Halbleiter. Katalog 2013 ohne Preise. Halbleiter. Edition Juli 2013

Transkript

1 Katalog 0 ohne Preise n Schottky n Germanium, Varicap, Stabilisator Zener-n 0. Watt Zener-n Watt Zener n Watt Zener n. Watt Schutzdioden Brückengleichrichter Bipolare Transistoren (ma 0mA) Bipolare Transistoren (0mA 00mA) Bipolare Transistoren (0mA.A) Bipolare Transistoren (A - A) Bipolare Transistoren (A - A) FeldEffekt-Transistoren (JFET) Power MOSFET SCS Silicon Controlled Switch + DIAC Triacs GE-Transistoren Seite + Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Seite Edition Juli 0

2 n Typ BY BA BA BA N N BAX BAS BAV BAV0 BAV BY0-0 N BAX BAX BY0 BYX BY0-00G BYVC BYVE N0 N0G SKS-0 SKS-0 SKS- BYVC BYVE BYV-0 BYV-00 BYX- BYX-0 BYW-TAP BYMC BYME BYME BYMC BYWE NRLG BYV-0 BYV-00 BYX-0 BYX-0R BYX-00 BYX-00R P0K P0M GP BYW-0 BYW-00 FESJT BYR-0 Typ IFAV(A) Durchlassstrom Durchlassstrom (Mittelwert) Stossdurchlassstrom (nicht periodisch) Sperrstrom Rückerholzeit, Sperrv erzögerungszeit (Sperrstrom = % v on IRM) Durchlassspannung Sperrspannung IF(A) IFAV(A) IR(A) trr(ns) UF(V) IF(A). 0. µ 0 trr(ns) µ 0µ n µ 0µ µ 0n µ µ 0 µ 0 µ.. µ. 0.. µ. 0. µ µ m IFAV(A). IF(A) m 0 0 trr(ns) Gehäuse Bezeichnung SOD- TV-Gleichrichterdiode Gleichrichter Variable Capacitance DO- Univ ersaldiode DO- Univ ersaldiode DO- Low-leakage DO- Univ ersaldiode DO- Univ ersaldiode DO- Univ ersaldiode DO- Av alanche- Ultra Fast Sof t-recov ery Av a. SOD- Ultra Fast Sof t-recov ery Av al. A SOD- E Av alanche Fast Sof t Recov ery SOD- Av alanche Fast Sof t Recov ery Epitaxial Av alanche SOD- Epitaxial Av alanche Gleichrichter Gleichrichter SOD- Av alanche- Ultra Fast Sof t-recov ery Av al. SOD- Ultra Fast Sof t-recov ery Av a. SOD- Av alanche Fast Sof t Recov ery DO-0AD Epitaxial Av alanche SOD- Epitaxial Av alanche DO- P- E- Fast Recov ery TO-0 Fast Recov ery Gleichrichter TO-0 Fast Recov ery Gehäuse Bezeichnung Edition Juli 0

3 IF(A) IFAV(A) IR(A) trr(ns) UF(V) n Fortsetzung Typ BYV-0 BYV-0 BYV-00 BYW-00 BYX-0 BYX-0R BYX-00 BYX-00R BYV-00 BYV-00 AFRPP AFRPP FRM BYW-00 BYX-0 BYX-0R BYX-00 BYX-00R HF BYX-0 BYX-0R BYX-00 BYX-00R HFR0 SKN- 0HFM 0HFRM Typ Durchlassstrom Durchlassstrom (Mittelwert) Stossdurchlassstrom (nicht periodisch) Sperrstrom Rückerholzeit, Sperrv erzögerungszeit (Sperrstrom = % v on IRM) Durchlassspannung Sperrspannung IFAV(A) x 0 IF(A) x x m 0 0.m 00.m µ 0 0 m 00 m m 0. 0 m trr(ns) IFAV(A). m IF(A) trr(ns) Gehäuse Bezeichnung TO-0 Fast Recov ery Doppeldiode Fast Recov ery TO-0 Fast Recov ery DO- Fast Recov ery DO- SOT- Fast Recov ery Doppeldiode TO-0 Fast Recov ery Doppeldiode D. D. Gleichrichter DO- Fast Recov ery DO- Recov ery DO- Recov ery Gleichrichter Gehäuse Bezeichnung Edition Juli 0

4 CD(pf) f(mhz) ID(A) IF(A) IFAV(A) IFRM(A) IR(A) Rdiff tn(ns) trr(ns) Ttot(µs) UF(V) nkapazität Frequenz Drainstrom Durchlassstrom Durchlassstrom (Mittelwert) Periodischer Spitzen-Durchlassstrom Stossdurchlassstrom (nicht periodisch) Sperrstrom Dif f erentieller Durchlasswiderstand Schaltzeit Rückholzeit, Sperrv erzögerungszeit (Sperrstrom = % v on IRM) Totale Sperrv erzögerungszeit (Sperrstrom Nennwert) Durchlassspannung Sperrspannung Efficiency = Für den Einsatz in transistorisierten horizontal Ablenkeinheiten. Schottky-Barriere Schaltdioden (Hot-Carrier-n )= speziell geeignet zur HF-Gleichrichtung Best Nr IF(A) 0-0 BAT BAT BY 0 0 m m 00m IFRM(A) ID(A) m m 0m. IF(mA) m m m 00n 00n µ 00n 0 0 Ttot(µs) trr(ns) CD(pf) Gehäuse Beschrieb.. DO- DO- DO- SOD- Schottky -Barriere Schaltd Schottky -Barriere Schaltd Schottky -Barriere Schaltd Ef f iciency Schottky n Typ N N STPS0H0CT PBYR PBYR PBYR0CT PBYRCT BYV0- BYV- 0 IFAV(A) x x x IF(A) m m m m m 0m m CD(pf) Gehäuse Bezeichnung F- Schottky -Barriere Gleichrichterd DO-0 Schottky -Barriere Gleichrichterd Dual Schottky Schottky -Barriere Gleichrichterd TO-0 Schottky -Barriere Gleichrichterd Dual Schottky -Barriere Gleichr TO-0 Dual Schottky -Barriere Gleichr Schottky -Barriere Gleichrichterd DO- Schottky -Barriere Gleichrichterd Germanium n Typ NTEMP NTEA AAZ NTE 0 0 IF(mA) 0 00 IF(A) 0. 00µ 0. 00µ 0 0. Gehäuse DO- DO- m DO- Varicap (Kapazitätsdioden) Typ BBB BB BB0B BB BB0G IF(mA) Anwendungsbereich Gehäuse Bezeichnung UHF bis MHz VHF bis MHz VHF bis MHz AM-Radio FM-Radio DO- DO- DO- TO- TO- Dual Dual VHF-Bereichsumschaltungs- Typ BA IF(mA) fmhz. 0 fmhz Gehäuse DO- Stabilisatordioden Typ BA BA BZV-V BZV-V0 BZV-V BZV-V UF(V) UF(V) IF(mA) IF(mA) Ohm 0 0 IF(mA) mv/ C URRM(V) IFM(mA) Gehäuse DO- DO- DO- DO- DO- DO- Edition Juli 0

5 Zener n Gemeinsame Grenzwerte PD: 00mW RthJA: K/W TJ: ºC Zenerdioden 0. Watt Z-Arbeitsspannung in Volt inhärenter differentieller Widerstand TKUZ(ˉ⁴/K) Temperaturkoeffizient der Z-Spannung IZT(m A) Z-Messstrom IZM (m A) Z-Maximalstrom Diese Werte gelten nur, wenn beide Anschlussdrähte inmm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden. Wichtiger Hinweis Diese Z-n werden nach unserer Wahl (je nach Hersteller) mit verschiedenen Typen-Bezeichnungen geliefert, z.b.: BZVC..., BZXC..., BZX..., ZPD... Silizium Z-n für Stabilisierungs- und Begrenzerschaltungen. Der als Katode bezeichnete Anschluss ist mit dem positiven Anschluss der Versorgungsspannung zu verbinden. Be s t.nr. Z0.V Z0.V Z0.V0 Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0.V Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0.0 Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Z0. Be s t.nr m in m ax TKUZ(ˉ⁴/K) m in m ax TKUZ(ˉ⁴/K) IZT(m A) IZM (m A) IZT(m A) IZM (m A) Ge häus e DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- Ge häus e Edition Juli 0

6 Zenerdioden Zenerdioden Watt Gemeinsame Grenzwerte PD: 00mW RthJA: K/W TJ: ºC Diese Werte gelten nur, wenn beide Anschlussdrähte inmm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden. Z-Arbeitsspannung in Volt inhärenter differentieller Widerstand TKUZ(ˉ⁴/K) Temperaturkoeffizient der Z-Spannung IZT(m A) Z-Messstrom IZM (m A) Z-Maximalstrom Wichtiger Hinweis Diese Z-n werden nach unserer Wahl (je nach Hersteller) mit verschiedenen Typen-Bezeichnungen geliefert, z.b.: BZXC..., PL..Z, ZPY.. Silizium Z-n im Glasgehäuse DO- oder im Kunststoffgehäuse (nach unserer Wahl) für Stabilisierungs- und Begrenzerschaltungen. Der als Katode bezeichnete Anschluss ist mit dem positiven Anschluss der Versorgungsspannung zu verbinden. Z.V Z.V0 Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z.V Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z.0 Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z. Z.0 Z. Z.0 Z. Z. Z. Z. Z m in m ax TKUZ(ˉ⁴/K) m in m ax TKUZ(ˉ⁴/K) IZT(m A) IZT(m A) IZM (m A) Gehäus e DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- DO- IZM (m A) Gehäus e PD.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W.W PD Edition Juli 0

7 Zenerdioden Zenerdioden Watt Z-Arbeitsspannung in Volt Δ(V)Z Zenerspannungsänderung IZT(m A) Gemeinsame Grenzwerte PD: W RthJA: K/W TJ: ºC Toleranz : ±% inhärenter differentieller Widerstand Diese Werte gelten nur, wenn beide Anschlussdrähte in mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden. Z-Messstrom IZM (m A) Z-Maximalstrom IZSM(A) Stossdurchlassstrom nicht periodisch IZT(m A) Δ(V)Z NB NB NB NB NB. 0.. NB NB NB NB NB NB. 0.. NB NB 0.. NB 0.. NB NB NB NB 0.. NB 0... NB NB NB NB NB 0.. NB 0.. NB 0.. NB 0.. NB NB NB 0.. N0B 0. NB. 0. NB. 0 0 NB. 0. NB.. NB... NB NB.. NB NB. 0.. NB.. NB.. NB. NB Δ(V)Z IZM (m A) IZSM (A) IZT(m A) IZM (m A) IZSM (A) Edition Juli 0

8 Zenerdioden Zenerdioden. Watt Z-Arbeitsspannung in Volt inhärenter differentieller Widerstand IZT(m A) Gemeinsame Grenzwerte Gesamtverlustleistung:.W ohne Kühlkörper Gesamtverlustleistung:.W mit Kühlkörper (xxmm, Z-Messstrom senkrecht stehend) IZM (m A) Z-Maximalstrom RthJA: K/W (mit Kühlkörper) RthJC: K/W Sperrschichttemperatur: ºC Gehäuse: Metall mit M Schraubbolzen IZM+(m A) Z-Maximalstrom (mit Kühlkörper) RthJA Sperrschicht zu Umgebung RthJC Sperrschicht zu Gehäuse Be s t.nr. ZX,.. ZX,. ZX,. ZX, ZX, TKUZ(ˉ⁴/K) IZT(m A) IZM (m A) IZM +(m A) ZX, ZX, ZX,. 0 0 ZX,.. 0 ZX, ZX ZX.. 0 ZX ZX.. 0 ZX ZX.. 0 ZX.. ZX0.. 0 ZX ZX.. ZX 0 ZX ZX ZX ZX ZX 0 ZX 0 ZX. ZX ZX. ZX 0 0 ZX 00. ZX0 00. ZX 0. ZX ZX 0. ZX 0 ZX. ZX. ZX00. Be s t.nr. TKUZ(ˉ⁴/K) IZT(m A) IZM (m A) IZM +(m A) Edition Juli 0

9 Schutzdioden unidirektional (DC) UBR(V) Durchbruchspannung IR(m A) Sperrstrom in ma VCL Abklemm-Spannung Ipp(A) Stossstrom IR(µA) Sperrstrom in µa Sperrspannung Max. Belastung:.kW/ms Gehäuse: DO-0AE (Plastik) Schutzdioden (suppressor diodes) werden vor allem als Überspannungsschutz für verwendet. UBR(V IR(m A) Ipp(A) Nom IR(mA) ms.keva KEVA KEA.....KEA KEA.....KEA.....KE0A 0...KEA KEA.....KEA.....KEA......KEA.....KEA.....KEA KE0A 0..KE0A 0..KEA 0..KE0A 0..KE00A KE0A 0 0..KE0A 0..KE0A 0. Computer Schutzdiode unidirektional (DC) Für Mikroprozessoren, Integrierte Schaltungen, CMOS- und MOS Schaltkreise. N0 IR(m A) Ipp(A). Ipp(A) Ipp(A). 0 0 Schutzdioden bidirektional (AC) UBR(V IR(m A) Ipp(A) Nom IR(mA).KEVCA KECA.....KECA....KECA.....KECA....KECA....KECA KECA.....KECA KE0CA 0 0..KECA.KE00CA KE0CA 0..KE0CA 0. 0.KE0CA 0 0. Nom IR(mA) UBR(V IR(m A) ms ms Ipp(A) Edition Juli 0

10 URRM(V) Periodische Spitzensperrspannung ) = der höhere Stromwert ist nur zulässig bei Montage auf ein Kühlblech von 0 x 0 x mm URMS(V) Nenn-Anschlusswechselspannung Brückengleichrichter Best.Nr. BC0SI B0C0SI CSB BC0SI BC0LB BC0SI B0C0SI B00C0LB BC0SI DF0M SKB-0LA SKB-0LA BC00-00SI B0C00-00SI BC000-0SI B0C000-0SI KBUK DBW KBPC DBW DBT DB0DPH GBPCW-E- MBA MB0A KBPC00F URRM(V) URMS(V) Vef f IFAV(A) Druchlassstrom (Mittelwert) Stossdurchlassstrom (nicht periodisch) UF(V) Durchlassspannung IF(A) Durchlassstrom CL(µF) Maximaler Ladekondensator bei Rt Minimalwert des Serienwiderstandes (Innenwiderstand des Traf os einbezogen) Rt0 IFAV(A) ) R-Last C-Last UF(V) IF(A) /../.0.../.0./.0.0/.0.0/.0 0./../../.0./ CL(µF) Rt Gehäuse Beschrieb Rund Rund DIL Rund SIL Rund Rund SIL Rund DIL SIL SIL SIL SIL SIL SIL Nachf olger v on CSB Ty p SKB /0 LA Ty p SKB /0 LA Miniatur Ty p DBW oder KBPC Miniatur Schraub Ty p PB (DBW) Ty p GBPC oder DBT -Phasen Ty p DB-0 Schraub Schraub Schraub Rund CSB BxxxC0LB SKB/0xLA Edition Juli 0

11 Bipolare Transistoren BF BF BF BF BF00 BFR0 BFY0 BF BF BF BF BF BF BF BF BF BF BF BFG BFRA BF BFR0 BFT BF BF BF BF BF BF BF BF BFT BFR BFG BFR BFY0 N BF BFR BFRS BCA BCB BCC BCB BCC BCB BCC N BCA BCB BCC BCB BCC BCC BCA BCB BCA BCB BC0B BC0CG BF BF BF BF BF0 BF m m 0m 0m 0m m m m BCA BCB BCC BCB BCC BCA BCB BCA BCB BCB BCCG m - m t00 UHF GHz wideband transistor TO-() HF Anwendungen UHF-Bereich BF > > t0 > 0m m m m m 0m 0m m 0m m 0m 0m 0m 0m m 0 > m TO- m m m m m 0m 00m m 00m m -0 m m t00 t000 SOT- SOT- m m m 0m t000 t00 t00 t00 SOT- TO-() m m m m m m m m 0m 0m 0m 0m 0m 0m m 0m 0m TO-() HF Anwendungen bis 0MHz t t0 TO-() HF Anwendungen VHF-Bereich TO-() HF Anwendungen VHF-Bereich FM/VHF m m t t t t t0 t0 TO-() HF Anwendungen bis 0MHz TO-() HF Anwendungen bis 0MHz HF Anwendungen UHF-Bereich m TO-() HF Anwendungen bis 0MHz BF BF BF BF BF BF 0m -0 m t000 m m 00m 00m 0 0 > - - m m 0m 0m t0 t t000 t000 0m UHF UHF SOT- HF Anwendungen UHF-Bereich HF Anwendungen UHF-Bereich BFY0 TO-0 TO-() SOT- SOT- HF HF HF HF Anwendungen UHF-Bereich Anwendungen bis 0MHz Anwendungen UHF-Bereich Anwendungen UHF-Bereich BCC 0m 0 0 0m 0m 0m 0m 00m 0m 00m 0m 0m 0m 0m 00m 0m 00m m t0 BF 0 TO-() NTE NTE NTE NTE NTE ft(mhz) Gehäuse Beschrieb m 0 ) R0 BCC BCA BCB BCC BCB BCC TO-() BF BF m t TO- BCB BCC (BCB) m t TO-() m t TO-() m t m t TO-() m t TO-() BC0C TO- ft(mhz) Geh. Beschrieb TO-() TO-() SOT- CBE ECB Edition Juli 0

12 Bipolare Transistoren - Fortsetzung BCB BCA BCB BC0A BCA BCB BSS BF BF BF BF BF BF BF BF BF BD BCYA BCYB BCYC BCYD BCYA BCYB BCYC BCYD BCA BCA BCB BF N BC N BSY BCA BCB BF0 BF BCB BCC BCB BCYA BCYB BCYC BCYD BCYA BCYB BCYC BCA BCB N BC BC PNA BC- BC- BC- BC- BC- BC- BC- BC- BC- BC- N N N MPSA0 BSY MPSA MPSA MJE BUX MPSA MPSA MPSA MJE 0m 0m 0m 0m 00m m 00m m 0m 0m 00m 00m 00m 0m 00m 0m 00m 0 00m 0 0m 0m m 0m 0m 00m 00m 00m 00m 00m R0 R m 00m 00m 00m 00m ft(mhz) Gehäuse Beschrieb m t TO-() m t TO-() 0 > m TO-0 Video- und -Endstuf en > m t0 TO- > > 0m 0 TO-0 Video- und -Endstuf en 0m 0m m NTE NTE NTE m t TO- m t TO- 0m m t TO-() m > -00 m 0m 0m t00 t0 t00 TO- HF Anwendungen VHF-Bereich TO-() Darlington-Transistor f ür TO- HF Anwendungen VHF-Bereich 00m 00m 00m 00m > m TO-() 00m m 00m 00m 0 0 ) /- m 0 TO-() t0 0m t0 TO- T- ft(mhz) Geh. m TO- Epitaxial Silicon Transistor Beschrieb ) Die Angabe der DC-Stromverstärkung (hfe) nach dem Trennstrich ist gültig für den -Typ TO-() TO-() CBE EBC Edition Juli 0

13 Bipolare Transistoren - Fortsetzung NA N0A N0A PN0A N0A N0A N N N BC- BC- BC- NA NA NA NA BC- BC- BC- N BC BC N BC- BC- BC- BC- BC- BC BC BC BSR0 BSR BSR BSS0 BSS BSS BD BD BD BC BD BC- BC- BC- BC- BC- BC- N BC BC BSV- BSV- BSV- BC- BC- BC- BC- BC- BC- BC BC BC BSR BSR BSR BSS BSS BSS BD BD BD BD BSV- N N BSV- N N N N N N MPSA BSX- BSX- BSX- BSX- BSX- BSX- 0m 0m 0m 0m 0m m 00m 00m 0m 00m 0m 00m 0m 0m 00m 00m 0 0m R R R R R R 0m ft(mhz) Gehäuse Beschrieb m 00 TO- m 00 TO- m 0 m t 0m t0 m m 0m t0 00m m t t t 0m 0 m t m TO-() TO- NTE TO-() TO- TO- TO-() TO- TO-() TO-() VHF + UHF Bereich m 0m 000> 00m 000> 00m m > -0 TO- BC- TO-() TO-() Darlington-Transistor f ür TO- Darlington-Transistor f ür m 0 TO- Für m m 0 TO-() Darlington-Transistor f ür TO-0 Für -0-0 m TO m 0 TO- 0m t TO- 0m t TO NTE Darlington-Transistor f ür ft(mhz) Geh. Beschrieb NTE NTE NTE NTE NTE NTE Edition Juli 0

14 Bipolare Transistoren - Fortsetzung BD BD BD NSDUA N N BD BDA BDC BD BD BD N N BD BDA BDC BDB BUXA BUXA BUX BU0 BU0 BU0 BDA BDB BDC N BD BD BD N0 N N BD BD BD BD TIPLC BU0A BFX BSS N BUTA BU0A BU0A BU0D BDA BDB BDC BU BUA BUX BUX BU0 BU BUD TIP MJ0 BDA BDC BD BD BD N N N BD BD BD BD BSS BDA BDC BDX MJ00 MJ0 BDXB BU BUSA BU0A BU0D ft(mhz) Gehäuse Beschrieb m TO- Für 00m 0 TO- 00m TO-0 Für TO-0 Für > >... NTE > TO-0 Für NTE > 00m TO- Für. TO- Für. TO- - > 0 0 TO- TO- MJET > TO-0 Für NTE NTE NTE 0 > 0 00 > TO-0 TO- NTE MJ0 NTE NTE NTE ft(mhz) Geh. Beschrieb TO- SOT- E B - Kollektor am Gehäuse BCE NTE NTEA SOT- SOT- Edition Juli 0

15 Bipolare Transistoren - Fortsetzung hfe ft(mhz) (-...) MJET BDY0 BDXA BDXC BDXD BDA BDC TIP TIP MJ0 BDX N TIP TIP TIP TIP BUTA MJET ) R > TO-0 0 > SOT- Für 00 > SOT- 00 > TO- 0 0 TO- Für 0 00 > 00 > BDTB N N0 N MJ TIP BDB BDWD BUVA BUX BDWC BDWA BDWB BDWD BDX BDX BDXB BDXC N N BDVD N N N MJ0 BDA BDC N N N MJ N N N MJ0 BD0A BD0C TIPC N MJ ft(mhz) ECB BDXA BDXC BDXD BDA BDC TIP TIP MJ0 BCE BCE BDW BDW BDT BDWC BDWA EBC CBE BDXB BDXC BDXC MJE0 BUX N N N N TIP BDB BD ECB BDX BDXA BDTB BDXB TO-() TO-() Kollektor-Emitter Sperrspannung bei of f ener Basis Kollektorgleichstrom Gesamtv erlustleistung DC-Stromv erstärkung IC/IB Transitf requenz Angabe in Klammern nach dem Trennstrich ist gültig f ür den -Ty p TO- TO-0 TO-0 TO-() Gehäuse Beschrieb TO-0 Für TO- Für NTE 00 > 0. SOT- TO- TO-0 0 t TO-0 Für TO- Für SOT- Für TO-0 Für 0 > 0 0 > NTE NTE NTE NTE NTE NTE N > 0 0 > 0 0 > 00 0 TO-0 Für TO- Für SOT- TO-(). NTE0 NTE NTE0 SOT- TO- TO- Für SOT- Für 0. TO- Für TO- Für ft(mhz) Geh. Beschrieb NTE ) Basis über einen Widerstand mit Masse (-Typ) bzw. Pluspol (-Typ) verbunden. Edition Juli 0

16 Feldeffekt-Transistoren (JFET) UDS(V) IG(mA) ID(mA) IDSS(mA) -U(P)GS(V) gfs(ma/v) f(hz) RDSon(Ω) Ton(ns) Toff(ns) Drain-Source Spannung Gate-Vorwärtsstrom Drainstrom Gesamtv erlustleistung Sättigungs-Drainstrom (Gate kurzgeschlossen) Gate-Source Abschnürspannung (FET sperrt) Vorwärtssteilheit Frequenz Drain-Source Einschaltwiderstand Einschaltzeit Ausschaltzeit UDS(V) IG(m A) BCA BCB BCC BCD N N N N N N N UDS(V) U(P)GS(V) 0. > f(hz). > > k. > >.. k. k M Geh. Be s chrieb TO-() N-Kanal für HiFi-Verst. TO-() N-Kanal für HiFi-Verst. TO-() P-Kanal für HiFi-Verst. TO-() P-Kanal für HiFi-Verst. SOT- BF/A-C: für VHF- und UHF-Verstärker und allgemeine Schaltanwendungen BFA-C: für VHF- und UHF Applikationen BFW: sehr rauscharm bei niedriger Frequenz, gut geeignet für Differential-Verstärker J: für AM-Eingangsstufen und UHF/VHF-Verstärker BFW BFW BFW N BF BF BF BF BF BFA BFB BFC BFA BFB BFC J BFA BFB BFC BFA BFB BFC BFA BFB BFC UDS(V) ID(mA) Ptot(mW) N-Kanal P-Kanal N N N BS0 BS0 BS BSS BS BSS BSS UDS ID (V) (ma) Ptot (mw) UDS(V) f(hz) > k > k.. 00M. k 0. Geh. Bes chrie b TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für Verst. <0MHz TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für VHF + UHF SOT- N-Kanal Dual-Gate MOSFET VHF-Bereich SOT- N-Kanal Dual-Gate MOSFET UHF-Bereich 0.. k TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für VHF + UHF 0.. k BF N-Kanal Sperrschicht FET für VHF + UHF. k TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für VHF + UHF. > t k TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für VHF + UHF 0. t 00M TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für DC- + HF-Verst. 0. t 00M TO-() N-Kanal Sperrschicht FET für DC- + HF-Verst. UDS(V) 0 -U(P)GS(V) <. <. < U(P)GS (V) RDSon Ton (Ω) (ns) Toff (ns) Gehäus e Be schrieb TO- Sperrschicht FET füf Schaltanwendungen TO-() TO-() TO-() TO-() TO-() Vertikal D-MOSFET füf Schaltanwendungen Edition Juli 0

17 Power MOSFET Leistungs-MOSFETs für Schaltanwendungen mit integrierter Schutzdiode N-Kanal IRLZ IRL BUK-0A IRLZ IRL0 BUK-A BUK-0B P-Kanal UDS(V) IRF BUK-0B BUK-00B IRL IRLZ BUK-00A BUK-0B BUK-00B BUK-0B IRF IRF BUK-A BUK-A BUK-0A BUK-0A BUK-00A BUK-0A BUK-0A BUK-00B BUK-00B IRLZ IRL BUK-00B BUK-0B ID(A) RDSon(Ω) gfs(a/v) Tf(ns) Geh. TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 TO-0 SOT- TO-0 SOT- SOT- TO-0 SOT- TO-0 SOT- TO-0 TO-0 TO-0 SOT- TO-P Silizium Leistungs-MOSFETs für Verstärkeranwendungen mit integrierter Schutzdiode N-Kanal P-Kanal SK SJ UDS (V) ID (A) Ptot (mw) 0 Drain-Source Spannung Drainstrom Gesamtv erlustleistung n Serie-Widerstand Vorwärtssteilheit Abf allzeit Sättigungs-Drainstrom (Gate kurzgeschlossen) UDS(V) ID(A) RDSon(Ω) gfs(a/v) Tf(ns) IDSS(A) UDS(V) Gehäuse TO-P Sperrspannung Emitter-Basis Emitterstrom Gesamtv erlustleistung Höckerstrom Talstrom Innerbasiswiderstand Inneres Spannungsv erhältnis Spannung Gate-Katode Spannung Anode-Katode Of f set-spannung Talstrom- bzw Sperrstrom GateAnode UEB(V) IE(mA) PD(mW) IP(µA) Iv(mA) rbb(kω) n UGK(V) UAK(V) UT(V) IGA0(nA) Unijunction Transistoren gfs(a/v) Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el Logik-Lev el UJT-Transistoren oder Doppelbasisdioden werden vor allem als Triggerelemente für Thyristoren und Triacs eingesetzt. Sie können aber auch als Impulgeneratoren und als Zeitgeber verwendet werden. Best Nr UEB(V) IE(mA) N 0 N 0 N0 0 N 0 PD(mW) UEB sat(v) t. t. t. t. Ip(µA) Iv(mA) rbb(kω) n Gehäuse TO- TO- TO-() TO-() Programmierbare Unijunction Transistoren (PUT) Best Nr UGK(V) UAK(V) IE(mA) PD(mW) Ip(µA) UT(V) IV(mA) IGA0(nA) Gehäuse BRY +0 ± TO- () N + ± TO- () N + ± TO- () Edition Juli 0

18 SCS Silicon Controlled Switch dl/dtc dvd/dt IFRM(A) IGAT(µA) Kritische Stromsteilheit beim Umpolen Kritische Spannungssteilheit Periodischer Spitzen-Durchlassstrom Zündspannung Anodengate IGKT(µA) Zündspannung Kateodengate IGT(mA) IH(mA) ITAV(A) ITRMS(A) Mindestzündstrom (Quadrat I+ III- bzw I- III+) Haltestrom Dauergrenzstrom Höchster Durchlassstrom (ef f ektiv ) ITSM(A) Ptot(mW) UBO(V) UD UDRM(V) UGAT(V) UGT(V) UGKT(V) UR Stossstrom-Grenzwert f ür eine einzige Sinusschwingung ms (0Hz) Gesamtv erlustleistung Durchbruchspannung Spannung Anode-Katode Periodische Spitzensperrspannung in Vorwärtsrichtung Zündspannung Anode-Anodengate Mindestzündspannung Zündspannung Katode-Kateodengate Sperrspannung Thyristor-Tetrode Kann als extrem empfindlicher Thyristor, - (Schalt-) Transistorpaar (SCS), oder programmierbarer UJT-Transistor (PUT) verwendet werden. Bes t Nr BRY UD=UR 0 IT(m A) 0 ITSM (A) dlt/dt(a/us ) 0 UGKT(V) 0. IGKT(µA) -UGAT(V) -IGAT(µA) 0 Ge häuse TO-() DIAC Triggerelement für Thyristoren und Triacs Bes t Nr BR0-0 UBO(V) IFRM (A) Ptot(m W) ) Gre nzw e rte Bes t Nr X0NA X0NE S0NH S0NH S0NH SNH BTW-0R SNH SNH BTW-0R SNH UDRM (V) URRM (V) R0 R0 R0 R0 0 R0 R0 0 R0 ITAV(A) ITRM S(A) dvd/dt (V/us) ITSM (A) Kennw e rte IGT(m A) IH(m A) UGT(V) Gehäus e TO-() TO-0 TO-0 TO-0 TO- (M) TO-0 TO-0 TO- (M) TO-0 Edition Juli 0

19 Triacs UDRM(V) ITRMS(A) ITSM(A) dvd/dt(v/us) dl/dtc(a/ms) IH(mA) IGT(mA) Q-Q UGT(V) Best Nr Z0NA Z0MG Z0NE T0NH T0NH T0NJ TNH TNH TNH TNJ TNH TNJ TNJ TNK TNH TNK Periodische Spitzensperrspannung in Vorwärtsrichtung Höchster Durchlassstrom (ef f ektiv ) Stossstrom-Grenzwert f ür eine einzige Sinusschwingung ms (0Hz) Kritische Spannungssteilheit Kritische Stromsteilheit beim Umpolen Haltestrom Mindestzündstrom (Quadrat I+ III- bzw. I- III+) Mindestzündspannung UDRM(V) ITRMS(A) R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 R0 0. ITSM(A) dvd/dt (V/us) dl/dtc (A/ms) IH(mA) Q IGT(mA) Q Q Q UGT(V) Gehäuse TO- TO- TO-0 TO-0 TO-0 (HC) TO-0 isoliert TO-0 TO-0 TO-0 (HC) TO-0 isoliert TO-0 TO-0 isoliert TO-0 (HC isoliert) RD- isoliert TO-0 RD- isoliert Edition Juli 0