OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750"

Transkript

1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm 2 max. DC-current 1 A max. Gleichstrom 1 A Low thermal resistance (3 K/W) niedriger Wärmewiderstand (3 K/W) ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras Surveillance systems Überwachungssysteme IR data transmission IR Datenübertragung Intelligent transportation systems Verkehrsüberwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Not released for automotive applications Nicht für Anwendungen im Automobilbereich Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F =1 A, t p =2 ms I e [mw/sr] SFH 47 ( 63) Q61A828 Note: Anm:: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T B = 2 C (Base plate temperature)) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T j 14 C Sperrschichttemperatur Reverse voltage V R. V Sperrspannung Forward current I F ma Vorwärtsgleichstrom Surge current Stoßstrom (t p μs, D = ) I FSM A Power consumption Leistungsaufnahme Thermal power-dissipation Thermische Verlustleistung Thermal resistance junction - base plate Wärmewiderstand Sperrschicht - Bodenplatte P tot 12 W P th 9.8 W R thjb 3 K / W

3 Characteristics (T B = 2 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) λ peak 86 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 1 A, t p = ms) Spectral bandwidth at % of I max Spektrale Bandbreite bei % von I max (I F = 1 A, t p = ms) λ centroid 8 nm Δλ 3 nm Half angle ϕ ± 7 Halbwinkel 1) page 9 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche 1) Seite 9 L x W 2.1 x 3.2 mm x mm Rise and fall time of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 1 A, R L = Ω) t r, t f ns Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = µs) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F =1 A, t p =2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) V F 9. ( 12) V Φ e 3. W TC I -.3 % / K TC V -6. mv / K TC λ.3 nm / K

4 Grouping (T B = 2 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke I F =1 A, t p =2 ms I F =1 A, t p =2 ms I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] SFH 47 -EA 63 SFH 47 -EB 8 12 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 1.6:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1). Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T B = 2 C I rel % 8 6 OHF4132 Relative Total Radiant Flux Relativer Gesamtstrahlungsfluss Φ e /Φ e (1A) = f (I F ), T B = 2 C, single pulse, t p = µs 1 Φ e Φ e (1 A) OHF nm λ A I F

5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f (T B ), R thjb = 3 K/W 1.2 A I F 1. OHF4168 Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T B = 2 C 1 A I F OHF C 12 TB V 1 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T B = 8 C, duty cycle D = parameter. A I F t P D t P = T T D = OHF4167 I F s t p

6 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHF418 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

7 Contacting Anschlusskontaktierung Wire Type Diameter Solder Tip Temperature Solder Time Drahttyp Durchmesser Lötspitze Temperatur Lötzeit AWG 18 AWG 18 AWG 2 AWG 2 AWG 22 AWG 22 ~.8mm (Litze; ~.8mm (Litze; ~.mm (Litze; ~.mm (Litze; ~.3mm (Litze; ~.3mm (Litze; 2 C 16 s 3 C 6 s 2 C 14 s 3 C s 2 C 9 s 3 C 3 s Package Gehäuse OSRAM OSTAR Lighting OSRAM OSTAR Lighting

8 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

9 Glossary 1) Dimensions of active chip area: The active chip area consists of single chips with 1 x 1 mm 2 each. Glossar 1) Abmessungen der aktiven Chipfläche: Die aktive Chipfläche besteht aus einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm

10 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93 Regensburg All Rights Reserved

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 473, 473 473 Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung 3 W optische Leistung Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 3.6 W optische Leistung Wesentliche

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 21-12-1 OSRAM OSTAR Observation (8nm) Version 1. SFH 474 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I F =1A 4.3

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 214-11-1 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4554 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 86nm Wellenlänge 86nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 27-12-7 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4, SFH 41 SFH 4 SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Cathode is electrically connected to the case Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically

Mehr

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1. 212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 73... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 31 SFH 31 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45 nm... 11 nm (SFH 31), 74 nm... 11 nm (SFH 31

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N 213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341 214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4341 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550 214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH 27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209 Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 2013-04-29 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4851 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250 213-12-16 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 425 Features: Besondere Merkmale: High forward current allowed at high temperature Hohe

Mehr

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten 2014-05-20 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043 212-12-18 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (94 nm) CHIPLED (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 443 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P 29-8-21 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL PL9_ Besondere Merkmale Kostengünstiges Plastikgehäuse

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 49 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056 212-1-11 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 456 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845 215-1-8 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit 213-9-2 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4253 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher

Mehr

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S 215-4-21 OSLON Black Series (85 nm) - 9 Version 1.3 Features: IR lightsource with high efficiency Double Stack emitter Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 85 nm ESD safe up to 2 kv

Mehr

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) 214-1-9 OSLON Black Series (94 nm) Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 4 nm to 1 nm Speziell

Mehr

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P 214-12-4 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. Features: Wavelength 85nm Short switching times Available on tape and reel (in Ammopack) Good spectral match to silicon photodetectors

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production 2006-06-12 SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED full production Applications Signal lamp for front panel installation using clip mounting and a

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3

Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3 2014-10-30 Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Reliable strained InGaAs/GaAs material Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 215-9-1 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052 213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650 214-1-31 Narrow beam LED in MIDLED package (85 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (85 nm) Version 1.2 SFH 465 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (6 mw) Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA 215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.

Mehr

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active

Mehr

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform

Mehr