GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P

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1 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit Spectral match with silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Available on tape and reel (in Ammopack) Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) Available in bins Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und Videogeräten, Lichtdimmern Remote control Gerätefernsteuerung Sensor technology Sensorik Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] 5 ( 3.15) Q6273Q516 Note: 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/ ), anode marking: short lead Anm:: 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/ ), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Forward current I F ma Durchlassstrom Surge current I FSM 2.5 A Stoßstrom (t p μs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung 1) page 12 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 P tot 2 mw R thja 375 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = ma, t p = 2 ms) λ peak 88 nm Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Distance chip front to case surface Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Rise and fall times of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = ma, R L = 5 Ω) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz) Forward voltage Durchlassspannung (I F = ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = μs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = ma, t p = 2 ms) Δλ 8 nm ϕ ± 4 A.9 mm 2 L x W.3 x.3 mm x mm H mm t r / t f 6 / 5 ns C 15 pf V F 1.5 ( 1.8) V V F 3 ( 3.8) V I R.1 ( 1) µa Φ e 25 mw

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung TC I -.5 % / K TC V -2 mv / K TC λ.25 nm / K Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = ma, t p = 2 ms I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = μs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] Note: Anm.: Only one group in one packing unit (variation lower than the above group). Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner als der oben angegebene Bereich)

5 Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C Ι rel % 8 OHR877 Radiant Intensity Strahlstärke I e / I e ( ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C 2 Ι e Ι e (ma) 1 OHR nm λ ma 4 Ι F

6 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C 125 OHR88 1 OHR881 Ι F ma A Ι F C T V 8 V F

7 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter Ι F 4 ma DC D = OHR886 t p t p D = T Ι F T s 2 t p Forward Current vs. Lead Length between the package bottom and the PCB Flussstrom gg. Beinchenlänge zwischen Gehäuseunterseite und PCB I F = f(l), T A = 25 C Ι F 12 ma OHR mm

8 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHR ϕ Package Outline Maßzeichnung 5. (.197) 4.2 (.165) 3.85 (.152) 5.9 (.232).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.) spacing Area not flat.8 (.31).4 (.16) 3.35 (.132) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) Cathode 5.5 (.217) 1.8 (.71) 1. (.39).6 (.24) 1.2 (.47) 29 (1.142) 27 (1.63).5 (.2) Chip position.4 (.16) GEXY636 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

9 Package 5mm Radial (T 1 ¾), solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / "), anode marking: short lead, Epoxy, violet-coloured, clear resin, plane Gehäuse 5mm Radial (T 1 ¾), Anschlüsse im 2.54 mm-raster ( 1 / "), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluss, Harz, violett, klarer Verguss, plan Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

10 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC TTW / IEC TTW T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t

11 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

12 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, lead length between package bottom and PC-board max. mm Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, freie Beinchenlänge max. mm

13 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

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