DEUTSCH. Die Baugruppe sollte zur Kühlung auf das Chassis des fertigen Transverters geschraubt werden.

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1 12 GHZ LO Michael Kuhne, DB6NT DEUTSCH Einführung Die 12 GHz Oszillatorfrequenzaufbereitung (LO) MK4 ist die Weiterentwicklung der in DUBUS HEFT 4/1990 veröffentlichten Schaltung. Die mit dem Voltmeter grob abgleichbare Baugruppe dient als LO für 24/47 GHz Transverter, sowie für alle anderen mm- Wellenbänder ab 145 GHz aufwärts. Die Schaltung lässt sich je nach verwendetem Quarz zwischen 11,7 und 12,9 GHz abgleichen und erreicht eine Ausgangsleistung von mw. Diese ist abhängig vom I DSS des FET s T12 (MGF1302/1902/1907). Schaltungsbeschreibung Als Oszillator wurde der bewährte Butleroszillator nach DF9LN übernommen. Diese Schaltung hat sich in diversen OCXO s für die Millimeterwellenbänder bestens bewährt. Die Schaltung selbst wird mit dem 18 pf (15pf) Kondensator (mit * gekennzeichnet) im Frequenzgang kompensiert. Der TK- Wert liegt im Bereich von N150 bis N750 und sollte individuell an jeden Quarz angepasst werden (Richtwert N470). Eventuell können auch verschiedene Kondensatoren zusammengeschaltet werden, da nicht jeder TK-Wert erhältlich ist. Wird für die mm-wellenbänder eine sehr hohe Frequenzstabilität erforderlich, ist der Aufbau einer OCXO Oszillatorschaltung in einem getrennten Gehäuse zu empfehlen. Die Einspeisung des Oszillatorsignals erfolgt über den EXT.OSZ IN Anschluss. Der Frequenzfeinabgleich erfolgt über einen HI-Q TRONSER Trimmer, der in die Gehäusewand eingeschraubt wird. Dadurch ist eine saubere Frequenzeinstellung bei geschlossenem Gehäuse möglich. Nach dem Oszillator folgt eine 2-stufige FET-Pufferstufe mit den FET s T3 + T4 (J310 im SMD Gehäuse = SST310) sowie der Frequenzverdreifacher T5 auf 375 MHz. Über das Helixfilter F1 gelangt das Signal auf den Doppler T6. Ein weiteres Bandfilter F2 selektiert das Signal auf 751 MHz, bevor es einen weiteren Frequenzverdoppler T7 ansteuert. Nach dem Filter F3, das auf 1503 MHz abgestimmt wird und dem Doppler T8 folgt ein Mikrostripbandfilter auf 3 GHz. Die GaAs FET s T9 und T10 vervielfachen das LO Signal auf die Endfrequenz von 12 GHz. Mit den Transistoren T11 und T12 wird die Leistung auf 40 mw verstärkt. Aufbau Der Aufbau erfolgt auf einer Keramikgefüllten Epoxi Leiterplatte RO4003, die in ein Weißbleichgehäuse eingelötet wird. Die Schaltung ist vollständig in SMD-Technik ausgeführt. Zum Betrieb ist lediglich eine Betriebspannung von V bei einer Stromaufnahme von ca. 250 ma erforderlich. Die Baugruppe sollte zur Kühlung auf das Chassis des fertigen Transverters geschraubt werden. Empfohlene Aufbaufolge 1. Anzeichnen und bohren des Weißblechrahmens. 2. Einlöten des Durchführungskondensators, sowie der SMA-Buchse. 3. Einlöten der Leiterplatte in den Weißblechrahmen. Verlöten auf der Ober- und Unterseite! 4. Bestückung der Leiterbahnseite mit allen SMD-Bauteilen. 5. Abbrechen der mittleren Masseanschlussbeinchen direkt am Gehäuse der Festspannungsregler 7806 und Verlöten des Kühlflansches mit dem Gehäuserahmen sowie der Ein- und Ausgangsbeinchen mit den Leiterbahnen. 6. Einlöten der zwei 10 µf Rollelkos, sowie der Schutzdiode. 7. Einbau des TRONSER Abstimmtrimmers sowie des Quarzes mit Heizkappe und der Flanchkondesnsatoren. 8. Einlöten der Helixfilter.

2 Abgleich Nach dem Anlegen der Betriebsspannung V sollte die Spannung am Messpunkt M1 mit dem 6 pf Trimmkondensator im Drainkreis des T4 minimiert werden, oder maximaler Spannungsabfall am Ermitterwiderstand von T5 220 R (Sollte der Oszillator nicht schwingen, lässt sich auch keine Spannungsveränderung messen). Danach erfolgt der Abgleich des Helixfilters F1 durch Einstellen der minimalen Spannung am Messpunkt M2. Gleichermaßen wird mit dem Filter F2 und dem Messpunkt M3, sowie Filter F3 und Messpunkt M4 verfahren. Die Potentiometer der GaAs FET s sollen zunächst in Mittelstellung gebracht werden. Danach ist bereits ein 12 GHZ Ausgangssignal messbar. Durch Optimierung der FET-Arbeitspunkte lässt sich die Ausgangsleistung optimieren. Ein Abgleich durch Abstimmfähnchen an den Streifenleitungen ist im allgemeinen nicht erforderlich. (Nur bei Betrieb auf 11,7 oder >12,3 GHz. Die Gate-Spannung des letzten MGF1907 sollte 0,3 V nicht überschritten werden, da sonst dessen Gatestrom zu groß wird. Dieses kann zu Ausfällen des Transistors führen. Die Spannung kann durch Verringerung der Ansteuerleistung (Vergrößerung der Drain-Widerstände der vorherigen Stufen) verkleinert werden. Nach dem Einstellen der genauen Oszillatorfrequenz ist die Baugruppe betriebsbereit. Für die Erstellung erster Musternachbauten zum Testen der Nachbausicherheit, sowie für viele Anregungen und Tipps bedanke ich mich bei DF9LN, DL6NCI und DC0DA ENGLISH Introduction This microwave LO is a new version of the LO described in DUBUS 4/1990. One can utilise this module as a LO for 24 and 47 GHz transverters as well as a general LO-module for the millimetre bands above 145 GHz. This module can be furnished with different crystals allowing for output frequencies between 11.7 and 12.9 GHz. It achieves an output power in excess of 35 mw. Description The crystal oscillator is configured as the well proven butler circuit. The circuit is temperature compensated with a N470 cap (18/15 pf). In case of demand for a very high stability an oven oscillator has to be configured. A circuit by DF9LN has turned out to be very useful albeit quite simple. It can be fed in by the external input jacket. The oscillator shown be tuned via a Hi-Q TRONSER trimmer. The butler circuit is followed by a two stage FET-buffer, a tripler to 375 MHz, a helix filter, a doubler to 751 MHz, a helix filter, a second doubler to 1503 MHz and a further helix filter on 1503 MHz. A doubler to 3 GHz is followed by stripline filter. FETs T8 and T10 multiply the 3 GHz signal to 12 GHz. T11 and T12 amplify the quadrupled signal to 40 mw. Construction Ceramic-filled epoxi PCB RO4003 in SMD-technique carries the circuit. It has to shielded by a tinplate box. Total current is about 250 ma. Cooling is required. 1. Prepare tinplate box 2. Mount FT and SMA-connector 3. Solder in PCB 4. Mount all SMD-parts to PCB 5. Mount 7806 and 7809 to PCB and solder cooling fan to box 6. Mount TAZ and elcos 7. Mount TRONSER, the crystal and the heater 8. Mount helix-filters 9. Mount semiconductors

3 Alignment Apply +12 V. Minimize voltage at test point M1 by means of varying the 6 pf trimmer. Adjust helix F1 by minimizing the voltage at test point M2. In a similar way filters F2 and F3 are adjusted by observing voltages at M3 and M4. The bias pots of the GaAs-FETs can be put into center position. Some output power on 12 GHz should be observable. (Only at working on 11,8 or >12,3 GHz. The gate-voltage of the last MGF1907 couldn t cross 0,3 V because the gate-current will be to big. This may cause failures of the transistor. Voltage can be reduced by a decreased driving power (Enlargement of the drain-series-resistor of the previous stages). Afterwards an individual optimisation of the FET bias can be performed. As a final step the crystal frequency can be adjusted by means of a frequency counter. Bezugsquellen/Parts: OCXO Bausätze nach DF9LN sind bei OCXO Kits by DF9LN available at Eisch-Kafka-Electronic GmbH Abt-Ulrich-Str Ulm Tel 07305/23208 Fax 07305/23306 Internet OCXO Fertigmodule OCXO ready made units: ID Elektronik Gabriele Göbel DC6ID Wingertgasse Karlsruhe Internet Leiterplatten für diese 12 GHz LO PCB s for this 12 GHz LO: Kuhne electronic GmbH Scheibenacker 3 D Berg / Oberfranken Germany Phone 0049 / / Fax 0049 / / Internet Bausätze mit der Vorgänger Leiterplatte aus Teflon erhältlch bei / Kits with the predecessor PCB avialable at: Eisch-Kafka-Electronic GmbH Abt-Ulrich-Str Ulm Tel 07305/23208 Fax 07305/23306 Internet

4 Stück / Count Art/Sort Wert / Value Hersteller / Manufacturer Bauform / Size 19 SMD-C 1 nf NP0 Sie SMD-C 1 pf NP0 Sie SMD-C 4,7 pf NP0 Sie SMD-C 8,2 pf NP0 Sie SMD-C 3,3 pf NP0 Sie SMD-C 12 pf NP0 Sie SMD-C 15 pf NP0 Sie SMD-C 22 pf NP0 Sie SMD-C 33 pf NP0 Sie C 22 pf NP0 Sie C 27 pf NP0 Sie C 18 (15) pf N470 Sie Elco 10 uf / 16 V Sie Becher 1 SMD-Tantal 10 uf / 16 V Sie C 1 SMD-Tantal 1 uf / 16 V Sie A 1 F.T.-C 1 nf 1 Var. -C 2, pf Stettner Var. -C 0,3... 3,5 pf Tronser SMD-R 10Ω Sie SMD-R 15Ω Sie SMD-R 22Ω Sie SMD-R 33Ω Sie SMD-R 100Ω Sie SMD-R 220Ω Sie SMD-R 330Ω Sie SMD-R 1000Ω Sie SMD-R 1500Ω Sie SMD-R 2200Ω Sie SMD-R 2700Ω Sie SMD-R 4700Ω Sie SMD-R 22Ω Sie SMD-Poti 10Ω Beckmann 23B 1 SMD-L 68nH Sie SIMID01 1 SMD-L 680nH Sie SIMID01 3 SMD-L 100nH Sie SIMID01 2 SMD-NPN BFR 92 Sie SOT-23 2 SMD-FET SST310 Siliconix SOT-23 3 SMS-NPN BFP196 oder 1907 Misubishi SOT-23 1 SMD-NPN BFR93 Sie SOT-23 4 GaAs-FET MGF-1302 Sie GD-4 1 Regulator 78L05 NS SO08 1 Regulator 7806 NS TO Regulator 7809 NS TO Inventer ICL7660 NS SO08 1 TAZ 1,5SE16A NS 1 Filter, Helix 5HW-35045A-365 TOKO

5 1 Filter, Helix 5HW-73050A-735 TOKO 1 Filter, Helix 5HW-35045A-365 Neosid 1 Filter, Helix 1520MHz/ Eisch electronic 1 Quarz 125,25 MHz, TQ NEOSID 1 PCB Ultralam 2000/0,5mm, er=2,5 Kuhne electronic 1 Box Tinplate 55x111x30mm Eisch electronic 1 SMA SMA-Conn. 4-hole Suhner, Radiall SMA Farbkennzeichnung für Temperaturbeiwert der Kondensatoren/Colourcode for temperature coefficient of capacitors P100 = rot/violett +100 / C NPO = schwarz ±0 / C N033 = braun -33 / C N075 = rot -75 / C N150 = orange -150 / C N220 = gelb -220 / C N330 = grün -330 / C N470 = blau -470 / C N750 = violett -750 / C

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