Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power

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1 Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 473, Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung 3 W optische Leistung Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 3.6 W optische Leistung Wesentliche Merkmale Aktive Chipfläche.1 x.4 mm max. Gleichstrom 1 A niedriger Wärmewiderstand (.8 K/W) Emissionswellenlänge 8 nm ESD-sicher bis kv nach JESD-A114-B Augensicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 68-1 und 6471 müssen beachtet werden. Anwendungen Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras Überwachungssysteme IR-Datenübertragung Fahrer-Assistenz Systeme 473 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power White frame to achieve high optical power 3.6 W optical power Features Active chip area.1 x.4 mm max. DC-current 1 A Low thermal resistance (.8 K/W) Spectral emission at 8 nm ESD save up to kv acc. to JESD-A114-B Eye safety precautions given in IEC 68-1 and IEC 6471 have to be followed. Applications Infrared Illumination for CMOS cameras Surveillance systems IR Data Transmission Driver assistance systems Typ Type Bestellnummer Ordering Code 473 Q61A4 typ. Q61A619 typ.1 Strahlstärke ( = 1A, t p = ms) Radiant intensity Ι e (mw/sr) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr / measured at a solid angle of Ω =.1 sr

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom, T B 8 C Forward current Stoßstrom, t p < 1 ms, D =., T B 8 C Surge current Leistungsaufnahme, T B 8 C Power consumption Thermische Verlustleistung, T B 8 C Thermal power-dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte Thermal resistance Junction / Base plate Wert Value T B, op, T B, stg C T J + 14 C V R. V 1 A SM A P tot 4 W P th 1 W Einheit Unit R thjb.8 K/W T B = Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate

3 Kennwerte (T B = C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission = 1 A, t p = ms Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung Centroid wavelength = 1 A, t p = ms Spektrale Bandbreite bei % von I max Spectral bandwidth at % of I max = 1 A, t p = ms Abstrahlwinkel Half angle Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, = 1 A, R L = Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, = 1 A, R L = Ω Durchlassspannung Forward voltage = 1 A, t p = µs Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux = 1 A, t p = µs 473 Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e Temperature coefficient of I e or Φ e = 1 A, t p = ms Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of V F = 1 A, t p = ms Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ = 1 A, t p = ms Wert Value λ peak 8 nm λ centroid 84 nm λ 4 nm Einheit Unit ϕ ± 6 Grad deg. L B L W.1.4 mm² t r, t f ns V F 18 ( 4) V Φ e Φ e W W TC I. %/K TC V mv/k TC λ,centroid +. nm/k Die aktive Chipfläche besteht aus einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm². The active chip area consists of single chips with 1 x 1 mm² each

4 Strahlstärke Ι e Radiant Intensity Ι e Bezeichnung Parameter Werte Values Einheit Unit 473-EA 473-EB 474-EB 474-FA Strahlstärke Radiant Intensity = 1 A, t p = ms Ι e min 63 Ι e max mw/sr mw/sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6: Only one group in one packing unit (variation lower 1.6: Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) 4 3 OHL166 ϕ

5 Relative spektrale Emission Relative Spectral Emission I rel = f (λ), T B = C % I rel 8 OHL1714 Durchlassstrom Forward Current = f (V F ), T B = C, Single pulse, t p = µs 1 A OHF93 Relativer Gesamtstrahlungsfluss Relative Total Radiant Flux Φ e /Φ e (ma) = f ( ), T B = C, Single pulse, t p = µs Φ Φ 1 e e ( ma) OHF nm λ V V F ma Max. zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current = f (T B ), R thjb =.8 K/W 1 ma OHF C 13 T B Zulässige Impulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability = f (t p ), T B 8 C, Duty cycle D = parameter.3 A D t P = T t P T OHF974 D = s tp

6 SMD NTC Thermistor mit Nickel Barrier Termination, Typ 63 SMD NTC Thermistor with Nickel Barrier Termination, Type 63 No. of R/T characteristics R B / B /8 [Ω] [K] [K] [K] EPCOS 8 / A1 k ± % B / Typische Thermistor Kennlinie Typical Thermistor Graph R 6 Ω OHL C 16 T NTC (

7 Maßzeichnung und Ersatzschaltbild Package Outlines and equivalent circuit diagram Frame color: black for 473 white for 474 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Verwendeter Stecker / Used male connector on board: ERNI male connector SMD 141, 4-pins ( Empfohlene Gegenstecker / Recommended female connector for power supply: ERNI female connector SMD 14, 4-pins ( Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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