Schäden an Bypassdioden in PV-Modulen durch induzierte Spannungen und Ströme, die durch nahe gelegene Blitzströme verursacht werden

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1 chäden an Bypassdioden in PV-Modulen durch induzierte pannungen und tröme, die durch nahe gelegene Blitzströme verursacht werden Heinrich Häberlin und Martin Kämpfer Berner Fachhochschule (BFH), Technik und Informatik, Labor für Photovoltaik Jlcoweg 1, CH-34 Burgdorf / CHWEIZ Tel: , Fax: heinrich.haeberlin@bfh.ch Internet: Einführung Am PV-Labor der BFH wurden zunächst im Laufe mehrerer emester- und Diplomarbeiten und auch im Rahmen eines EU-Projektes (JOR3CT98217, Partner: FhG/IE, HTA Burgdorf, KEMA) die chäden untersucht, die von in der Nähe von olarmodulen fliessenden Blitzströmen verursacht werden [1]. Dazu wurde ein im Hochspannungslabor entwickelter tossstromgenerator verwendet, der tossströme mit i max 1kA, (di/dt) max 4 bis 5kA/μs und einer Ladung Q 1,2 As erzeugen konnte. Es konnte durch Messungen an mehreren verschiedenen Modulen und verdrahteten olargeneratoren klar belegt werden, dass bei gerahmten Modulen die induzierten pannungen sowohl in einzelnen Modulen als auch in verdrahteten olargeneratoren um einen Rahmenreduktionsfaktor R R reduziert werden können [1]. Eine noch stärkere Reduktion der induzierten pannungen haben Folien auf der Modulrückseite zur Folge. Ebenso konnte gezeigt werden, dass bei vielen Modulen die Bypassdioden bei Blitzschlägen ein klarer chwachpunkt sind. ie können durch nahe gelegene Blitzströme zerstört werden, denn es können leicht pannungen auftreten, die viel grösser als die zulässige perrspannung der verwendeten Bypassdioden sind. Entgegen früheren Annahmen, dass ein Überschreiten der zulässigen perrspannung relativ rasch zu einer Zerstörung der Bypassdioden führt, wurde im Rahmen eines Messauftrags für eine neuartige Bypassdiodenschaltung festgestellt, dass die ituation dank der Fähigkeit der Bypassdioden, vor einem Durchbruch eine gewisse Avalanche-Energie auszuhalten, nicht ganz so schlimm ist wie zunächst angenommen [2]. Deshalb wurde dieses Problem sowohl theoretisch [3] als auch praktisch näher untersucht [3], [4]. Genauere Analyse des Problems Beim Blitzschutz von PV-Anlagen ist es zweckmässig, einen Blitzstrom i mit einer geeigneten Fangeinrichtung aufzufangen, ihn in mehrere Teilblitzströme aufzuteilen, die nur einen Teilblitzstrom i A = k C i (k C 1) führen und die gefährdete Installation (z.b. den PV-Generator) im chutzbereich dieser Fangeinrichtung in einer genügenden Distanz d von den Teilblitzstrom führenden Leitern zu platzieren. Üblicherweise liegt d etwa zwischen,3 m und 3 m oder mehr. Meist ist dann in erster Näherung für die induzierten pannungen und tröme nur der Teilblitzstrom 1

2 i A = k C i massgebend, welcher der kritischen chleife am nächsten liegt, so dass primär dieser Fall untersucht werden muss (siehe Bild 1). i A d l b A Bild 1: i u μ M = l b+d ln 2π d ( μ =,4π μh /m ) Für b<<d: μ b l μ A M = 2πd 2πd di A u = M dt Berechnung der Gegeninduktivität M zwischen einer chleife (z.b. einer Bypassdiodenschleife in einem Modul) und einem Teilblitzstrom i A = k C i (i = gesamter Blitzstrom gemäss Blitzschutznormen, k C 1). Wenn das Modul einen Metallrahmen hat, ist der effektive Wert von M um den Rahmenreduktionsfaktor R R geringer [1], [3]. d Je nach der gegenseitigen Lage und Orientierung von Blitzstrom führender Ableitung und modulinterner chleife treten zwei verschiedene Fälle auf, die sich bezüglich der Polarität der in der Front des Blitzstroms induzierten pannung unterscheiden. Im einen Fall werden die Bypassdiode und die olarzellendioden in perrrichtung (Bild 2), im andern in Durchlassrichtung beansprucht (Bild 3). Bypassdiode in perrrichtung beansprucht d i A l + i D U D b Bild 2: Bypassdiode und olarzellendioden werden in der Front des Blitzstroms in perrrichtung beansprucht. Beim Überschreiten der relativ hohen Durchbruchsspannung können sie bei nicht allzu hohen trömen ohne chaden ganz kurze Zeit im Durchbruchs-(Avalanche-) Bereich arbeiten. Wegen der hohen Gegenspannung nimmt der trom rasch ab. E i B _ n Z Zellen in erie in chleife Bypassdiode in Durchlassrichtung beansprucht d i A l i D U D _ + b E i B n Z Zellen in erie in chleife Bild 3: Bypassdiode und olarzellendioden werden in der Front des Blitzstroms in Durchlassrichtung beansprucht. An olarzellen und Bypassdiode tritt nur ein relativ kleiner pannungsabfall auf. Beim Überschreiten des zulässigen Grenzstroms wird die Bypassdiode zerstört. Wegen der kleinen Gegenspannung nimmt der trom langsamer ab. In perrrichtung stellen die olarzellen eine Parallelschaltung einer Kapazität (bis zu einigen μf bei V, mit zunehmender perrspannung rasch zurückgehend) und einer Diode mit einer Durchbruchspannung von etwa 1 V 3 V dar. chottky Dioden haben in der Regel eine Durchbruchsspannung vom etwa 1,5 bis 2-fachen ihrer Nenn- perrspannung. Oft ist auch noch eine Angabe einer Avalanche-Energie im Bereich von 1 mj bis 1 mj vorhanden. Da eine Bypassdiodenschleife meist aus olar- 2

3 zellen in erie besteht, ist in diesem Fall eine induzierte pannung von bis zu einigen hundert Volt zulässig, bevor hohe induzierte tröme entstehen, welche die Bypassdiode (und bei allzu hohen Werten sogar die olarzellen) zerstören können. In Vorwärtsrichtung leiten sowohl die olarzellen als auch die Bypassdioden und haben einen Vorwärtsspannungsabfall von etwa 1 V. Deshalb fliesst ein nennenswerter Vorwärtsstrom, der einen Maximalwert von gegen (M/L ) i A erreichen kann (M = Gegeninduktivität zwischen (Teil-)Blitzstrom i A und Bypassdiodenschleife, L = Induktivität der Bypassdiodenschleife). Dieser trom kann leicht einige 1 A und mehr erreichen, die Bypassdioden zerstören und die olarzellen beschädigen, wenn er zu hoch ist. In den Datenblättern hat es meist Angaben für einen pitzenstrom I FM für inushalbwellen (8.3 ms oder 1 ms) von einigen 1 A, und es kann angenommen werden, dass die Diode mindestens einen pitzenstrom mit diesen Werten aushalten kann. Wenn das Modul einen Metallrahmen hat, reduziert sich der effektive Wert von M und deshalb die induzierte pannung um einen Rahmenreduktionsfaktor R R, der typischerweise zwischen etwa 2.5 und 6 liegt [1], [3]. Berechnung der induzierten pannung und des Kurzschlussstromes in Modulschleifen Die von einem Teilblitzstrom i A = k C i in einer chleife induzierte pannung beträgt: di di di Vom Teilblitzstrom i A induzierte pannung: u = M A = M kc M i dt dt = (1) dt Dabei kann M i = M k C als effektive Gegeninduktivität zwischen dem vollen Blitzstrom und der betrachteten chleife bezeichnet werden. Die Gegeninduktivität bei chleifen, die den Teilblitzstrom nicht enthalten, berechnet sich wie in Bild 1 angegeben: b + d Gegeninduktivität bei von Ableitung getrennter chleife: M =,2 l ln (2) d Dabei ist M die Gegeninduktivität in μh, wenn alle Längenangaben (l, b, d) in m angegeben werden. Wenn das betrachtete Modul einen Rahmen hat, reduziert sich die induzierte pannung und damit die effektive Gegeninduktivität M i. Für Bypassdiodenschleifen in Modulen beträgt die effektive Gegeninduktivität somit [3]: kc M Effektive Gegeninduktivität in Bypassdiodenschleifen: M i = (3) RR Dabei ist R R der Rahmen-Reduktionsfaktor: 2,5 6 für gerahmte, 1 für andere Module. Um den induzierten trom zu berechnen, wird auch die elbstinduktivität der Bypassdiodenschleife benötigt. Die Induktivität von Bypassdiodenschleifen in normalen kristallinen Modulen berechnet sich näherungsweise (L in μh, l und b in m, Details in [3]): Bypassdioden-chleifeninduktivität L 1,2 ( l + 2 b) +,5 (4) Typische Werte für die chleifeninduktivität liegen etwa im Bereich 1 μh bis 3 μh. 3

4 Damit kann der resultierende Kurzschlussstrom i o in einer verlustlosen Leiterschleife (chleifenwiderstand R = ) berechnet werden: Induzierter K-trom in chleife mit R = : i o = M L R R i A M = L R R k C M i = L Modelle für die Abschätzung von induzierten pannungen und trömen in Bypassdiodenschleifen Mit zwei separaten linearisierten Ersatzschaltbildern für die perrrichtung (Bild 4) und die Durchlassrichtung (Bild 5) und der Laplace-Transformation kann eine grobe Abschätzung für auftretenden tröme, pannungen und Energien gemacht werden. Die verwendete Methode wird in [3] noch ausführlicher behandelt. Die prinzipielle Korrektheit dieser Modelle und Berechnungen konnte auch in Versuchen mit unserem tossstromgenerator im Hochspannungslabor der BFH gezeigt werden. Bypassdiode und olarzellen im Durchbruchs- (Avalanche-)Betrieb i i (5) R L n Z olarzellen i BR u = M di A /dt = M i di/dt Bypass- Diode R L n Z R ZA i BR u = M di A /dt = M i di/dt nz U ZA U BA R BA U A = n Z U ZA + U BA Bild 4: Ersatzschaltung zur Berechnung der auftretenden Bypassdiodenströme i D = i BR bei Beanspruchung der Bypassdioden in perrrichtung gemäss Bild 2 (links Originalschaltung, rechts linearisierte Form für Betrieb im Durchbruchsbereich). Bypassdiode und olarzellen im Durchlassbetrieb R L n Z olarzellen i BF u = M di A /dt = M i di/dt Bypass- Diode R L n Z R ZF i BF n Z U ZF u = M di A /dt = M i di/dt U BF R BF U F = n Z U ZF + U BF Bild 5: Ersatzschaltung zur Berechnung der auftretenden Bypassdiodenströme i D = i BF bei Beanspruchung der Bypassdioden in Durchlassrichtung gemäss Bild 3 (links Originalschaltung, rechts linearisierte Form). Für einen Blitzstrom ist folgende mathematische Näherung zweckmässig: t t i(t) = ( 1 2 I e e ) σ >> ) (6) ( 2 σ1 Mit Hilfe der Laplace-Transformation erhält man (Details siehe [3]): i D 1 t 2 t 3 M i I σ1 e σ 2 e σ 3 ( σ1 2) e ( t) = + + L ( σ1 3) ( σ 3 2) ( σ1 3)( σ 2 3) t U tot t 3 ( 1 e L σ wobei i D (t) = Diodenstrom allgemein (i BR oder i BF je nach dem betrachteten Fall) 3 ) (7) und U tot = U A oder U F (je nach dem betrachteten Fall) und σ 3 = R tot / L (R tot = umme aller Widerstände in der Bypassdiodenschleife mit der Induktivität L ). 4

5 Als Beispiel wird eine Bypassdiodenschleife mit n Z = 18 olarzellen und einer chleifeninduktivität L = 2 μh untersucht. Für den Betrieb im Durchbruchsbereich wird für jede olarzellendiode eine Durchbruchsspannung U ZA = 2 V und ein Widerstand R ZA = 5 mω, für die Bypassdiode dagegen eine Durchbruchsspannung U BA = 7 V und ein Widerstand R ZA = 5 mω angenommen. Damit ergibt sich U tot = U A = 43 V und R tot = 14 mω. Bild 6 und 7 zeigen die damit mit (7) berechneten Bypassdioden-Rückströme i BR, die sich bei einer Überbeanspruchung der Bypassdiode in perrrichtung in der Front eines Blitzstroms für typische Werte von M i von 1 nh, 2 nh, 4 nh und 8 nh ergeben. i in ka i in ka Erstblitz 1/35 μs mit i max = 1 ka: Bypassdioden-perrstrom i BR Bild 6: i (Blitzstrom) L = 2 μh U A = 43 V i BR bei M i = 8 nh (Q = 1,6 mas, W = 1,27 J).8 3 i BR bei M i = 4 nh (Q = 1 mas, W = 8 mj).6 2 i BR bei M i = 2 nh (Q = μas, W = mj).4 1 i BR bei M i = 1 nh (Q = μas, W = mj) Zeit t in μs Negativer Folgeblitz,25/1 μs mit i max = 25 ka: Bypassdioden-perrstrom i BR Bild 7: 25 i (Blitzstrom) L = 2 μh 1 U A = 43 V i BR bei M i = 8 nh (Q = 1,7 mas, W = 166 mj) i BR bei M i = 4 nh (Q = 414 μas), W = 34 mj) i BR bei M i = 2 nh (Q = 8 μas, W = 5,9 mj) i BR bei M i = 1 nh (Q = 8 μas, W =,6 mj) Zeit t in μs Bypassdiodenstrom i BR in ka Bypassdiodenstrom i BR in ka In einer Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen mit U ZA = 2 V und einer chottky-bypassdiode mit U BA = 7 V bei verschiedenen typischen Werten der effektiven Gegeninduktivität M i auftretende Bypassdiodenströme i BR beim Betrieb im Durchbruchsbereich bei einem Erstblitz mit einem i max = 1 ka. Bei kleinen M i wird i BR. In einer Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen mit U ZA = 2 V und einer chottky-bypassdiode mit U BA = 7 V bei verschiedenen typischen Werten der effektiven Gegeninduktivität M i auftretende Bypassdiodenströme i BR beim Betrieb im Durchbruchsbereich bei einem negativen Folgeblitz mit i max = 25 ka. Wird im gleichen Beispiel die Beanspruchung in Durchlassrichtung untersucht, resultieren für U tot und R tot wesentlich kleinere Werte. Für die olarzellendioden können U ZF =,95 V und R ZA = 4 mω, für die Bypassdiode U BF =,9 V und R BF = 3 mω angenommen werden, womit sich ein U tot = U F = 18 V und ein R tot = 75 mω ergibt. Bild 8 und Bild 9 zeigen die mit diesen Werten berechneten Bypassdioden-Vorwärtsströme i BF, die sich in der Front eines Blitzstroms für typische Werte von M i von 1 nh, 2 nh, 4 nh und 8 nh ergeben. 5

6 i in ka Erstblitz 1/35 μs mit i max = 1kA: Bypassdioden- Durchlassstrom Bild 8: i (Blitzstrom) i BF bei M i = 8 nh (Q = 8 mas, W =,52 J) i BF bei M i = 4 nh (Q = 36 mas, W =,13 J) 2 i BF bei M i = 2 nh (Q = 15 mas, W = 33 mj) 1.6 i BF bei M i = 1 nh (Q = 5,2 mas, W = 7,9 mj) 1.2 L = 2 μh.8 U F = 18 V Zeit t in μs Negativer Folgeblitz,25/1 μs mit i max = 25 ka: Bypassdioden-Durchlassstrom Bild 9: i in ka i (Blitzstrom) L = 2 μh U F = 18 V i BF bei M i = 8 nh (Q = 13 mas, W = 35 mj) i BF bei M i = 4 nh (Q = 5,2 mas, W = 9,4 mj) i BF bei M i = 2 nh (Q = 1,9 mas, W = 2,5 mj) i BF bei M i = 1 nh (Q =,6 mas, W =,6 mj) Zeit t in μs Bypassdiodenstrom i BF in ka Bypassdiodenstrom i BF in ka In einer Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen mit U ZF =,95 V und einer chottky-bypassdiode mit U BF =,9 V bei verschiedenen typischen Werten der effektiven Gegeninduktivität M i auftretende Bypassdiodenströme i BF beim Betrieb im Durchlassbereich bei einem Erstblitz mit i max = 1 ka. In einer Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen mit U ZF =,95 V und einer chottky-bypassdiode mit U BF =,9 V bei verschiedenen typischen Werten der effektiven Gegeninduktivität M i auftretende Bypassdiodenströme i BF beim Betrieb im Durchlassbereich bei einem negativen Folgeblitz mit einem i max = 25 ka. Praktische Messungen im Hochspannungslabor Für die praktischen Versuche im Hochspannungslabor der BFH wurde der bestehende und für die ersten Versuche in [3] und [4] verwendete tossstromgenerator so umgebaut, dass auch tossströme mit annähernd Normkurvenform 1/35μs erzeugt werden können. Die damit im Labor erzeugbaren tossströme haben aber prinzipbedingt kurz nach dem Erreichen des Maximalwerts einen kleinen Bereich, in dem sie eine negative Rückensteilheit von (betragsmässig) noch etwa 7% der maximalen teilheit in der Front des tossstroms aufweisen, so dass kurzzeitig eine gegenüber einem Normstoss etwas zu hohe negative induzierte pannung entsteht, was immer noch eine gewisse Verfälschung der Messergebnisse zur Folge hat, denn die Bypassdiode und die olarzellendioden erfahren so kurz nach der Hauptbeanspruchung noch eine (allerdings deutlich mildere) Beanspruchung in der Gegenrichtung. Mit diesem tossstromgenerator wurden einige Messungen mit einem rahmenlosen Modul KC6 in Parallelposition durchgeführt (wie in Bild 1, Länge der Bypassdiodenschleife l 71 cm, Breite der Bypassdiodenschleife b 15,5 cm). 6

7 Die Bilder 1 und 11 zeigen zwei Tests, bei denen die olarzellen und die Bypassdiode (eine 8Q45, U RRM = 45 V) in perrrichtung beansprucht wurden und dabei kurzzeitig in den Durchbruchs-(Avalanche-)Betrieb gerieten. In der Front des Blitzstroms ist der trom dank der pannungsabfälle an den im Avalanche-Betrieb arbeitenden Dioden trotz der hohen induzierten pannung noch relativ klein. In Bild 1 überlebte die Diode gerade noch, in Bild 11 wurde sie dagegen zerstört. In diesem Fall überlebt die Diode gerade noch! In diesem Fall wird die Diode zerstört! Bild 1: Bypassdioden-(Avalanche-)Rückstrom i BR in Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen in einem Modul KC6 in Parallelposition (wie in Bild 2, Details siehe [3]) bei d 1 = 15 cm (M i 1 nh, L 1,5 μh inkl. Zuleitung zum Messshunt) von einem Blitzstrom (grün, in ka statt A!) mit i max 46 ka und di/dt max 8 ka /μs. Im Avalanchebetrieb wird die pannung (rot) während 7 μs auf 9 V begrenzt, der pitzenwert des perrstroms (violett) ist 16A. Im Rücken des Blitzstroms werden Bypassdiode und olarzellendioden auch noch etwas in Vorwärtsrichtung beansprucht und es fliesst ein gewisser Durchlassstrom. Bild 11: Bypassdioden-(Avalanche-) Rückstrom i BR in Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen in einem Modul KC6 in Parallelposition (wie in Bild 2, Details siehe [3]) bei d 1 = 15 cm (M i 1 nh, L 1,5 μh inkl. Zuleitung zum Messshunt) von einem Blitzstrom (grün, in ka statt A!) mit i max 54 ka und di/dt max 9,2 ka /μs. In diesem Fall fällt die Diode nach etwa 1,5μs aus. Die pannung über ihr (rot) fällt von zunächst 1V immer mehr zusammen und der pitzenwert des perrstroms (violett) steigt auf etwa 35A. Im Rücken des Blitzstroms werden Bypassdiode und olarzellendioden auch noch etwas in Vorwärtsrichtung beansprucht (wie in Bild 1). Wird berücksichtigt, dass die beim Test verwendete trom-anfangssteilheit di/dt knapp die Hälfte der Anfangssteilheit von Bild 6 beträgt, dass hier somit für die gleiche induzierte pannung gut der doppelte Wert von M i notwendig ist, stimmt der in der Front des Blitzstroms in der Bypassdiodenschleife (totale chleifeninduktivität 7

8 L 1,5 μh) gemessene trom recht gut mit der für M i = 4 nh in Bild 6 gezeigten tromkurvenform überein. Die Bilder 12 und 13 zeigen zwei Tests, bei denen die olarzellen und die Bypassdiode in Durchlassrichtung beansprucht wurden. In der Front des Blitzstroms werden die Diodenströme wegen der geringen pannungsabfälle an den Dioden nun viel grösser. In Bild 12 überlebte die Diode gerade noch, in Bild 13 wurde sie dagegen zerstört. Die Kurvenform des in der Bypassdiodenschleife gemessenen tromes stimmt relativ gut mit den berechneten tromkurvenformen überein (siehe Bild 8). In diesem Fall überlebt die Diode gerade noch! In diesem Fall wird die Diode zerstört! Bild 12: Bypassdioden-Vorwärtsstrom i BF in Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen in einem Modul KC6 in Parallelposition (wie in Bild 3), bei d 1 = 15 cm (M i 1 nh, L 1,5 μh inkl. Zuleitung zum Messshunt) von einem Blitzstrom (grün, in ka statt A!) mit i max 46 ka und di/dt max 8 ka /μs. Verwendete Bypassdiode: 8Q45 (U RRM = 45 V). Im Vorwärtsbetrieb entsteht eine Restspannung (rot, vermutlich wegen des hohen di/dt eingestreut) von max. etwa 3V. Der trom (violett), der eine ähnliche Form wie in Bild 8 hat, erreicht einen pitzenwert von etwa 2,3 ka. Im Rücken des Blitzstroms werden Bypassdiode und olarzellendioden auch noch etwas in perrrichtung beansprucht. Bild 13: Bypassdioden-Vorwärtsstrom i BF in Modulschleife mit n Z = 18 olarzellen in einem Modul KC6 in Parallelposition (wie in Bild 3) bei d 1 = 15 cm (M i 1 nh, L 1,5 μh inkl. Zuleitung zum Messshunt) von einem Blitzstrom (grün, in ka statt A!) mit i max 5 ka und di/dt max 8,6 ka /μs. Verwendete Bypassdiode: 8Q45 (U RRM = 45 V). Im Vorwärtsbetrieb entsteht wieder eine Restspannung (rot). Der trom (violett) erreicht bereits einen pitzenwert von etwa 2,5 ka. Die zerstörte Bypassdiode ( Kurzschluss) hat im Rücken des Blitzstroms keine perrfähigkeit mehr, die wegen des leicht negativen di/dt induzierte Restspannung wird kurzgeschlossen. 8

9 chlussbemerkungen Mit der dargestellten Methode ist es erstmals möglich, eine grobe Abschätzung für die elektrische Beanspruchung von Bypassdioden in olarmodulen zu erhalten, die dem magnetischen Feld von in der Nähe fliessenden Blitzströmen ausgesetzt sind. Auf Grund dieser ersten Untersuchungen ist zu vermuten, dass für Werte der effektiven Gegeninduktivität M i 2 nh bei Beanspruchungen gemäss Blitzschutzklasse III und IV in der Regel keine chäden auftreten dürften [3], [4]. Es ist geplant, diese Versuche im kommenden Jahr mit verschiedenen anderen Diodentypen und an einigen Modulen mit der heute üblichen Modul-tandardgrössen im Bereich 16 cm 8 cm bis etwa 2 cm 1 cm fortzusetzen, sofern solche Module von interessierten Herstellern zur Verfügung gestellt werden. Verdankungen Die dargestellten Arbeiten wurden im Rahmen der BFE-Projekte "Photovoltaik- ystemtechnik 25 bis 26" und "Photovoltaik-ystemtechnik 27 bis 21" durchgeführt. Diese Projekte wurden ausser vom Bundesamt für Energie auch von der Gesellschaft Mont oleil, der Localnet AG, Burgdorf und der Elektra Baselland unterstützt. All diesen Institutionen gebührt Dank für ihren wertvollen Beitrag. Literatur [1] H. Häberlin, R. Fischer und R. Minkner: "Von simulierten Blitzströmen in olarmodulen und olargeneratoren induzierte pannungen". 16. ymposium PV-olarenergie, taffelstein, 21. [2] H. chmidt, B. Burger und H. Häberlin: "Überspannungsfestigkeit von Bypassdioden Ergebnisse einer vergleichenden Untersuchung". 22. ymposium PV-olarenergie, taffelstein, 27. [3] H. Häberlin: "Photovoltaik trom aus onnenlicht für Verbundnetz und Inselanlagen". AZ Fachverlage AG, CH-51 Aarau, 27, IBN und VDE-Verlag, Berlin, 27, IBN [4] H. Häberlin: "Damages at Bypass Diodes by Induced Voltages and Currents in PV Modules Caused by Nearby Lightning Currents". 22. EU PV Conf., Milano, 27. Informationen über weitere Aktivitäten des Photovoltaik-Labors der BFH in Burgdorf und viele weitere Publikationen (teilweise online) sind unter zu finden. An English paper about this topic is available under [4] (consult 9

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