SFH 309 P SFH 309 PFA. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 P SFH 309 PFA

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1 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor FA feo06445 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified feof6445 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm () und bei 880 nm (FA) Hohe Linearität 3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse Gruppiert lieferbar Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 380 nm to 1180 nm () and of 880 nm (FA) High linearity 3 mm plane LED plastic package Available in groups Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ (*vorher) Type (*formerly) FA (*F) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P245 Q62702-P246 Semiconductor Group

2 FA Grenzwerte Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 35 V I C 15 ma I CS 75 ma P tot 165 mw R thja 450 K/W Semiconductor Group 2

3 FA Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche ( 240 µm) Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom V CE = 25 V, E = 0 FA λ S max nm λ nm A mm 2 L B mm mm L W H mm ϕ ± 75 ± 75 Grad deg. C CE pf I CEO 1 ( 200) 1 ( 200) na Semiconductor Group 3

4 FA Fotostrom, λ = 950 nm E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V : E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = 20 µa, E e = 0.5 mw/cm 2 I PCE I PCE µa µa t r, t f 6 µs V CEsat 150 mv Directional characteristics S rel = f (ϕ) Semiconductor Group 4

5 FA Relative spectral sensitivity, S rel = f (λ) Relative spectral sensitivity, FA S rel = f (λ) I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total power dissipation P tot = f (T A ) I PCE = f (V CE ), E e = Parameter I CEO = f (V CE ), E = 0 I CEO = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 Capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0 I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V Semiconductor Group 5

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