8.5. Störstellenleitung

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "8.5. Störstellenleitung"

Transkript

1 8.5. Störstellenleitung Hochreiner HL ist auch bei Zimmertemperatur schlecht leitfähig geringste Verunreinigungen ändern das dramatisch Frühe Forschung an HL gab widersprüchliche Ergebnisse, HL galten als unkontrollierbarer Dreck Gezielter Einbau von Verunreinigungen macht HL kontrollierbar, setzt aber extrem sauberes Material voraus (Bsp Si: >99,9999% Reinheit)

2 Lage der Störstellenniveaus in Si und GaAs Störstellen nahe der Bandkanten stellen bei Zimmertemperatur Ladungsträger zur Verfügung: n bzw p-dotierung Besonderheit GaAs: Si (IV-wertig) kann n- oder p-dotierend wirken, je nachdem, ob Ga (III) oder As (V) ersetzt wird.

3 Temperaturabhängigkeit der Elektronenkonzentration im Leitungsband bei einem n-dotierten Halbleiter: kontrollierbar isolierend Niedrige Temperatur: nicht alle Störstellen sind ionisiert, mit steigender Temperatur nimmt die Anzahl der ionisierten Donatoren zu 2. Mittlere Temperatur: alle Störstellen sind ionisiert, die Temperatur ist aber zu niedrig, um signifikant Elektronen aus dem Valenzband thermisch ins Leitungsband zu heben 3. Hohe Temperatur: Durch thermische Anregung werden viele Elektronen aus VB ins LB gehoben

4 Dotierung erlaubt es, die Ladungsträgerart und dichte nach Wunsch einzustellen n-dotierter HL: n N D, p-dotierter HL: p N A N D, N A sind Donator- bzw. Akzeptordichte Auch hier gilt : n p = n i2, aber wegen der Dotierung ist n p Beispiel: Silizium hat bei Zimmertemperatur n i = 1.6x10 10 cm -3 n i2 = 2.56x10 20 cm -3 Intrinsisches Silizium also n=p=n i, n + p = 3.2x10 10 cm -3 z.b. n-dotiert mit N D = cm -3 n = cm -3 n+p, und p = n i2 / cm -3 = 2.56x10 4 cm -3 Die durch Dotierung eingebrachte Ladungsträgerart heißt Majoritätsladungsträger, die jeweils andere heißt Minoritätsladungsträger

5 8.6. pn-diode Durchlaßrichtung: Strom fließt Sperr-Richtung: Strom fließt (nahezu) nicht Anwendung: Gleichrichtung von Wechselstrom Detektion von hochfrequenten Wellen später: Leuchtdioden

6 Aufbau: pn-übergang bewegliche Elektronen bewegliche Löcher Im Gleichgewicht muß die Fermi-Energie überall gleich sein. Bewegliche Ladungsträger fließen, um den Unterschied in E F auszugleichen Ionisierte Störstellen bleiben zurück, lokale Ladungsdichte: E-Feld

7 Elektrostatik eines pn-übergangs: Poisson-Gleichung 2 dv dx 2 = ρ(x)/ εε Verarmungszone oder Raumladungszone. Breite W 2εε 0 NA + ND = V bi e NAN D 1/2 en x 0: E(x) = A (x + x p) εε 0 en x 0: E(x) = D (x x n) εε 0 E(x) dv(x) = dx

8 Gleichgewicht (V=0) Sperrrichtung Durchlassrichtung

9 Externe Spannung = 0: Ladungsträger driften im Feld der Raumladungszone, gleichzeitig diffundieren Ladungsträger in die entgegengesetzte Richtung Gesamtstrom = 0 Durchlaßrichtung: Potentialbarriere V bi wird vermindert, Diffusion erhöht sich, Strom fließt Sperr-Richtung: Potentialbarriere noch größer, Diffusion unterdrückt, übrig bleibt der Driftstrom = Sperrstrom Insgesamt: ev I= IS exp 1 kt

10 I Ge Si GaAs E g (in ev): I S U (V) ev I= IS exp 1 kt Bei Strömen im ma-bereich und typischen Abmessungen sieht man eine Vorwärtsspannung etwas unterhalb E g

11 8.7 Solarzellen Bei Beleuchtung werden Elektron-Loch- Paare erzeugt, die schnell wieder rekombinieren Homogen dotierter HL: keine Stromerzeugung, nur Photowiderstand (z.b. Belichtungsmesser) pn-diode hat eingebautes Feld: trennt e-h- Paare schneller, als sie rekombinieren können

12 Diodenkennlinie um den Photostrom verschoben

13 Diode in Sperr-Richtung Diode verträgt nicht beliebig hohe Sperr-Spannung Durchbruch in Sperr-Richtung entweder Lawinendurchbruch oder Zenerdurchbruch Letzterer kann auch als Spannungsregler verwendet werden

14 Grundprinzip: pn-kontakt in Durchlaßrichtung Elektronen und Löcher rekombinieren und senden Licht aus am besten direkter HL p n Symbol:

15 Halbleiter für die Optoelektronik

16 Halbleiter für die Optoelektronik

17

18

19

20

21

22

23

24 8.9 Der Bipolartransistor Aufbau: pnp oder npn-schichtfolge mit dünner Schicht in der Mitte Benennung: Emitter, Basis, Kollektor p + n p E B C pnp npn Die Diode im Schaltsymbol gibt die Basis-Emitter-Diode an. Richtung des Pfeils: pnp- oder npn-transistor

25 Funktionsprinzip Hier gezeigt an der Basis-Schaltung Emitter-Basis-Diode in Durchlaßrichtung: Hoher Strom fließt, weil Emitter hoch dotiert ist. Basis-Kollektor-Diode in Sperr-Richtung: Löcher aus dem Emitter sind Minoritätsladungsträger in dieser Diode. Sie werden beschleunigt (Driftstrom, Sperr -Strom) Basis sehr dünn, schwach dotiert der größte Teil des Stromes fließt in den Kollektor weiter

26 Kennlinien Emitter-Basisdiode über U BE gesteuert Kollektorstrom etwa gleich Emitterstrom, wenn U CB groß genug ist.

27 Einsatz Der Transistor wirkt als Verstärker: ein kleiner Basisstrom wird ca 100x verstärkt und fließt als Kollektorstrom An/Ausschalten des Transistors geschieht über die Basis-Emitterdiode Schalten und lineares Verstärken möglich

28 Grundidee zum Verständnis Der Transistor versucht, U BE etwas über der Durchlaßspannung zu halten. Dazu wird der Emitterstrom erhöht oder abgesenkt Der Kollektorstrom ist Emitterstrom Dazu braucht man einen kleinen Basisstrom

29 Beispiel: Invertierender Verstärker + R C Eingang Ausgang R E Wechselspannungsverstärkung ca R C /R E (falls Stromverstärkung ausreicht, etc) -

30 8.10 Der MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor: Auf p-dotiertes Silizium wird eine dünne Oxidschicht aufgebracht Über der Oxidschicht wird eine Metallschicht aufgebracht Liegt zwischen Substrat und Metall eine positive Spannung, werden Minoritätsladungsträger (hier Elektronen) zur Oxidschicht hingezogen Dort rekombinieren sie mit Löchern, es bildet sich eine dünne Verarmungszone unterhalb des Oxids Wird die Spannung über einen Schwellwert erhöht, steigt die Elektronenkonzentration unter dem Oxid. Es gibt nicht genug Löcher zur Rekombination -> eine dünne, n-leitende Schicht (Inversionsschicht) entsteht unter der Oxidschicht U MS <Schwellspannung U MS >Schwellspannung

31 Einfaches Verständnis Gateelektrode und HL-Kanal bilden einen Plattenkondensator Durch Anlegen einer Gatespannung ändert man die Ladung, und damit die Ladungsträgerdichte im HL Widerstand ändert sich SiO V G n n p, εr = 3.9 Kein Steuerstrom erforderlich: Gate ist isolierend leistungslose Steuerung

32 Genauer: Bandschema von oben nach unten E Metall Oxid Halbleiter Ohne Gatespannung sind E F im Metall, Oxid und HL gleich Hier für den Spezialfall gezeichnet, daß dann keine Bandverbiegung auftritt

33 Verarmung,Inversion, 2DEG Elektronen ohne Gatespannung Löcher leicht positives V G : Löcher verschwinden (Verarmung) 2DEG stärkere Gatespannung: Inversion (Elektronen statt Löcher) metallischer Zustand im LB: zweidimensionales Elektronengas (2DEG)

34 Typische Kennlinien Strom im Kanal Sättigung bei großer Source-Drain-Spannnung Gatespannung lineares Regime: Widerstand über V G einstellbar Spannung zwischen Source-Drain-Kontakt

35 Ohne Gatespannung: Source, Drain n-hl, Kanal p-hl: eine pn-diode sperrt immer, kein Strom Mit Gatespannung: ziehe Elektronen unter das Gate: n-kanal, Widerstand einstellbar (lineares Regime) Mit Gatespannung und hoher Source-Drain-Spannung: Berücksichtige Spannungsabfall im Kanal: lokale Spannung zwischen HL und Gate unterschiedlich Sättigung der Kurven V G n V D > n p Stromfluß

36 NMOS PMOS

37 CMOS CMOS-Technik: Einer der beiden MOSFETs ist immer aus geringer Stromverbrauch Übliche Technik für Mikroprozessoren, etc

38 Charge Coupled Device (CCD) Nobelpreis 2009: Willard S. Boyle und George E. Smith CCD-Sensoren sind in Digitalkameras, Videokameras, astronomischen Instrumenten, Röntgenkameras, Scannern, eingebaut Licht Serie von Gate-Elektroden erzeugt lokale Töpfe für Elektronen Lichteinfall erzeugt Elektronen in den Töpfen Diese werden durch das Bauelement durchgeschoben zeilenweises Auslesen der Information

39 Eine CCD-Zeile: 3 Gruppen von Gateelektroden Elektronen werden durchgeschoben und am Ende aufgefangen, Signal wird ausgewertet Wikipedia CCD-Sensor für die Astronomie

40 8.11 Heterostrukturen und Quanten-Hall-Effekt Grundproblem der HL-Technologie: Dotierung Brauche Dotierung, um Ladungsträger zu erzeugen Dotierung sind Störstellen Ladungsträger streuen höherer Widerstand Lösung: Räumliche Trennung von Dotierstoffen und Transportkanal Dazu MOSFET mit schwach dotiertem Kanal oder GaAs/AlGaAs-Heterostruktur

41 Dotierte Heterostruktur: Dotierung: Si zweidimensionales Elektronengas e - Energie E F GaAs AlGaAs Dotierung sitzt im AlGaAs, Elektronen fallen ins GaAs (weil die Bandlücke kleiner ist) GaAs sehr rein: hohe Beweglichkeit

42 Bei tiefer Temperatur erreicht man hohe Beweglichkeit (Bei Zimmertemperatur dominiert Phononenstreuung)

43 Quanten-Hall-Effekt Quanten-Hall-Effekt 1/6 1/8 1/10 Meßgeometrie für Hall- und Quanten-Hall-Effekt (QHE) Voraussetzungen für QHE: Zweidimensionales Elektronengas, tiefe Temperatur, hohe Beweglichkeit, hohes Magnetfeld ρ xy (h/2e 2 ) Shubnikov de Haas-Oszillationen

44 Quanten-Hall-Effekt ε μ B >> 1 hω = c n=1 h eb m* Grundlage: im hohen Magnetfeld gibt es keine kontinuierlichen Zustände wie für freie Elektronen Stattdessen Landau-Niveaus, ähnlich harmonischer Oszillator n=0 Dadurch Oszillationen im Widerstand und Plateaus in der Hallspannung ε o B=0 D(ε) Es zeigt sich, daß die Plateau-Werte hochgenau reproduziert werden können Verwendung als Widerstandsnormal

8. Halbleiter-Bauelemente

8. Halbleiter-Bauelemente 8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung

Mehr

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs 7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden

Mehr

Halbleitergrundlagen

Halbleitergrundlagen Halbleitergrundlagen Energie W Leiter Halbleiter Isolator Leitungsband Verbotenes Band bzw. Bandlücke VB und LB überlappen sich oder LB nur teilweise mit Elektronen gefüllt Anzahl der Elektronen im LB

Mehr

JFET MESFET: Eine Einführung

JFET MESFET: Eine Einführung JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,

Mehr

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert

Mehr

Diode und Transistor. DST SS2003 - Diode und Transistor. P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 1

Diode und Transistor. DST SS2003 - Diode und Transistor. P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 1 Diode und Transistor P. Fischer, TI, Uni Mannheim, Seite 1 Etwas Physik Feld E zeigt von positiven Ladungen zu negativen Ladungen (Elektronen fließen entgegen den Feldlinien!) E = grad Ψ = - dv(x) / dx

Mehr

3. Halbleiter und Elektronik

3. Halbleiter und Elektronik 3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden

Mehr

= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden

= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden 2. Halbleiter-Bauelemente 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden Zu 2.1: Fermi-Energie Fermi-Energie E F : das am absoluten Nullpunkt oberste besetzte

Mehr

Feldeffekttransistoren

Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie

Mehr

Grundlagen der Datenverarbeitung

Grundlagen der Datenverarbeitung Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter

Mehr

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06

Mehr

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Marcel Köpke & Axel Müller 15.06.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 3 2 Aufgaben 7 2.1 Temperaturabhängigkeit............................ 7 2.2 Kennlinien....................................

Mehr

Formelsammlung Baugruppen

Formelsammlung Baugruppen Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in

Mehr

1. Die p-n-diode. 1.1 Berechnung der Diffusionsspannung

1. Die p-n-diode. 1.1 Berechnung der Diffusionsspannung 1. Die p-n-diode Wir betrachten eine scharfe Grenzfläche zwischen n- und p-dotiertem Silizium. In der Praxis sind die Dotierungsprofile nicht so abrupt, dieser einfache Fall lässt sich aber leichter berechnen.

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

Versuch 21. Der Transistor

Versuch 21. Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor

Mehr

Versuch 33: Photovoltaik - Optische und elektrische Charakterisierung von Solarzellen Institut für Technische Physik II

Versuch 33: Photovoltaik - Optische und elektrische Charakterisierung von Solarzellen Institut für Technische Physik II Versuch 33: Photovoltaik - Optische und elektrische Charakterisierung von Solarzellen Institut für Technische Physik II Photovoltaik:Direkte Umwandlung von Strahlungsenergie in elektrische Energie Anregung

Mehr

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone

2 Diode. 2.1 Formelsammlung. Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone 2 Diode 2.1 Formelsammlung Diffusionsspannung Φ i = kt q ln N AN D n 2 i (2.1) Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone ( q ) ] p n( n )=p n0 [ep kt U pn 1 bzw. (2.2) ( q ) ] n

Mehr

...vorab eine Einladung... Noch ein paar Bemerkungen zur Temperaturabhängigkeit des Halbleiters...

...vorab eine Einladung... Noch ein paar Bemerkungen zur Temperaturabhängigkeit des Halbleiters... ...vorab eine Einladung... Noch ein paar Bemerkungen zur Temperaturabhängigkeit des Halbleiters... 1 Temperaturerhöhung Je größer die Gitterkonstante, desto kleiner die Bandlücke. Temperaturerhöhung führt

Mehr

Transistorkennlinien

Transistorkennlinien Transistorkennlinien Grolik Benno, Kopp Joachim 2. Januar 2003 1 Grundlagen des Versuchs Die Eigenschaften von Halbleiterbauelementen erkennt man am besten an sogenannten Kennlinien, die bestimmte Spannungs-

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:

Mehr

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Grundlagen 2 2.1 MOSFET..................................... 2 2.2 JFET....................................... 3 2.3 Übersicht der

Mehr

2 Halbleitertechnologie, MOS-Transistoren

2 Halbleitertechnologie, MOS-Transistoren 2 Halbleitertechnologie, MOS-Transistoren Fertigung Ein aus der Schmelze erzeugter zylindrischer Einkristall wird in Scheiben zersägt. Wie bezeichnet man die Scheibe? Welcher Durchmesser ist heute üblich?

Mehr

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt aum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode 13. September - 1. Oktober 2010 1. Können die Elektronen

Mehr

Kapitel 1. Einleitung

Kapitel 1. Einleitung Kapitel 1 Einleitung Vor 60 Jahren, im Juni 1948, wurde von den Bell Labs der erste Transistor öffentlich demonstriert. Weniger bekannt, aber ebenso wichtig ist die Demonstration des ersten Metal-Oxide-Semiconductor

Mehr

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.

Mehr

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3

Mehr

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Versuch V5: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Henri Menke und Jan Trautwein Gruppe 1 11 Platz k (Betreuer: Torsten Rendler) (Datum: 1. November 13) In diesem Versuch werden die ingangs- und Ausgangskennlinien

Mehr

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,

Mehr

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang 2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten

Mehr

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1 1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen

Mehr

Physikalisches Praktikum I

Physikalisches Praktikum I Fachbereich Physik Physikalisches Praktikum I E24 Name: Halbleiterdioden Matrikelnummer: Fachrichtung: Mitarbeiter/in: Assistent/in: Versuchsdatum: Gruppennummer: Endtestat: Dieser Fragebogen muss von

Mehr

h- Bestimmung mit LEDs

h- Bestimmung mit LEDs h- Bestimmung mit LEDs GFS im Fach Physik Nicolas Bellm 11. März - 12. März 2006 Der Inhalt dieses Dokuments steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation http://www.gnu.org/copyleft/fdl.html Inhaltsverzeichnis

Mehr

Kennlinien von Halbleiterdioden

Kennlinien von Halbleiterdioden ELS-27-1 Kennlinien von Halbleiterdioden 1 Vorbereitung Allgemeine Vorbereitung für die Versuche zur Elektrizitätslehre Bohrsches Atommodell Lit.: HAMMER 8.4.2.1-8.4.2.3 Grundlagen der Halbleiterphysik

Mehr

Die Physik der Solarzelle

Die Physik der Solarzelle Die Physik der Solarzelle Bedingungen für die direkte Umwandlung von Strahlung in elektrische Energie: 1) Die Strahlung muß eingefangen werden (Absorption) 2) Die Lichtabsorption muß zur Anregung beweglicher

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente , apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Vorbemerkung Vorlesung Leistungsbaulemente Zweitägige kompakte Blockvorlesung

Mehr

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de

Versuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de Physikalisches Praktikum für das Hauptfach Physik Versuch 21 Der Transistor Wintersemester 2005 / 2006 Name: Mitarbeiter: EMail: Gruppe: Daniel Scholz Hauke Rohmeyer physik@mehr-davon.de B9 Assistent:

Mehr

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger D07 Fotoeffekt D07 1. ZIELE Beim Fotoeffekt werden frei bewegliche Ladungsträger durch die Absorption von Licht erzeugt. Man nutzt den Effekt, um Beleuchtungsstärken elektrisch zu messen. Im Versuch werden

Mehr

Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik

Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Florian Franzmann 21. September 2004 Inhaltsverzeichnis 1 Stromrichtung 4 2 Kondensator 4 2.1 Plattenkondensator...............................

Mehr

2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik

2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik 2 Grundbegriffe der Halbleitertechnik 2 2.1 Elektrische Leitfähigkeit der Materialien Die Klassifizierung der Werkstoffe hinsichtlich ihrer elektrischen Leitfähigkeit erfolgt mit der Einteilung in Nichtleiter,

Mehr

Transistoren. Bipolare Transistoren

Transistoren. Bipolare Transistoren Transistoren Transistor 1 Transistoren sind Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die als Verstärker und Schalter Verwendung finden. Dabei erscheint das am Steuereingang zugeführte Signal am Ausgang

Mehr

E06. Diodenkennlinien

E06. Diodenkennlinien E06 Diodenkennlinien Dieser Versuch bietet eine erste Einführung in die Elektronik. Nach Untersuchungen von charakteristischen Kennlinien verschiedenartiger Dioden werden einfache Gleichrichterschaltungen

Mehr

Diode und Transistor

Diode und Transistor Physikalisches Schulversuchspraktikum I Diode und Transistor (Oberstufe) marlene hack (9955515/412) Abgabedatum: 28. 11. 2002 Inhaltsverzeichnis Lerninhalt...3 In welcher Klasse?...3 Vorkenntnisse...3

Mehr

Versuch 17.2 Der Transistor

Versuch 17.2 Der Transistor Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de

Mehr

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1 Inhaltsverzeichnis Dioden...2 Allgemein...2 Kenngrößen...2 Anlaufstrom...2 Bahnwiderstand...2 Sperrschichtkapazität...2 Stromkapazität...3 Durchbruchspannung...3 Rückerholungszeit...3 Diodenarten...3 Backward-Diode...3

Mehr

qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasd fghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzx cvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq

qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasd fghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzx cvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasd fghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzx cvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq Anständige Ausarbeitung Elektronische Bauelemente wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui

Mehr

Grundlagen der Elektrotechnik II

Grundlagen der Elektrotechnik II Grundlagen der Elektrotechnik II SS 2006 http://www tet.ee.tu berlin.de/lehre/grundlagen ET 2/ N N S + S & Manfred Filtz filtz@tetibm1.ee.tu berlin.de Grundlagen der Elektrotechnik II SS 2006 M. Filtz

Mehr

Vorlesungsinhalt: 3. Dioden

Vorlesungsinhalt: 3. Dioden Vorlesungsinhalt: 1. 3. Dioden 3.0 Grundlagen: Dotierte Halbleiter und Ferminiveau 3.1 pn-diode ohne Stromfluss 3.2 pn-diode mit Stromfluss: Kennlinie und Kapazität 3.3 Zener-Diode 3.4 Schottky-Diode 3.5

Mehr

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7 DIY Personal Fabrica1on Elektronik Juergen Eckert Informa1k 7 Ätz und LötTutorial 26.11. Übung: Layout mit Eagle (CadsoL) 3.12. 3 Slots: 1214, 1416 und 1618Uhr st!!! Blink(1) Clone No1fica1on RGB Led Kostenlos

Mehr

Versuch 21: Der Transistor

Versuch 21: Der Transistor Versuch 21: Der Transistor Protokoll Namen: Christina Thiede Datum der Durchführung: 18.10.2004 Martin Creutziger Assistent: Alexander Weismann Gruppe: A6 testiert: 1 Einleitung Neben dem Vermitteln eines

Mehr

Bericht zum Versuch Hall-Effekt

Bericht zum Versuch Hall-Effekt Bericht zum Versuch Hall-Effekt Michael Goerz, Anton Haase 20. September 2005 GP II Tutor: K. Lenz 1 Einführung Hall-Effekt Als Hall-Effekt bezeichnet man das Auftreten einer Spannung in einem stromdurchflossenen

Mehr

Temperaturabhängigkeit von ρ s (T) für einige Stoffe. ρ s = spezifischer Widerstand. Variation mit Temperatur bezogen auf T = 300 K

Temperaturabhängigkeit von ρ s (T) für einige Stoffe. ρ s = spezifischer Widerstand. Variation mit Temperatur bezogen auf T = 300 K Temperaturabhängigkeit von ρ s (T) für einige Stoffe ρ s = spezifischer Widerstand Variation mit Temperatur bezogen auf T = 300 K 77 Temperatur-Abhängigkeit von Widerständen normaler (ohmscher) Widerstand:

Mehr

Transistor FET. Roland Küng, 2010

Transistor FET. Roland Küng, 2010 Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über

Mehr

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2 Versuch 2 Bipolartransistoren 1. Einleitung In diesem Versuch werden zunächst die elementaren Eigenschaften bipolarer Transistoren untersucht. Anschließend erfolgt ihr Einsatz in einigen Verstärker- Grundschaltungen.

Mehr

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A

Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil A Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil Der Transistor ( Transmitting Resistor ), was so etwas wie steuerbarer Widerstand bedeutet, hat vor Jahrzehnten durch blösung der Elektronenröhre eine technische Revolution

Mehr

Versuch 26. Gruppe D14. Grundpraktikum Physik. Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de. Unterschrift:...

Versuch 26. Gruppe D14. Grundpraktikum Physik. Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de. Unterschrift:... Versuch 26 (Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor) Gruppe D14 Grundpraktikum Physik Autor: Kay Jahnke Mail: kay.jahnke@uni-ulm.de Unterschrift:... Autor: Simon Laibacher Mail: simon.laibacher@uni-ulm.de

Mehr

Elektrische Leitung. Strom

Elektrische Leitung. Strom lektrische Leitung 1. Leitungsmechanismen Bändermodell 2. Ladungstransport in Festkörpern i) Temperaturabhängigkeit Leiter ii) igen- und Fremdleitung in Halbleitern iii) Stromtransport in Isolatoren iv)

Mehr

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,

Mehr

Dioden und Transistoren

Dioden und Transistoren Elektronikpraktikum Versuch EP4 Schaltverhalten von Dioden und Transistoren Institut für Mikro- und Nanoelektronik Kirchhoff-Bau K1084 Die Versuchsanleitung umfasst 10 Seiten u. 1 Anlage Stand 2010 Versuchsziele:

Mehr

Versuch 42: Photovoltaik

Versuch 42: Photovoltaik Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg Institut für Physik Fortgeschrittenen- Praktikum Versuch 42: Photovoltaik An einer Silizium-Solarzelle sind folgende Messungen durchzuführen: 1) Messen Sie die

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Interdiziplinäres Laborpraktikum Master ET Versuch 708 Halbleiterbauelemente c Inst. für Mikrosystemtechnik E-7 Technische Universität Hamburg-Harburg,2008 Versuchsvorbereitung eine sorgfältige Durcharbeitung

Mehr

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:

Mehr

TO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen

TO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen

Mehr

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Physik-nstitut der Universität Zürich nhaltsverzeichnis 10 Kennlinien elektrischer Leiter

Mehr

Versuchsvorbereitung P1-51

Versuchsvorbereitung P1-51 Versuchsvorbereitung P1-51 Tobias Volkenandt 22. Januar 2006 Im Versuch zu TRANSISTOREN soll weniger die Physik dieses Bauteils erläutern, sondern eher Einblicke in die Anwendung von Transistoren bieten.

Mehr

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachhochschule Münster niversity of Applied Sciences Versuch: 1 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 1:

Mehr

U D. qn I D l n. -qn AI. E max

U D. qn I D l n. -qn AI. E max Der nübergang feststehende Dotieratome n qn D U D l n qn I D l n qn AI qnal l qn A x E max E n l n l x file:///c:/n_uebergang.html file:///c:/drift.html Diffusion.html l n l x n 1 Elektronik I Fünf Punkte

Mehr

3 Elektrische Leitung

3 Elektrische Leitung 3.1 Strom und Ladungserhaltung 3 Elektrische Leitung 3.1 Strom und Ladungserhaltung Elektrischer Strom wird durch die Bewegung von Ladungsträgern hervorgerufen. Er ist definiert über die Änderung der Ladung

Mehr

Inhaltsverzeichnis. Liste der verwendeten Symbole... 1

Inhaltsverzeichnis. Liste der verwendeten Symbole... 1 Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole... 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik... 7 1.1 Grundlegende Begriffe.................................... 7 1.1.1 Das Bändermodell.... 7 1.1.2 Silizium

Mehr

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Auswertung Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Iris Conradi und Melanie Hauck Gruppe Mo-02 21. Juni 2011 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit 3 2 Kennlinien

Mehr

PS8. Halbleiter 2 - Transistor und Verstärkungsschaltungen Version vom 19. März 2015

PS8. Halbleiter 2 - Transistor und Verstärkungsschaltungen Version vom 19. März 2015 Halbleiter 2 - Transistor und Verstärkungsschaltungen Version vom 19. März 2015 Inhaltsverzeichnis 1 1.1 Grundlagen................................... 1 1.1.1 Begriffe.................................

Mehr

Bipolare Transistoren

Bipolare Transistoren 4 Bipolare Transistoren 4.1 Aufbau und prinzipielle Funktionsweise Betrachten wir zunächst nochmals die Verhältnisse bei einem in Flussrichtung gepolten pn-übergang (Abbildung 4.1). p n Abb. 4.1: pn-übergang

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

3 Grundlagen der Halbleitertechnik

3 Grundlagen der Halbleitertechnik 12 3 Grundlagen der Halbleitertechnik Um die Funktionsweise von Halbleitern verstehen zu können, ist ein gewisses Grundverständnis vom Aufbau der Elemente, insbesondere vom Atomaufbau erforderlich. Hierbei

Mehr

EINSCHALTSTROMPEAKS BEI SIC-JFET IN HALBBRÜCKEN

EINSCHALTSTROMPEAKS BEI SIC-JFET IN HALBBRÜCKEN Einschaltstrompeaks bei SiC-JFET in Halbbrücken 1 EINSCHALTSTROMPEAKS BEI SIC-JFET IN HALBBRÜCKEN I. Koch 1 EINLEITUNG In leistungselektronischen Anwendungen sollten sich Ober- und Unterschalter einer

Mehr

Transistoren Funktionsweise und Kennlinien BJT, MOS-FET und J-FET

Transistoren Funktionsweise und Kennlinien BJT, MOS-FET und J-FET Transistoren Funktionsweise und n BJT, MOS-FET und J-FET Dieses Skript erklärt wie die heute am häufigsten verwendeten Transistoren funktionieren und welches ihre charakteristischen n sind. Vorbereitete

Mehr

Versuch 21: Der Transistor

Versuch 21: Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21: Der Transistor Name: Hendrik Söhnholz, Benedikt Over Datum der Durchführung 6.12.2004 Gruppe 4-a Assistent: Helge Kröger testiert: 1 Einleitung und Motivation Der Transistor

Mehr

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007 1 Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor Sascha Hankele sascha@hankele.com Kathrin Alpert kathrin.alpert@uni-ulm.de durchgeführt am 22. Juni 2007 INHALTSVERZEICHNIS 2 Inhaltsverzeichnis

Mehr

Versuch 14: Transistor

Versuch 14: Transistor Versuch 14: Transistor Transistoren werden sowohl als Schalter (in der Digitaltechnik) als auch als Verstärker betrieben. Hier sollen die Grundlagen des Transistors als Verstärkerelement erlernt werden,

Mehr

NANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen

NANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = Maschenregel Σ ( ) = Ersatzquellen Überlagerungsprinzip Voraussetzung:

Mehr

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm. Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll

Mehr

LEDs und Laserdioden: die Lichtrevolution. Stephan Winnerl Abteilung Halbleiterspektroskopie, FZR

LEDs und Laserdioden: die Lichtrevolution. Stephan Winnerl Abteilung Halbleiterspektroskopie, FZR LEDs und Laserdioden: die Lichtrevolution Stephan Winnerl Abteilung Halbleiterspektroskopie, FZR Wie erhält man verschiedenfarbige LEDs? Warum ist die Farbe blau so wichtig? Wo werden HL-Laser Im Alltag

Mehr

V05: Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren

V05: Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Elektronikpraktikum im WS 2010/11 Universität Stuttgart Protokoll zum Versuch Stephan Ludwig, Nicolai Lang 28. November 2010 Zusammenfassung Der Folgende Versuch befasst sich mit den Eingangskennlinien

Mehr

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren

Mehr

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt EL1 - Die Diode Einleitung: In diesem Versuch beschäftigen wir uns mit der pn-halbleiterdiode. Im ersten Versuchsteil beschäftigen wir uns mit einer grundlegenden Eigenschaft, nämlich die Kennlinien einer

Mehr

Vorbereitung: Elektrische Bauelemente. Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012

Vorbereitung: Elektrische Bauelemente. Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012 Vorbereitung: Elektrische Bauelemente Christine Dörflinger und Frederik Mayer, Gruppe Do-9 27. Juni 2012 1 Inhaltsverzeichnis 0 Allgemeines 3 0.1 Bändermodell..............................................

Mehr

Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter

Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter 5.1 Physik der Halbleiterdiode 5.1.1 n und p Leitung im Halbleiter Wie auch in isolierenden Materialien findet man in Halbleitern für die Elektronen

Mehr

Versuch 21 Transistor

Versuch 21 Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Transistor Praktikanten: Johannes Dörr Gruppe: 14 mail@johannesdoerr.de physik.johannesdoerr.de Datum: 27.09.2006 Katharina Rabe Assistent: Sebastian Geburt kathinka1984@yahoo.de

Mehr

Typische Eigenschaften von Metallen

Typische Eigenschaften von Metallen Typische Eigenschaften von Metallen hohe elektrische Leitfähigkeit (nimmt mit steigender Temperatur ab) hohe Wärmeleitfähigkeit leichte Verformbarkeit metallischer Glanz Elektronengas-Modell eines Metalls

Mehr

Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor

Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor Physik III - Anfängerpraktikum- Versuch 307 - Der Transistor Sebastian Rollke (103095) und Daniel Brenner (105292) 21. September 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Zielsetzung 3 2 Einleitung 3 2.1 Bändermodell

Mehr

Versuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker

Versuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker Bergische Universität Wuppertal Praktikum Fachbereich E Werkstoffe und Grundschaltungen Bachelor Electrical Engineering Univ.-Prof. Dr. T. Riedl WS 20... / 20... Hinweis: Zu Beginn des Praktikums muss

Mehr

1 Schottky-Dioden. Hochfrequenztechnik I Halbleiterdioden HLD/1

1 Schottky-Dioden. Hochfrequenztechnik I Halbleiterdioden HLD/1 Hochfrequenztechnik I Halbleiterdioden HLD/1 Aus der Vorlesung Werkstoe und Bauelemente der Elektrotechnik sind pn- und pin-dioden bekannt. Daneben sind für die Hochfrequenztechnik auch Schottky-Dioden

Mehr

Si-Solarzellen. Präsentation von: Frank Hokamp & Fabian Rüthing

Si-Solarzellen. Präsentation von: Frank Hokamp & Fabian Rüthing Si-Solarzellen Präsentation von: Frank Hokamp & Fabian Rüthing Inhaltsverzeichnis Vorteile / Nachteile Anwendungsgebiete / Potential Geschichte Silicium Wirkungsweise / Funktionsprinzip Typen / Herstellungsverfahren

Mehr

Elektrischer Strom S.Alexandrova 1

Elektrischer Strom S.Alexandrova 1 Elektrischer Strom S.Alexandrova 1 Elektrischer Strom Wichtiger Begriff: Strom als Ladungs Transport Jeder Art: - in ioniziertem Gas - in Elektrolytlösung - im Metall - im Festkörper Enstehet wenn elektrisches

Mehr

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter -IV.E1- E Halbleitertechnik In unserem Alltag haben wir permanent mit elektronischen Bauteilen zu tun, vom Wecker morgens über den Taschenrechner, die Haushaltsgeräte, den Computer u.v.a. mehr bis (eventuel

Mehr

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 VII Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis...VII 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen...5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische

Mehr

7 Transistor. 7.1 Einführung

7 Transistor. 7.1 Einführung 106 7 Transistor 7.1 Einführung Transistoren sind Halbleiterbauelemente mit drei Elektroden. Der Strom zwischen zwei dieser Elektroden kann durch einen viel kleineren Strom (bzw. eine Spannung) am dritten

Mehr

Elektrische Leitfähigkeit

Elektrische Leitfähigkeit Technische Universität Dresden Fachrichtung Physik P. Eckstein, T. Schwieger 03/2003 bearbeitet: P. Eckstein, K. Richter 03/2009 Physikalisches Praktikum Grundpraktikum Versuch: EL Elektrische Leitfähigkeit

Mehr

Der elektrische Strom

Der elektrische Strom Der elektrische Strom Bisher: Ruhende Ladungen Jetzt: Abweichungen vom elektrostatischen Gleichgewicht Elektrischer Strom Transport von Ladungsträgern Damit Ladungen einen Strom bilden, müssen sie frei

Mehr

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1 Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht

Mehr