGrüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET
Grüne Laser Diode im TO56 Gehäuse Green Laser Diode in TO56 Package PLT5 520 TARGET DATASHEET Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 50 &30 mw (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:
MehrGrüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY
Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 515 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 30mW (T Case = 25 C) Typ. Emissionswellenlänge:
MehrEN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at ore.hu.
EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at www.hest ore.hu. GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD
MehrPLT Bio- und Medizintechnik Messtechnik
2007-05-23 Cyan Diode in TO56 Package Datasheet Draft Version 0.1 PLT5 488 Draft- PLT5 488 This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. Features
MehrPhotodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5130
Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 513 Wesentliche Merkmale Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang Transparentes
MehrThis design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases.
2007-05-23 Cyan Diode in TO56 Package Datasheet Draft Version 0.1 PLT5 488 Draft- PLT5 488 This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases. Features
Mehr