SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900

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1 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den Nahbereich (bis 5 mm Abstand) IR-GaAs-Lumineszenzdiode Si-NPN-Fototransistor Flaches Kunststoffgehäuse Tageslichtsperrfilter Hoher Kollektor-Emitter-Strom Geringe Sättigungsspannung Kein Übersprechen Anwendungen Positionsmelder Endabschalter Drehzahlüberwachung Bewegungssensor Features Designed for short distances up to 5 mm GaAs infrared emitter Silicon NPN phototransistor detector Flat plastic package Daylight filter against undesired light effects High collector-emitter current o Low saturation voltage No cross talk Applications Position reporting Devices and end position switches Speed monitoring arious types of motion transmitters Semiconductor Group

2 Typ Type SFH 900 SFH ) SFH SFH SFH ) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1187 Q62702-P935 Q62703-P141 Q62703-P1088 Q62703-P1087 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. Grenzwerte (T A = 40 o C) Maximum Ratings alue Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Sperrspannung Reverse voltage orwärtsgleichstrom Forward current orwärtsstoβstrom, t p 10 µs Surge current erlustleistung Power dissipation R 6 I F 50 I FSM 1.5 A P tot 80 mw Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Kollektor-Sperrspannung Emitter-collector voltage Kollektorstrom Collector current erlustleistung Total power dissipation CEO 30 ECO 7 I C 10 P tot 100 mw Semiconductor Group 626

3 alue Reflexlichtschranke Light reflection switch Lagertemperatur Storage temperature range Umgebungstemperatur Ambient temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Löttemperatur (Lötstelle 3 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature (Dip soldering time t 3 s at 3 mm from package) mit Wärmeabführung vom Gehäuse with heat sink between case and soldering erlustleistung Total power dissipation T stg o C T A o C T j 100 o C T S T S o C o C P tot 150 mw Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics alue Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Durchlaβspannung Forward voltage I F = 50 Durchbruchspannung Breakdown voltage I R = 10 µa Sperrstrom Reverse current R = 6 Kapazität Capacitance R = 0, f = 1 MHz Wärmewiderstand Thermal resistance F 1.25 ( 1.65) BR 6 I R 0.01 ( 10) µa C O 40 pf R thja 750 K/W Semiconductor Group 627

4 Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics alue Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kapazität Capacitance CE = 5, f = 1 MHz Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emitter leakage current CE = 10 Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit) Photocurrent (outside light density) CE = 5, E = 1000 Lx Wärmewiderstand Thermal resistance C CE 11 pf O 20 ( 200) na I P 3.5 R thja 600 mw Reflexlichtschranke Light Reflection Switch Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; CE = 5 ; d = 1 mm SFH 900 SFH ) SFH SFH SFH ) > Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; d = 1 mm; SFH 900, I C = 85 µa SFH ), I C = 85 µa SFH 900-2, I C = 135 µa SFH 900-3, I C = 215 µa SFH ), I C = 335 µa 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. Semiconductor Group 628

5 Schaltzeiten (T A = 25 o C, CC = 5, I C = 1 1), R L = 1 kω) Switching Times Einschaltzeit Turn-on time Anstiegzeit Rise time Ausschaltzeit Turn-off time Abfallzeit Fall time alue t ein 65 µs t on t r 50 µs t aus 55 µs t off t f 50 µs 1) 1) I C eingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom Bauteil (d) I C as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between reflector and component (d) Output characteristics (typ.) I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Transistor capacitance (typ.) C CE = f ( CE ), T A = 25 o C, f = 1 MHz Semiconductor Group 629

6 IC Collector current = f ( d ) Forward voltage (typ.) of the diode I Cmax F = f (I F ) Max. permissible forward current I F = f (T A ) Permissible power dissipation for diode and transistor P tot = f (T A ) Permissible pulse handling capability I F = f (t p ), D = parameter, T A = 25 o C Switching characteristics t = f (R L ), T A = 25 o C, I F = 10 Relative spectral emission of emitter (GaAs) and detector (Si) Emitter: I rel = f (λ), Detector: S rel = f (λ) Collector current, spacing d to reflector = 1 mm, 90% reflection Output characteristics, I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Semiconductor Group 630

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip

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