Anhang A. Abkürzungen und Formelzeichen ANHANG A. ABKÜRZUNGEN UND FORMELZEICHEN

Abkürzungen, Konstanten, Symbole

Abkürzungen, Konstanten, Symbole Abkürzungen CBD CV CVD ECP EDX HRTEM JCPDS KCN MBE MOCVD PL PPC PVD QE RFA RLZ SCAPS SEM SLG TEM TCO XRD Chemische Badabscheidung (engl.: Chemical Bath Deposition) Admittanzspektroskopie

32. n oder p? (Ü) Sie müssen die Dotierung in einem unbekannten Halbleiterplättchen bestimmen.

Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer / Dipl.-Ing. Felix Glöckler Kaiserstrasse 12 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 6. Übungsblatt 13. Juli 2006 Möglicher Abgabetermin:

Carmen Weber DM4EAX. DARC AJW Referat

Carmen Weber DM4EAX In der Physik benötigen wir feste Größen und Einheiten, damit Begriffe eindeutig benannt werden können. Diese sind gesetzlich festgelegt. Am 2. Juli 1969 wurde in Deutschland das Gesetz

Festkörperelektronik 2008 Übungsblatt 5

Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe (TH) Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer Dipl.-Phys. Alexander Colsmann Engesserstraße 13 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 5. Übungsblatt 26. Juni 2008 Die

Solarzellen, Kristallstrukturen, Defekte und Ihre Stromrechnung

Solarzellen, Kristallstrukturen, Defekte und Ihre Stromrechnung Susanne Siebentritt Université du Luxembourg Was sind Dünnfilmsolarzellen? Wie machen wir Solarzellen? Wie funktioniert eine Solarzelle?

Festkörperelektronik 2008 Übungsblatt 6

Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe (TH) Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer Dipl.-Phys. Alexander Colsmann Engesserstraße 13 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 6. Übungsblatt 10. Juli 2008 Die

Ausstellerverzeichnis (Stand 05.09.2012)

Ausstellerverzeichnis (Stand 05.09.2012) ABCR GmbH & Co. KG Im Schlehert 10 76187 Karlsruhe Telefon: +49 (0)721-95061-0 Fax: +49 (0)721-95061-80 E-Mail: info@abcr.de Produkte: high purity metals for MBE,

Photolumineszenz von epitaktischen Cu(In,Ga)Se 2 -Schichten

Photolumineszenz von epitaktischen Cu(In,Ga)Se 2 -Schichten von Niklas Rega Im Fachbereich Physik der Freien Universität Berlin eingereichte Dissertation angefertigt am Hahn Meitner Institut, Berlin Februar

GRUNDLAGEN DER WECHSELSTROMTECHNIK

ELEKTROTECHNIK M GLEICHSTROM. ELEKTRISCHE GRÖßEN UND GRUNDGESETZE. ELEKTRISCHE LADUNG UND STROM.3 ELEKTRISCHES FELD UND STROM.4 ELEKTRISCHES SPANNUNG UND POTENTIAL.5 ELEKTRISCHES LEISTUNG UND WIRKUNGSGRAD.6

Das CISLAB in Jena. Beschichtungsanlagen

FVS PV-UNI-NETZ Poster III Das CISLAB in Jena W. Witthuhn H. Metzner Th. Hahn U. Reislöhner M. Gossla J. Cieslak A. Dietz J. Eberhardt A. Joswig R. Lauck C. Voigt J. Wagner Universität Jena ofw@uni-jena.de

Wechselstromwiderstände

Wechselstromwiderstände Wirkwiderstand, ideale Spule und idealer Kondensator im Wechselstromkreis Wirkwiderstand R In einem Wirkwiderstand R wird elektrische Energie in Wärmeenergie umgesetzt. Er verursacht

Numerische Simulation und. Messung der Mikrowellenreflexion an. kristallinem Silizium

Numerische Simulation und Messung der Mikrowellenreflexion an kristallinem Silizium im Fachbereich Physik der Freien Universität Berlin eingereichte Dissertation von Olaf Hahneiser 1998 Disputation: 30.06.1998

11. Elektronen im Festkörper

11. Elektronen im Festkörper 11.1 Elektrische Leitung in Festkörpern 11.2 Freies Elektronengas im Sommerfeld- Modell 11.3 Bändermodell des Festkörpers 11.4 Metalle, Isolatoren und Halbleiter WS 2013/14

Stefan Seeger, Klaus Ellmer. HMI-Berlin Abteilung Solare Energetik Glienicker Str. 100 14109 Berlin. Seeger@hmi.de

Präparation von CuInS Schichten durch reaktives Magnetronsputtern: Einfluss der Teilchenenergie auf Morphologie und elektrische und optische Eigenschaften Stefan Seeger, Klaus Ellmer HMIBerlin Abteilung

Teil 1. Leistungselektronik. Ausgabe 0.1, Autoren: Stephan Rupp. Kontakt: Web:

Teil 1 Leistungselektronik Ausgabe 0.1, 1.05.2019 Autoren: Stephan Rupp Kontakt: stephan.rupp@srupp.de Web: http://www.srupp.de Veröffentlicht unter CC-BY-SA S. Rupp, 2019 TM20703.1 1/25 S. Rupp, 2019

11. Elektronen im Festkörper

11. Elektronen im Festkörper 11.1 Elektrische Leitung in Festkörpern 11.2 Freies Elektronengas im Sommerfeld- Modell 11.3 Bändermodell des Festkörpers 11.4 Metalle, Isolatoren und Halbleiter 1 11.4 Metalle,

Elektrotechnik Formelsammlung v1.2

Inhaltsverzeichnis 3. Das Coulombsches Gesetz...2 3.. Elementarladung...2 32. Elektrische Arbeit...2 33. Elektrische Feldstärke...2 34. Elektrische Spannung...3 34.. Ladung Q...3 34... Kondensatoren-Gesetz...3

Einführung in die Physik II für Studierende der Naturwissenschaften und Zahnheilkunde. Sommersemester 2007

Einführung in die Physik II für Studierende der Naturwissenschaften und Zahnheilkunde Sommersemester 2007 VL #35 am 28.06.2007 Vladimir Dyakonov Leitungsmechanismen Ladungstransport in Festkörpern Ladungsträger

Skizzieren Sie den Verlauf der spezifische Wärme als Funktion der Temperatur. Wie ist der Verlauf bei tiefer, wie bei hoher Temperatur?

Skizzieren Sie den Verlauf der spezifische Wärme als Funktion der Temperatur. Wie ist der Verlauf bei tiefer, wie bei hoher Temperatur? Wie berechnet man die innere Energie, wie die spezifische Wärme?

Grundlagen der Elektrotechnik

2017/2018 Prof. Dr. A. Strey DHBW Stuttgart, Informatik Email: strey@lehre.dhbw-stuttgart.de Inhalt 1 Physikalische Größen Elektrischer Strom und Stromdichte Elektrische Spannung Widerstand und Leitfähigkeit

Versuch 1.3 Hall-Effekt

F-Praktikum: Versuch Hall-Effekt Seite 1/9 F-Praktikum Versuch 1.3 Hall-Effekt Diego Semmler, Nils Höres Inhaltsverzeichnis F-Praktikum...1 Motivation...2 Aufgabenstellung...2 Theorie...2 Das Bändermodell...2

Elektrische und Thermische Leitfähigkeit von Metallen

Elektrische und Thermische Leitfähigkeit von Metallen Virtueller Vortrag von Andreas Kautsch und Andreas Litschauer im Rahmen der VO Festkörperphysik Grundlagen Outline elektrische Leitfähigkeit Gründe

1. Plattenkondensator 2. 2 parallele Leiter 3. Magnetischer Kreis 4. Transformatorprinzip Summe Punkte

Fachhochschule Dortmund Prof. Dr.-Ing. K.-J. Diederich Erreichbar 60 Punkte FB3 Elektrische Energietechnik Klausur vom 20.03.2012 BPO 05 ET2 Felder 34090 Seite 1 von 5 Zeit 08:00-11:00 Uhr Druck: 30.05.2012

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente. Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel. vhb-kurs Halbleiterbauelemente

Friedrich-Alexander-Universität Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel vhb-kurs Halbleiterbauelemente Übungsaufgaben Teil 3: Feldeffekttransistoren Übung zum vhb-kurs Halbleiterbauelemente Seite 15 Feldeffekttransistoren

Elektrische Eigenschaften von Festkörpern

Elektrische Eigenschaften von n Quellennachweis zu den Abbildungen R. Müller, Grundlagen der Halbleiter-Elektronik. C.R. Bolognesi, Vorlesungsunterlagen. W.C. Dash, R. Newman, Phys. Rev., 99, 1955, 1151.

Magnetronsputtern von Sulfiden für die Photovoltaik K. Ellmer, S. Seeger

Magnetronsputtern von Sulfiden für die Photovoltaik K. Ellmer, S. Seeger Dünnschichtsolarzellen Anforderungen an Absorber CuInS -Absorber In S 3 -Pufferschichten MoS -Absorber Zusammenfassung/Ausblick

Änderung der Defektstruktur von CuGaSe 2 während der Solarzellen-Prozessierung

Kapitel 5 Änderung der Defektstruktur von CuGaSe 2 während der Solarzellen-Prozessierung In diesem Kapitel werden die Auswirkungen der einzelnen Schritte der Solarzellen-Prozessierung auf die Defektstruktur

Reaktives Magnetron Sputtern von CuInS 2 -Schichten: Untersuchung des Schichtwachstums. Stefan Seeger, Klaus Ellmer

Reaktives Magnetron Sputtern von CuInS 2 Stefan Seeger, Klaus Ellmer Introduction: Thin film solar cells based on CuInS 2 sunlight.6 µm front contact (TCO).1 µm buffer layer CdS 2.5 µm absorber layer CuInS

Untersuchungen gepulster Glimmentladung und Anwendung für die Analyse von Solarzellen

15. Deutsches Anwendertreffen Untersuchungen gepulster Glimmentladung und Anwendung für die Analyse von Solarzellen Varvara Efimova, Volker Hoffmann Dresden 23. November 2011 GLIEDERUNG Motivation elektrische

Federkraft: F 1 = -bx (b = 50 N/m) Gravitationskraft: F 2 = mg (g = 9,8 m/s 2 )

Aufgabe: Schwingung An eine Stahlfeder wird eine Kugel mit der Masse 500g gehängt. Federkraft: F 1 -b (b 50 N/m) Gravitationskraft: F mg (g 9,8 m/s ) m 500g F ma W 1 F( ) d W kin 1 mv b ( t + ϕ ) Acos(

Elektrizitätslehre 3.

Elektrizitätslehre 3. Elektrischer Strom Strom = geordnete Bewegung der Ladungsträgern Ladungsträgern: Elektronen Ionen Strom im Vakuum Strom im Gas Strom in Flüssigkeit (Lösung) Strom im Festkörper Leiter

Elektrotechnik: Zusatzaufgaben

Elektrotechnik: Zusatzaufgaben 1.1. Aufgabe: Rechnen Sie die abgeleiteten Einheiten der elektrischen Spannung, des elektrischen Widerstandes und der elektrischen Leistung in die Basiseinheiten des SI um.

Ein Beitrag zu Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von Cu(In, Ga)Se 2

1. Seminarvortrag Graduiertenkolleg 1 Seminarvortrag Graduiertenkolleg Neue Hochleistungswerkstoffe für effiziente Energienutzung Ein Beitrag zu Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von Cu(In, Ga)Se 2

Maßeinheiten der Elektrizität und des Magnetismus

Maßeinheiten der Elektrizität und des Magnetismus elektrische Stromstärke I Ampere A 1 A ist die Stärke des zeitlich unveränderlichen elektrischen Stromes durch zwei geradlinige, parallele, unendlich lange

Leistungsbauelemente

I (Kurs-Nr. 21645), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Erzeugung ultrakurzer elektrischer Impulse auf nichtlinearen Leitungsstrukturen

Erzeugung ultrakurzer elektrischer Impulse auf nichtlinearen Leitungsstrukturen Vom Fachbereich Elektrotechnik der Gerhard-Mercator-Universität - Gesamthochschule Duisburg zur Erlangung des akademischen

Elektrotechnik: Zusatzaufgaben

Elektrotechnik: Zusatzaufgaben 1.1. Aufgabe: Rechnen Sie die abgeleiteten Einheiten der elektrischen Spannung, des elektrischen Widerstandes und der elektrischen Leistung in die Basiseinheiten des SI um.

Dielektrizitätskonstante

Dielektrizitätskonstante Spannung am geladenen Plattenkondensator sinkt, wenn nichtleitendes Dielektrikum eingeschoben wird Ladung bleibt konstant : Q = C 0 U 0 = C D U D Q + + + + + + + + + + + - - -

Aufgabenblatt Z/ 01 (Physikalische Größen und Einheiten)

Aufgabenblatt Z/ 01 (Physikalische Größen und Einheiten) Aufgabe Z-01/ 1 Welche zwei verschiedenen physikalische Bedeutungen kann eine Größe haben, wenn nur bekannt ist, dass sie in der Einheit Nm gemessen

r = F = q E Einheit: N/C oder V/m q

1 Wiederholung: Elektrische Ladung: Einheit 1 Coulomb = 1 C (= 1 As) Elementarladung e = 1.6 10 19 C Kraft zwischen zwei elektrischen Ladungen: r F ' Q1 Q = f 2 r 2 r e r f ' = 8.99 10 9 Nm 2 C 2 Elektrische

Elektrotechnik: Übungsblatt 2 - Der Stromkreis

Elektrotechnik: Übungsblatt 2 - Der Stromkreis 1. Aufgabe: Was zeichnet elektrische Leiter gegenüber Nichtleitern aus? In elektrischen Leitern sind die Ladungen leicht beweglich, in Isolatoren können sie

1 Elektrostatik Elektrische Feldstärke E Potential, potentielle Energie Kondensator... 4

Inhaltsverzeichnis 1 Elektrostatik 3 1.1 Elektrische Feldstärke E............................... 3 1.2 Potential, potentielle Energie............................ 4 1.3 Kondensator.....................................

4 Rekombination und Transport

4 Rekombination und Transport Die hier untersuchten ZnO/CdS/CuInS 2 -Solarzellen weichen besonders stark in den tatsächlich erreichten Leerlaufspannungen von den theoretisch möglichen Werten ab (siehe

Frequenzverhalten eines Kondensators Ein Kondensator hat bei 50 Hz einen kapazitiven Blindwiderstand von

TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN LÖSUNGSSATZ INDUKTION, EINPHASEN-WECHSELSTROM PETITIONEN KONDENSATOR IM WECHSELSTROMKIS 7 Frequenzverhalten eines Kondensators Ein Kondensator hat bei 0 Hz einen kapazitiven Blindwiderstand

Übungen zu Wellen und Elektrodynamik für Chemie- und Bioingenieure und Verfahrenstechniker WS 11/12

Institut für Experimentelle Kernphysik Übungen zu Wellen und Elektrodynamik für Chemie- und Bioingenieure und Verfahrenstechniker WS 11/12 Prof. Dr. T. Müller Dr. F. Hartmann Blatt 4 - letzte Übung in

Viel Erfolg!! Aufgabe 1: Operationsverstärker (ca. 10 Punkte) Seite 1 von 8. Wintersemester 2016/17 Elektronik

Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Wintersemester 2016/17 Elektronik Matr.-Nr.: Name, Vorname: Hörsaal: Unterschrift: Prof. Dr.-Ing. Tilman

Schriftliche Prüfung zur Feststellung der Hochschuleignung

Freie Universität Berlin Schriftliche Prüfung zur Feststellung der Hochschuleignung T-Kurs Fach Physik (Musterklausur) Von den vier Aufgabenvorschlägen sind drei vollständig zu bearbeiten. Bearbeitungszeit:

Naturwissenschaftliche Grundlagen der Sensorik. Aktuelles Beispiel: 3D Hall-Sensor als Halbleiter-IC in Silizium-Technologie

Hall-Effekt Physikalische Grundlage des Hall-Effekts Anwendungen von Hall-Sensoren Aktuelles Beispiel: 3D Hall-Sensor als Halbleiter-IC in Silizium-Technologie Praktische Erfahrung: Ansteuerung des Sensors

Elektrotechnik II Formelsammlung

Elektrotechnik II Formelsammlung Achim Enthaler 20.03.2007 Gleichungen Allgemeine Gleichungen aus Elektrotechnik I siehe Formelsammlung Elektrotechnik I, SS2006 Maxwell Gleichungen in Integralform Durchutungsgesetz

9.5.2 Was man wissen muss

9.5.2 Was man wissen muss Wir kennen auswendig, weil verstanden, die wichtigsten Gleichungen für reale (= dotierte Halbeiter im Gleichgewicht. n Maj = N Dot n Min (T = n i 2 (T N Dot R = G = n Min τ Wir

ist Beobachten, Messen und Auswerten von Naturerscheinungen und Naturgesetzen Physikalische Größen und Einheiten

ist Beobachten, Messen und Auswerten von Naturerscheinungen und Naturgesetzen Um physikalische Aussagen über das Verhältnis von Messgrößen zu erhalten, ist es notwendig die Größen exakt und nachvollziehbar

Experimentalphysik 2

Repetitorium zu Experimentalphysik 2 Ferienkurs am Physik-Department der Technischen Universität München Gerd Meisl 5. August 2008 Inhaltsverzeichnis 1 Übungsaufgaben 2 1.1 Übungsaufgaben....................................

An eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt.

1. Aufgabe: Halbleitergrundlagen und Halleffekt An eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt. U Bat

Übungen zum Kompaktkurs der Experimentalphysik

Übungen zum Kompaktkurs der Experimentalphysik Übungsblatt 3: Elektrizitätslehre, Akustik und Optik 1. Aufgabe: Elektrisches Feld Ein Elektron mit Masse m e = 9, 1 10 31 kg und Ladung e = 1, 6 10 19 C

Moderne Physik: Elemente der Festkörperphysik Wintersemester 2010/11 Übungsblatt 5 für den

Moderne Physik: Elemente der Festkörperphysik Wintersemester 21/11 Übungsblatt 5 für den 14.1.211 14. Fermi-Energie von Elektronen in Metallen Bei T = K besitzt ein freies Elektronengas der Ladungsträgerdichte

Energie eines bewegten Körpers (kinetische Energie) Energie eines rotierenden Körpers. Energie im elektrischen Feld eines Kondensators

Formeln und Naturkonstanten 1. Allgemeines Energieströme P = v F P = ω M P = U I P = T I S Energiestromstärke bei mechanischem Energietransport (Translation) Energiestromstärke bei mechanischem Energietransport

Chemical Bonding. type Energies Forces. ionic E ~ 1/r F ~ 1/r 2. covalent E ~ 1/r 3 F ~ 1/r 4. van der Waals E ~ 1/r 5 F ~ 1/r 6.

Chemical Bonding type Energies Forces ionic E ~ 1/r F ~ 1/r 2 covalent E ~ 1/r 3 F ~ 1/r 4 van der Waals E ~ 1/r 5 F ~ 1/r 6 Chemical Bonding Chemical Bonding Inmixing of sodium states Antiparallel Couplings

Lösung zu Aufgabe 1.1

Michael Reisch, Halbleiter-Bauelemente,.A., Springer 007 Lösung zu Aufgabe. Die Impedanz der Parallelschaltung von R und C ist ) R Z = + jωc =. R + jωr C Mit Hilfe der komplexen Spannungsteilerformel folgt

Punkte. vom Studenten auszufüllen Name: Matrikelnummer: Unterschrift: Note: Datum: Einsicht am:

Seite 1 von 6 vom Studenten auszufüllen Name: Matrikelnummer: Unterschrift: Aufgabe 1 2 3 4 Punkte Punkte Maximal Note: Datum: Prüfer: Einsicht am: Diederich Zur Klausur mitzubringen sind: * Studentenausweis

Detektoren in der Kern- und Teilchenphysik Szintillationsdetektoren Ionisationsdetektoren Halbleiterdetektoren

Wechselwirkung geladener Teilchen in Materie Physik VI Sommersemester 2008 Detektoren in der Kern- und Teilchenphysik Szintillationsdetektoren Ionisationsdetektoren Halbleiterdetektoren Szintillationsdetektoren

Grundlagen der Elektrotechnik LF-2

Grundbildung IT-Systemelektroniker Grundlagen der Elektrotechnik LF-2 Mitschriften der Ausbildung Jörg Schumann 13. Februar 2016 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Ladungsträger 3 2 elektrische Spannung

SI-EINHEITEN UND IHRE DEZIMALEN VIELFACHEN UND TEILE

SI-EINHEITEN UND IHRE DEZIMALEN VIELFACHEN UND TEILE (Quelle: EU-Richtlinie 80/181/EWG) 1. SI-Basiseinheiten Größe Name der Einheit Einheitenzeichen Länge Meter m Masse Kilogramm kg Zeit Sekunde s Elektrische

Wachstum und Struktur-Eigenschafts- Beziehungen von epitaktischen antiferroelektrisch/ferroelektrischen oxidischen Multilagen

Wachstum und Struktur-Eigenschafts- Beziehungen von epitaktischen antiferroelektrisch/ferroelektrischen oxidischen Multilagen Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades Doctor rerum naturalium

Besprechung am

PN2 Einführung in die Physik für Chemiker 2 Prof. T. Weitz SS 207 Übungsblatt 4 Übungsblatt 4 Besprechung am 29.05.207 Aufgabe Ohmsches Gesetz. a) Ein Lautsprecherkabel aus Kupfer mit einer Länge von 5,0

1 Elektrostatik TUM EM-Tutorübung SS 10. Formelsammlung EM SS Fabian Steiner, Paskal Kiefer

TUM EM-Tutorübung SS 1 1.5.21 Formelsammlung EM SS 21 Diese Formelsammlung dient nur zur Orientierung und stellt keinen nspruch auf ollständigkeit. Zudem darf sie während der Prüfung nicht benutzt werden,

Elektrizitätslehre. Stromkreise. Stoffe. Elektrischer Strom

Elektrizitätslehre 3 Elektrischer Strom Stromkreise Elektrischer Strom Stoffe Elektrischer Strom = kollektive geordnete Wanderung von Ladungsträgern (z.b. Elektronen, Ionen, ) Dieser elektrische Leitungsvorgang

E 2 Temperaturabhängigkeit elektrischer Widerstände

E 2 Temperaturabhängigkeit elektrischer Widerstände 1. Aufgaben 1. Für die Stoffe - Metall (Kupfer) - Legierung (Konstantan) - Halbleiter (Silizium, Galliumarsenid) ist die Temperaturabhängigkeit des elektr.

-Q 1 Nach Aufladen C 1

Verschaltung von Kondensatoren a) Parallelschaltung C 2 Knotensatz: Q 2 -Q 2 Q 1 -Q 1 Nach Aufladen C 1 U Die Kapazitäten addieren sich b) Reihenschaltung C 1 C 2 Q -Q Q -Q Maschenregel: U Die reziproken

Prüfungsaufgaben der schriftlichen Matura 2010 in Physik (Profilfach)

Prüfungsaufgaben der schriftlichen Matura 2010 in Physik (Profilfach) Klasse 7Na (Daniel Oehry) Name: Diese Arbeit umfasst vier Aufgaben Hilfsmittel: Dauer: Hinweise: Formelsammlung, Taschenrechner (nicht

Morphologie der epitaktischen CuGaSe 2 -Schichten

Kapitel 4 Morphologie der epitaktischen CuGaSe 2 -Schichten Im Folgenden Kapitel wird die Morphologie der mit MOCVD gewachsenen epitaktischen CuGaSe 2 - Schichten auf GaAs dargestellt. Da für die Photolumineszenzmessungen

Vermeidung von Zündgefahren infolge elektrostatischer Aufladungen (TRGS 727)

Technische Regeln für Gefahrstoffe Vermeidung von Zündgefahren infolge elektrostatischer Aufladungen (TRGS 727) Bundesrecht Titel: Technische Regeln für Gefahrstoffe Vermeidung von Zündgefahren infolge

Kapitel 2. Material und Bauelemente. 2.1 Kristall- und Bandstruktur 2.1. KRISTALL- UND BANDSTRUKTUR

2.1. KRISTALL- UND BANDSTRUKTUR Kapitel 2 Material und Bauelemente Die Chalkopyrite bilden eine Klasse von Halbleiterkristallen mit einer direkten Bandlücke. Die energetische Breite der Bandlücke liegt

Synthese und Eigenschaften von Kohlenstoffnitriden

Synthese und Eigenschaften von Kohlenstoffnitriden G M P 0 70-80 µm 120-150 µm Vom Fachbereich Material- und Geowissenschaften der Technische Universität Darmstadt genehmigte Dissertationsschrift zur Erlangung

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,

Kapitel 1. Einleitung

Kapitel 1 Einleitung Der Verbindungs-Halbleiter Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (kurz Cu(In,Ga)- Se 2 oder CIGS) ist das zur Zeit wohl beste Basismaterial für Dünnschicht-Solarzellen. Mit den alternativen

Name:...Vorname:... Seite 1 von 8. FH München, FB 03 Grundlagen der Elektrotechnik SS Matrikelnr.:... Hörsaal:... Platz:...

Name:...Vorname:... Seite von 8 FH München, FB 0 Grundlagen der Elektrotechnik SS 004 Matrikelnr.:... Hörsaal:... Platz:... Zugelassene Hilfsmittel: beliebige eigene A 4 Σ N Aufgabensteller: Buch, Göhl,

Entwicklung von Heterosolarzellen mit

Kapitel 4 Entwicklung von Heterosolarzellen mit CuGaSe 2 -Absorbern Mit dieser Arbeit wurde am HMI die Präparationsmethode PVD (Physical Vapour Deposition) für die Herstellung dünner polykristalliner CuGaSe

Polykristalline CuGaSe 2 - Solarzellen

Kapitel 6 Polykristalline CuGaSe 2 - Solarzellen Neben der Präparation von epitaktischen CuGaSe 2 -Schichten auf GaAs wurde im Rahmen dieser Arbeit die Abscheidung von polykristallinem CuGaSe 2 auf Molybdän

Elko 83 Emitter 213 Energie 61

275 Index Admittanz 179 Akkumulation 217 Akkumulator 158 Aktivierungsenergie 200 Akzeptoren 200 Ampere 33, 156 Definition 99 Ampere sches Gesetz 235 Amplitude 170 anisotrop 81 Anreicherung 217 Antenne

Formelzeichen, Symbole, Einheiten, Äquivalenzen und Abkürzungen

Formelzeichen, Symbole, Einheiten, Äquivalenzen und Abkürzungen Kurzzeichen Maßeinheit Bedeutung, Erklärung [1-3] A m 2 Fläche A - Numerische Apertur (opt.) A Nm = V As = J Arbeit (Hinweis: A = -W) A m

Sonnenenergie: Photovoltaik

Sonnenenergie: Photovoltaik Physik und Technologie der Solarzelle Von Prof. Dr. rer. nat. Adolf Goetzberger Dipl.-Phys. Bernhard Voß und Dr. rer. nat. Joachim Knobloch Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme

AFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse E 01: Mathematische Grundlagen und Einheiten. Amateurfunkgruppe der TU Berlin.

Technik Klasse E 01: Mathematische Grundlagen und Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 22.10.2015 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License.

Thermische Admittanz Spektroskopie an multikristallinen Silizium Wafern und Solarzellen

Thermische Admittanz Spektroskopie an multikristallinen Silizium Wafern und Solarzellen 2. Photovoltaik Symposium, 05.11.2009, Bitterfeld-Wolfen R. Bakowskie 1, H. von Wenckstern 2, D. Lausch 3, M. Müller

Elektrizität. Eledrisch is pradisch: wann'st 'as oreibst brennt's!

Elektrizität Eledrisch is pradisch: wann'st 'as oreibst brennt's! Reibungselektrizität schon vor mehr als 2000 Jahren bei den Griechen bekannt: Reibt man Bernstein mit einem Tuch, zieht er danach Federn

Prof. Dr. T. Müller Dr. F. Hartmann Blatt 8 Bearbeitung:

Institut für Experimentelle Kernphysik, KIT Übungen zur Klassischen Physik II (Elektrodynamik) SS 2016 Prof. Dr. T. Müller Dr. F. Hartmann Blatt 8 Bearbeitung: 15.6.2016 1. Stromdichte, elektrisches Feld

Versuch Leitfähige Polymere (engl. Conductive Polymer)

Versuch Leitfähige Polymere (engl. Conductive Polymer) Themenbereiche Konjugierte Polymere, Elektropolymerisation, dünne Filme, (spezifische) Leitfähigkeit, (spezifischer/flächen-) Widerstand, Stromdichte,

Q t U I R = Wiederholung: Stromstärke: Einheit 1 Ampere, C = A s. Elektrischer Widerstand: Einheit 1 Ohm, Ω = V/A

1 Wiederholung: Stromstärke: I = Q t Einheit 1 Ampere, C = A s Elektrischer Widerstand: R = U I U = R I Einheit 1 Ohm, Ω = V/A Standard Widerstände: 2 Aber auch dies sind Widerstände: Verstellbare Widerstände

Tutorium Physik 2. Elektrizität

1 Tutorium Physik. Elektrizität SS 16.Semester BSc. Oec. und BSc. CH 4.016 Tutorium Physik Elektrizität Großmann Themen 7. Fluide 8. Rotation 9. Schwingungen 10. Elektrizität 11. Optik 1. Radioaktivität

Kapitel 4 Präparation, Morphologie und Zusammensetzung der CuGaSe 2 -Schichten

Kapitel 4 Präparation, Morphologie und Zusammensetzung der CuGaSe 2 -Schichten Ziel dieses Kapitels ist, den Herstellungsprozess der untersuchten Proben zu beschreiben sowie kurz in die Methoden zur Untersuchung

Intrinsische Halbleiter

Intrinsische Halbleiter Ein völlig reines Halbleitermaterial (ohne Fremdatome, ohne Fehlstellen, ohne "Antisites") nennt man intrinsisch. Bei einem intrinsischen Halbleiter hängen die Ladungsträgerkonzentrationen

Elektronische Bauelemente

Elektronische Bauelemente Für Studenten des FB ET / IT Prof. M. Hoffmann Handout 2 Leitungsvorgänge Hinweis: Bei den Handouts handelt es sich um ausgewählte Schlüsselfolien und Zusammenfassungen. Die Handouts

TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG. Versuch: Elektrische Leitfähigkeit (Sekundarstufe I) Moduli: Physikalische Eigenschaften

TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG Schülerlabor Science meets School Werkstoffe & Technologien in Freiberg Versuch: (Sekundarstufe I) Moduli: Physikalische Eigenschaften 1 Versuchsziel Die Messung

An welche Stichwörter von der letzten Vorlesung können Sie sich noch erinnern?

An welche Stichwörter von der letzten Vorlesung können Sie sich noch erinnern? Elektronen und Löcher 3 2 3 2L 2mkT Eg nn e p exp 2 2 kt n e 3 3/2 2L 2mkT Eg np exp 2 2 2kT Die FermiEnergie liegt in der

Elektrotechnik. Prüfung 5 E-SB Copyright Elektro-Ausbildungszentrum. ELEKTRO-SICHERHEITSBERATER/IN E-SB 0*100 Seite 1 PRÜFUNG 5, ELEKTROTECHNIK

ELEKTRO-SICHERHEITSBERATER/IN E-SB 0*00 Seite Elektrotechnik Prüfung 5 E-SB 0500 Kandidatennummer Name, Vorname Datum Punkte/Maximum / 60 Note Klassenschnitt/ Maximalnote / Bemerkung zur Prüfung Punktemaximum

1.1.3 Bruchrechnung. Sätze: Produkte: a n b n = (a b) n n a n. b = n. a b Quotienten: a n : a m = a n m a n : b n = ( a _ b) n a :

Sätze: Produkte: a n a m = an + m a n n = (a ) n n a n = n a Quotienten: a n : a m = a n m a n : n = ( a _ ) n n n a : = n Klammern: (a n ) m = a nm = (a m ) n ( n a ) m = n a m = kn a km rationaler Eponent:

- 145 - - 146 - - 147 - - 148 - - 149 - - 150 - - 151 - - 152 - - 153 - - 154 - - 155 - - 156 - - 157 - - 158 - - 159 - - 160 - - 161 - - 162 - - 163 - - 164 - - 165 - - 166 - - 167 - - 168 - - 169 - -

2 Materialeigenschaften

8 2 Materialeigenschaften In diesem Kapitel werden die aus der Literatur bekannten Materialeigenschaften von ZnSe referiert. In Hinblick auf die in dieser Arbeit aufgeworfene Fragestellung und die damit

Kinematik & Dynamik. Über Bewegungen und deren Ursache Die Newton schen Gesetze. Physik, Modul Mechanik, 2./3. OG

Kinematik & Dynamik Über Bewegungen und deren Ursache Die Newton schen Gesetze Physik, Modul Mechanik, 2./3. OG Stiftsschule Engelberg, Schuljahr 2016/2017 1 Einleitung Die Mechanik ist der älteste Teil

1. Plattenkondensator 2. 2 parallele Leiter 3. Magnetischer Kreis 4. Transformatorprinzip Summe Punkte

Fachhochschule Dortmund Prof. Dr.-Ing. K.-J. Diederich Erreichbar 60 Punkte FB3 Elektrische Energietechnik Klausur vom 27.09.2011 BPO 05 ET2 Felder 34090 Seite 1 von 5 Zeit 08:00-11:00 Uhr Druck: 20.07.2012