Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250

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1 Infrarot-LED mit hoher usgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher usgangsleistung Emissionswellenlänge typ. 8nm Hohe Bestromung bei hohen emperaturen möglich nwendungen Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras IR-Datenübertragung Sensorik Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche uge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm behandelt werden. Features High Power Infrared LED Peak wavelength typ. 8nm High forward current allowed at high temperature pplications Infrared Illumination for CMOS cameras IR Data ransmission optical sensors Safety dvices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC Safety of laser products. yp ype Bestellnummer Ordering Code SFH 42 Q (typ. 1) Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 1m, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr / measured at a solid angle of Ω =.1 sr ENION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device

2 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom, 6 C Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D =, = 2 C Surge current Verlustleistung = 2 C Power dissipation Wärmewiderstand hermal resistance Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Sperrschicht/Lötpad Junction/soldering point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 16 mm 2 ) mounted on PC board FR 4 (pad size 16 mm 2 ) Kennwerte ( = 2 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 1 m Spektrale Bandbreite bei % von I max Spectral bandwidth at % of I max I F = 1 m bstrahlwinkel Half angle ktive Chipfläche ctive chip area Wert Value op C stg C V R 3 V I F 1 m I FSM 1. Einheit Unit P tot 18 mw R thj R thjs 3 14 Wert Value K/W K/W λ peak 8 nm λ 3 nm Einheit Unit ϕ ± 6 Grad deg..9 mm

3 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Kennwerte ( = 2 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter bmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei I F = 1 m, R L = Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to 1%, I F = 1 m, R L = Ω Durchlassspannung Forward voltage I F = 1 m, t p = 2 ms I F = 1, t p = 1 µs Sperrstrom Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluss otal radiant flux I F = 1 m, t p = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 1 m emperature coefficient of I e or Φ e, I F = 1 m emperaturkoeffizient von V F, I F = 1 m emperature coefficient of V F, I F = 1 m emperaturkoeffizient von λ, I F = 1 m emperature coefficient of λ, I F = 1 m L B L W Wert Value.3.3 mm t r, t f 12 ns V F V F 1. (< 1.8) 2.4 (< 3.) V V I R.1 ( 1) µ Einheit Unit Φ e 4 mw C I. %/K C V.7 mv/k C λ +.2 nm/k

4 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Strahlstärke I e in chsrichtung 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in xial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Bezeichnung Parameter Werte Values Einheit Unit SFH 42-R SFH 42-S Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 m, t p = 2 ms I e min 1 I e max mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1, t p = 1 µs I e typ 1 14 mw/sr 1) 1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner2:1) Only one group in one packing unit, (variation lower 2:1) Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) OHL166 ϕ

5 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) I rel 1 % OHL1714 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 µs I I 1 1 e e (1 m) I e I e 1 m = f (I F ) OHL171 Max. Permissible Forward Current I F = f ( ), R thj = 3 K/W 12 m I F OHL Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 2 µs I F 1 nm λ 9 OHL m 1 I F Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), = 2 C, duty cycle D = parameter OHF2 1.6 t P I t F D P = IF C D = V3 V F s 1 t p

6 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Maßzeichnung Package Outlines.8 (.31) 3. (.118) 2.6 (.12) 2.3 (.91) 2.1 (.83).1 (.4) (typ.) 2.1 (.83) 1.7 (.67).9 (.3).7 (.28).6 (.24) 4 ±1 3.4 (.134) 3. (.118) (2.4) (.9) 3.7 (.146) 1.1 (.43) 3.3 (.13) C.6 (.24) C.4 (.16) Package marking. (.2).18 (.7).12 (.) GPLY684 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gehäuse / Package nschlussbelegung pin configuration weiß, klarer Verguss / white, clear resin Kathode: abgeschrägte Ecke Cathode: beveled edge

7 _< Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad IR Flow Löten IR Reflow Soldering Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation node 3.3 (.13) Fläche darf elektrisch nicht beschaltet werden. Do not use this area for electrical contact. 3.3 (.13) 2.3 (.91).8 (.31) 3.7 (.146) 1.1 (.43) 1. (.9) 11.1 (.437).7 (.28) Kathode/ Cathode Fläche darf elektrisch nicht beschaltet werden. Do not use this area for electrical contact. Cu Fläche / Cu-area 16 mm 2 per pad Lötstoplack Solder resist OHLPY44 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Wellenlöten (W) W Soldering 6.1 (.24) 2.8 (.11) node Fläche darf elektrisch nicht beschaltet werden. Do not use this area for electrical contact. 2 (.79) 6 (.236) 3 (.118) 2 (.79) 2 (.79) 1 (.39) 2.8 (.11). (.2) Kathode/ Cathode Bewegungsrichtung der Platine PCB-direction Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Fläche darf elektrisch nicht beschaltet werden. Do not use this area for electrical contact. Cu Fläche / > 16 mm 2 per pad Cu-area Lötstoplack Solder resist OHY

8 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil für bleifreies Löten (nach J-SD-2B) IR Reflow Soldering Profile for lead free soldering (acc. to J-SD-2B) 3 C C 24 C 217 C Maximum Solder Profile Recommended Solder Profile Minimum Solder Profile 3 s max 1 s min OHL687 + C 26 C - C 24 C ± C + C 23 C - C s max Ramp Down 6 K/s (max) 1 s max Ramp Up 3 K/s (max) 2 C s 3 t Wellenlöten (W) (nach CECC 82) W Soldering (acc. to CECC 82) 3 C C C 1. Welle 1. wave 1 s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY C C ca 2 K/s K/s 2 K/s 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 2 t

9 Vorläufige Daten / Preliminary Data SFH 42 Published by OSRM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg ll Rights Reserved. he information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. erms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRM OS. 1 critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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