Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA"

Transkript

1 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Features: Spectral range of sensitivity: 45 nm nm (SFH 32), 75 nm nm (SFH 32 FA) Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 45 nm nm (SFH 32), 75 nm nm (SFH 32 FA) Package: TOPLED Gehäuse: TOPLED Special: High linearity Besonderheit: Hohe Linearität P-LCC-2 package P-LCC-2 Gehäuse Available in groups Gruppiert lieferbar Suitable for all soldering methods Für alle Lötverfahren geeignet Applications Anwendungen Miniature photointerrupters Miniatur Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

2 SFH 32, SFH 32 FA Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 95 nm, E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE [µa] SFH Q6511A2471 SFH Q6511A2469 SFH 32-3/ Q6511A1781 SFH Q6511A251 SFH 32 FA Q6511A2472 SFH 32 FA Q6511A247 SFH 32 FA-3/ Q6511A2475 SFH 32 FA Q6511A1836 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit SFH 32 SFH 32 FA Operating and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V CE 35 V Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I C 15 ma Kollektorstrom Collector surge current I CS 75 ma Kollektorspitzenstrom Total power dissipation P tot 165 mw Verlustleistung Thermal resistance for mounting on pcb R thja 45 K/W Wärmewiderstand für Montage auf PC - Board

3 SFH 32, SFH 32 FA Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche Half angle Halbwinkel Capacitance Kapazität (V CE = V, f = 1 MHz, E= ) Dark current Dunkelstrom (V CE = 2 V, E= ) SFH 32 SFH 32 FA λ S max 98 nm λ 1% nm A.38 mm 2 L x W.45 x.45 mm x mm ϕ ± 6 C CE 5 pf I CE 1 ( 5) na

4 SFH 32, SFH 32 FA Grouping (T A = 25 C, λ = 95 nm) Gruppierung Group Min Photocurrent Max Typ Photocurrent Rise and fall time Photocurrent Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und Abfallzeit E e =.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E e =.5 mw/cm 2, V CE = 5 V SFH 32: E V = 1 lx, Std. Light A, V CE = 5 V I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω I PCE, min [µa] I PCE, max [µa] I PCE [µa] t r, t f [µs] Group Collector-emitter saturation voltage Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = I PCEmin x.3, E e =.5 mw/cm 2 V CEsat [mv] Note.: I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Anm.: I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

5 SFH 32, SFH 32 FA Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 32 S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 32 FA S rel = f(λ) 1 % S rel OHF27 1 S rel % OHF nm 11 λ nm 11 λ Photocurrent Fotostrom I PCE = f(e e ), V CE = 5 V Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter 1 3 μ A Ι PCE OHF1924 Ι 1 ma PCE OHF1529 mw 1 cm mw.5 cm mw cm 2 mw.1 cm mw/cm 1 E e V 35 V CE

6 SFH 32, SFH 32 FA Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (25 C) = f(t A ), V CE = 5 V Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E = 1.6 Ι PCE Ι PCE OHF1524 Ι 1 1 na CEO OHF Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(t A ), E = C 1 TA V 35 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E = V CE Ι 1 3 na CEO OHF C CE pf OHF C 1 TA V 1 2 V CE

7 SFH 32, SFH 32 FA Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) 2 OHF871 mw P tot C 1 T A Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) ϕ 1. OHF

8 SFH 32, SFH 32 FA Package Outline Maßzeichnung 3. (.118) 2.6 (.12) 2.3 (.91) 2.1 (.83).1 (.4) (typ.) 2.1 (.83) 1.7 (.67).9 (.35).7 (.28) 3.4 (.134) 3. (.118) Collector marking (2.4) (.95) 4 ±1 3.7 (.146) 1.1 (.43) 3.3 (.13).5 (.2).18 (.7).12 (.5).6 (.24).4 (.16) GPLY63 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

9 SFH 32, SFH 32 FA Method of Taping Gurtung 1.5 (.59) 4 (.157) 2 (.79) Cathode/Collector Marking 2.9 (.114) 4 (.157) 3.6 (.142) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) OHAY2271 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 2.6 (.12) 1.5 (.59) 4.5 (.177) 2.6 (.12) 1.5 (.59) 4.5 (.177) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Lötstopplack Solder resist 2 Cu-Fläche > 16 mm Cu-area > 16 mm 2 OHLPY

10 SFH 32, SFH 32 FA Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s

11 SFH 32, SFH 32 FA Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

12 SFH 32, SFH 32 FA Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

13 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Osram Opto Semiconductor: SFH 32-3/4-Z SFH 32 FA-Z SFH 32 FA-3-Z SFH 32 FA-4-Z SFH 32 FA-3/4-Z SFH 32-Z SFH 32-3-Z

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei

Mehr

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 31 SFH 31 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45 nm... 11 nm (SFH 31), 74 nm... 11 nm (SFH 31

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 73... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701 28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204 215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA 214-6-4 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.2 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA / FAG Features: Spectral range of sensitivity:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feo06367 fez06365 Wesentliche Merkmale

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V 212-1-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. BP 14 S, BP 14 SR BP 14 S BP 14 SR Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75

Mehr

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V 214-1-9 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable for applications from 4 nm to

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 215-8-21 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 4... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA 215-6-11 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 75... 112 nm Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy Special: Base connection High

Mehr

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet für

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken

Photointerrupters Lichtschranken 214-1-9 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for the wavelength range of

Mehr

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified

0.6 0.4. 4.0 3.6 Chip position. ø2.9 GEO06653. Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 39 2.54 mm spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode).7 1.8 1.2 29 27.8 Area not flat 5.2 4.5 (3.5) 4.1 3.9 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 4. 3.6 Chip

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 2015-06-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 88 nm Speziell

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-8-5 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BP 13 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 nm Package: Metal Can (TO-18), Epoxy Special: Base connection High

Mehr

Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle

Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle 212-8-17 Multi TOPLED with LED and Phototransistor-Detector Multi TOPLED mit LED und Fototransistor-Detektor Version 1. SFH 722 Features: Besondere Merkmale: Display function can be controlled by built-in

Mehr

Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness

Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness 2014-01-13 Silicon Dual Photodiode Silizium-Doppelfotodiode Version 1.1 SFH 221 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm ! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit

Mehr

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulseformer Pulsformer Counter Zähler

Optical threshold switch Optischer Schalter Pulseformer Pulsformer Counter Zähler 2010-09-15 Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Version 1.0 SFH 5440 Features: Besondere Merkmale: Output: active "low" Ausgang: aktiv "low" Suitable for applications

Mehr

Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48

Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48 215-9-4 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.2 BPX 48 Features: Especially suitable for applications from 4 nm to 11 nm High photosensitivity DIL plastic package with

Mehr

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250 215-1-28 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 725 Features: Available on tape and reel SMT package with IR emitter (85 nm) and Si-phototransistor

Mehr

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 4 nm to 1 nm Speziell

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043 212-12-18 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (94 nm) CHIPLED (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 443 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit Schmitt-Trigger IC

IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit Schmitt-Trigger IC 202-08-7 Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Version.0 (not for new design) SFH 9240 Features: Besondere Merkmale: IR-GaAs-emitter in combination with a

Mehr

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen 213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 421 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4253 Ersatz: SFH 4253 Very

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258 214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4258 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor

Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package with IR emitter (850 nm) and Si-phototransistor 213-8-14 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1. SFH 725 Features: Besondere Merkmale: Available on tape and reel Gegurtet lieferbar SMT package

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1. 213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH 27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209 Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540

Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540 2015-05-08 Slotted Interrupter Gabellichtschranke Version 1.1 SFH 9540 Features: Suitable for surface mounting (SMT) Compact housing out of black LCP GaAs infrared emitter (950 nm) Silicon phototransistor

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N 215-3-2 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 Features: High Power Infrared LED Short switching time small package: (WxDxH) 3 mm x 2.65

Mehr

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711

High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711 2015--20 High Accuracy Ambient Light Sensor Hochgenauer Umgebungslichtsensor Version 1.5 SFH 5711 Features: Besondere Merkmale: Opto hybrid with logarithmic current output Optohybrid mit logarithmischem

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (8nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (8nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit

Mehr

SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches

SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den

Mehr

Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger SFH 9240 SFH 9241

Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger SFH 9240 SFH 9241 Reflexlichtschranke mit Schmitt-Trigger Reflective Interrupter with Schmitt-Trigger SFH 9240 SFH 924 Wesentliche Merkmale IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Schmitt-Trigger IC SFH 9240:

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N 213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger

Mehr

IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5110 SFH 5111

IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5110 SFH 5111 IR-Empfänger für Fernbedienungen IR-Receiver for Remote Control Systems SFH 5 SFH 5 Beschreibung SFH 5 und SFH 5 sind Infrarot-Empfänger für die Erkennung von Signalen aus Infrarot-Fernbedienungssystemen

Mehr

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) 214-1-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

SFH 426 same package as SFH 325 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

SFH 426 same package as SFH 325 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen 213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 426 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4256 Ersatz: SFH 4256 Very

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750 2-12-1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive

Mehr

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY Besondere Merkmale Optische Ausgangsleistung (Dauerstrich- Betrieb): 90/120mW (T Case = 25 C) Typ.

Mehr

Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646

Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646 Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 4646 SFH 464 SFH 4646 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher

Mehr