FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties"

Transkript

1 s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current V RRM 16 V I RMSmax 6 A T C = 8 C I d A Stoßstrom Grenzwert t P = 1 ms, T vj = 2 C I FSM 3 A surge forward current t P = 1 ms, T vj = C 26 A Grenzlastintegral t P = 1 ms, T vj = 2 C I 2 t A 2 s I 2 t - value t P = 1 ms, T vj = C 34 A 2 s Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 8 C I C,nom. A DC-collector current T C = 2 C I C 2 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM 3 A T C = 2 C P tot 1 W V GES +/- 2V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2 t - value Tc = 8 C I F A t P = 1 ms I FRM 3 A V R = V, t p = 1ms, T vj = 12 C I 2 t 6 A 2 s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. 1 A DC-collector current T C = 2 C I C 18 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM 2 A T C = 2 C P tot 8 W V GES +/- 2V V Tc = 8 C I F 1 A t P = 1 ms I FRM 2 A prepared by: Andreas Schulz date of publication: approved by: Robert Severin revision: 1 1(11)

2 s Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values V ISOL 2, kv Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier min. typ. max. Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip T vj = C, I F = A V F -,9 - V T vj = C V (TO) - -,8 V T vj = C r T - - 1, mω T vj = C, V R = 16 V I R ma T C = 2 C R AA'+CC' - - mω Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung V GE = V, T vj = 2 C, I C = A V CE sat - 1,7 2,2 V collector-emitter saturation voltage V GE = V, T vj = 12 C, I C = A V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V GE, T vj = 2 C, I C =, ma V GE(TO),,8 6, V f = 1MHz, T vj = 2 C V CE = 2 V, V GE = V C ies - 1,1 - nf V GE = V, T vj = 2 C, V CE = 12 V I CES - - ma V CE = V, V GE =2V, T vj =2 C I GES na Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = I Nenn, V CC = 6 V turn on delay time (inductive load) V GE = ±V, T vj = 2 C, R G = 7 Ohm t d,on ns V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm ns Anstiegszeit (induktive Last) I C = I Nenn, V CC = 6 V rise time (inductive load) V GE = ±V, T vj = 2 C, R G = 7 Ohm t r ns V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm ns Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = I Nenn, V CC = 6 V turn off delay time (inductive load) V GE = ±V, T vj = 2 C, R G = 7 Ohm t d,off ns V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm ns Fallzeit (induktive Last) I C = I Nenn, V CC = 6 V fall time (inductive load) V GE = ±V, T vj = 2 C, R G = 7 Ohm t f ns V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm ns Einschaltverlustenergie pro Puls I C = I Nenn, V CC = 6 V turn-on energy loss per pulse V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm E on - 2,1 - mws Abschaltverlustenergie pro Puls I C = I Nenn, V CC = 6 V turn-off energy loss per pulse V GE = ±V, T vj = 12 C, R G = 7 Ohm E off - 1, - mws Kurzschlußverhalten t P 1µs, V GE V, R G = 7 Ohm SC Data T vj 12 C, V CC = 72 V I SC A L S = L S = 4 nh 4 nh 2(11)

3 s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip min. typ. max. L σce nh T C = 2 C R CC'+EE' mω Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max. Durchlaßspannung V GE = V, T vj = 2 C, I F = A V F - 1,6 2,2 V forward voltage V GE = V, T vj = 12 C, I F = A - 1,6 - V Rückstromspitze I F =I Nenn, - di F /dt = 4 A/µs peak reverse recovery current V GE = -1V, T vj = 2 C, V R = 6 V I RM A V GE = -1V, T vj = 12 C, V R = 6 V - - A Sperrverzögerungsladung I F =I Nenn, - di F /dt = 4 A/µs recovered charge V GE = -1V, T vj = 2 C, V R = 6 V Q r - 1,8 - µas V GE = -1V, T vj = 12 C, V R = 6 V µas Abschaltenergie pro Puls I F =I Nenn, - di F /dt = 4 A/µs reverse recovery energy V GE = -1V, T vj = 2 C, V R = 6 V E RQ -, - mws V GE = -1V, T vj = 12 C, V R = 6 V - 1,1 - mws Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung V GE = V, T vj = 2 C, I C = 1 A V CE sat - 1,8 2, V collector-emitter saturation voltage V GE = V, T vj = 12 C, I C = 1 A - 2,2 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions V CE = V GE, T vj = 2 C, I C =,3 ma V GE(TO),,8 6, V f = 1MHz, T vj = 2 C V CE = 2 V, V GE = V C ies -,6 - nf V GE = V, T vj = 2 C, V CE = 12 V I CES -, - ma V CE = V, V GE = 2V, T vj = 2 C I GES na Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max. Durchlaßspannung T vj = 2 C, I F = 1 A V F - 1,8 2, V forward voltage T vj = 12 C, I F = 1 A - 1,8 - V Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions siehe Wechselrichter in Dbl FP1R12KE3 see inverter in datasheet FP1R12KE3 siehe Wechselrichter in Dbl FB1R12KE3 see inverter in datasheet FB1R12KE3 NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T C = 2 C R kω Abweichung von R 1 deviation of R 1 T C = 1 C, R 1 = 493 Ω R/R - % Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T C = 2 C P 2 2 mw R 2 = R 1 exp [B(1/T 2-1/T 1 )] B 2/ 337 K 3(11)

4 s Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode R thjc K/W thermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 1,2 K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 1, K/W Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 1, K/W Diode Bremse/ Diode Brake - - 2,3 K/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode λ Paste=1W/m*K R thck -,8 - K/W thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter λ grease=1w/m*k -,4 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Diode Wechsr./ Diode Inverter -,8 - K/W T vj - - C T op C T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nm mounting torque ±1% Gewicht weight 22 G 18 g 4(11)

5 s Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic Inverter (typical) V GE = V Tvj = 2 C Tvj = 12 C IC [A] 1, 1 1, 2 2, 3 3, 4 4, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic Inverter (typical) T vj = 12 C Vge=19V Vge=17V Vge=V Vge=13V Vge=11V Vge=9V IC [A] 1, 1 1, 2 2, 3 3, 4 4, V CE [V] (11)

6 s Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic Inverter (typical) V CE = 2 V Tj=2 C Tj=12 C IC [A] V GE [V] 3 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 2 2 Tj = 2 C Tj = 12 C IF [A] 1, 1 1, 2 2, 3 V F [V] 6(11)

7 s 7 Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) V CC = Switching losses Inverter (typical) T j = 12 C, V GE = ± V, R Gon = R Goff = 6 V 7 Ohm 6 Eon Eoff Erec E [mws] I C [A] 3 Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses Inverter (typical) T j = 12 C, V GE = +- V, I c = I nenn, V CC = 6 V 2, 2 Eon Eoff Erec E [mws] 1, 1, R G [W] 7(11)

8 s Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter Z thjc = f (t) 1 Zth-IGBT Zth-FWD ZthJC [K/W] 1,1,1,1,1,1 1 1 t [s] Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) I C = f (V CE ) 3 Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) T vj = 12 C, V GE = ±V 3 2 IC,Modul IC,Chip 2 IC [A] V CE [V] 8(11)

9 s Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic brake-chopper-igbt (typical) V GE = V Tvj = 2 C Tvj = 12 C 1 IC [A] , 1 1, 2 2, 3 3, 4 4, V CE [V] Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of brake-chopper-fwd (typical) Tj = 2 C Tj = 12 C IF [A] , 1 1, 2 2, 3 3, 4 V F [V] 9(11)

10 s Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) Tj = 2 C Tj = C IF [A] 1,2,4,6,8 1 1,2 1,4 1,6 V F [V] NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) R = f (T) 1 Rtyp 1 R[W ] T C [ C] 1(11)

11 s Schaltplan/ Circuit diagram NTC Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 11(11)

12 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale besch rieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließl ich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaft en keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenbl atts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessent en halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt ge sundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen S ubstanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen ei nzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Q ualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung v on der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produkt datenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data s heet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical dep artments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditi ons of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product a nd its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please c ontact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). F or those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, plea se notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

Marketing Information FD 600 R 16 KF4

Marketing Information FD 600 R 16 KF4 European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4

Mehr

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum

Mehr

FZ 1800 R 17 KF6C B2

FZ 1800 R 17 KF6C B2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

BSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 70

Mehr

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done

Mehr

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

Marketing Information BSM 50 GD 170 DL

Marketing Information BSM 50 GD 170 DL European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM GD 17 DL 118.11 94.5 119 19.5 3.81 121.5 99.9 4 x 19.5 = 76.2 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 3.81 15.24 6 7 8 9 11 12 1.15x1. 5

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V

Mehr

FB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FS 225 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FS 225 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

Technische Information / Technical Information BSM150GB120DLC. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv

Technische Information / Technical Information BSM150GB120DLC. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

FZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

Technische Information / technical information FS75R12KE3

Technische Information / technical information FS75R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage V CES T vj = C 12 V Kollektor Dauergleichstrom DC

Mehr

BSM300GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM300GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj =25 C V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

Technische Information / technical information FF1200R12KE3

Technische Information / technical information FF1200R12KE3 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor

Mehr

Technische Information / Technical Information FF 800 R 17 KF6 B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

Technische Information / Technical Information FF 800 R 17 KF6 B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

FS 450 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FS 450 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 1. V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8

Mehr

FB10R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FB10R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

FP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

г.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

г.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current V CES 1700 V I F 400 A Periodischer Spitzenstrom repetitive

Mehr

Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45

Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 56 S 40...45 D 56 U 40...45 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin Ma

Mehr

FZ 400 R 33 KF2 B5. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FZ 400 R 33 KF2 B5. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung T vj = 25 C V CES 33 V collector-emitter voltage T vj = -25 C 33 Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

FS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand

FS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen

Mehr

BSM15GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM15GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

FP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM30GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM30GP60. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM25GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM25GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FP15R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP15R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FP15R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP15R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM35GP120G. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

BSM35GP120G. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules s Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FZ 600 R 65 KF1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv

FZ 600 R 65 KF1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-4 C V CES 65 63 58

Mehr

DD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω

DD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω 1700V Dual Dioden Modul mit softer EmCon Diode 1700V Dual Diode Module with soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung

Mehr

FP10R06KL4B3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP10R06KL4B3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FB20R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FB20R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM 50 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 50 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector

Mehr

FF 300 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FF 300 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values FF R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

FP10R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FP10R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

FF 200 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FF 200 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s FF R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 1.7 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

Technische Information / Technical Information BSM 30 GD 60 DLC E3224

Technische Information / Technical Information BSM 30 GD 60 DLC E3224 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 6 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 7 C I

Mehr

BSM75GD120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM75GD120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

Marketing Information FF 600 R 12 KF 4

Marketing Information FF 600 R 12 KF 4 European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FF 6 R 12 KF 4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G1 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16

Mehr

Datenblatt / Data sheet D690S

Datenblatt / Data sheet D690S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Mehr

FS 300 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FS 300 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C BSM 1 GD 12 DN2 IGBT Power Module Solderable Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 1 GD 12 DN2 12V 15 ECONOPCK

Mehr

Technische Information / technical information FF1200R12KE3

Technische Information / technical information FF1200R12KE3 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor

Mehr

BSM 200 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 200 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES V KollektorDauergleichstrom DCcollector current

Mehr

BSM 50 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 50 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES 6 V KollektorDauergleichstrom DCcollector current

Mehr

BSM 15 GD 120 DN2 E3224

BSM 15 GD 120 DN2 E3224 BSM 15 GD 1 DN E3 IGBT Power Module Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 15 GD 1 DN 1V 5 ECONOPCK C7757

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische

Mehr

Technische Information / Technical Information FZ2400R17KF6C B2. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information FZ2400R17KF6C B2. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

BSM 100 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 100 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

FZ 400 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FZ 400 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s FZ R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom

Mehr

BSM 300 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 300 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values s Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8

Mehr

FB20R06KL4B1. Technische Information / technical information. Vorläufig preliminary. Elektrische Eigenschaften / electrical properties

FB20R06KL4B1. Technische Information / technical information. Vorläufig preliminary. Elektrische Eigenschaften / electrical properties Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM 150 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

BSM 150 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties KollektorEmitterSperrspannung collectoremitter voltage V CES 6 V KollektorDauergleichstrom DCcollector current

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung

Mehr

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms

1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms BSM 150 GAR 120 DN2 IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150

Mehr

F4-400R12KS4 B2. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

F4-400R12KS4 B2. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung V CES 12 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C

Mehr

Technische Information / technical information FS50R12KE3

Technische Information / technical information FS50R12KE3 s Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage V CES T vj = 25 C 12 V Kollektor Dauergleichstrom

Mehr

Technische Information / technical information FS75R12KE3

Technische Information / technical information FS75R12KE3 s Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor Dauergleichstrom

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Mehr

N Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive

Mehr

Technische Information / technical information

Technische Information / technical information IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor

Mehr

Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage V CE 1200 V Collector-gate voltage

Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage V CE 1200 V Collector-gate voltage BSM 4 G 12 DN2 IGBT Power Module Single switch Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 4 G 12 DN2 12V 55 SINGLE SWITCH C6772327 BSM 4 G

Mehr

Technische Information / technical information FS20R06XL4

Technische Information / technical information FS20R06XL4 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 6 V Kollektor

Mehr

Technische Information / technical information FZ3600R12KE3

Technische Information / technical information FZ3600R12KE3 IGBTModule IGBTModules FZ36R12K3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values lektrische igenschaften / electrical properties Kollektor mitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 V S V Kollektor

Mehr

Marketing Information FZ 800 R 16 KF4

Marketing Information FZ 800 R 16 KF4 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection

Mehr

FF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 1000 V repetitive peak forward reverse voltage

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung

Mehr

Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70

Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70 BSM 15 GB 12 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type V CE Package Ordering Code BSM 15 GB 12 DN2 12V 21 HLFBRIDGE 2 C67762187 Maximum

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 135 N 12...18 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40

Mehr

Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4

Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information 61,5 13 61,5 M8 31,5 19 171 1 2 57 3 M, tief 2,5 tief G 28 8 79, 7 1,25 2,25 external connection to be done 6 5 7 (for M6 screw)

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 2000 V repetitive peak forward reverse voltage

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 95 N 12...18 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40

Mehr

Datenblatt / Data sheet D450S

Datenblatt / Data sheet D450S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Kenndaten Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 165 N 12...18 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 135 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 165 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische enndaten orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -4 C... T vj max DRM, RRM 12 repetitive

Mehr

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode,

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Kenndaten Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Thermische

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Mehr

Technische Information / Technical Information T A = 45 C, KM A T A = 45 C, KM A

Technische Information / Technical Information T A = 45 C, KM A T A = 45 C, KM A TT B6C 95 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T

Mehr

FF1200R17KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values

FF1200R17KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values FFR7KE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM 1600 V repetitive

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information TT B6C 135 N 16 1) (ISOPACK) N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische orwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max DRM, RRM 1400 repetitive

Mehr

Technische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz

Technische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz chnelle Gleichrichterdiode D 901 35... 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Mehr

BSM150GB120DLC. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values

BSM150GB120DLC. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values 6mm C-Serien Modul mit low loss IGBT und EmCon Diode 6mm C-series module with low loss IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Mehr

Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 2200 N

Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 2200 N European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D N ø5 ø3,5x3,5 deep max.1 C A ø3,5x3,5tief ø5 pump out pipe metallic connected to

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Phase Control Thyristor T 878 N 12...18 N Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -

Mehr

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak and reverse voltages Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Phase Control Thyristor T 878 N 12...18 N Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = -

Mehr

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM 1200 1400 V

Mehr