Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

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1 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 85 nm Schwerpunktwellenlänge 85 nm ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS JS Superior Corrosion Robustness (see chapter Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt package outlines) Maßzeichnung) The product qualification test plan is based on the Die Produktqualifikation wurde basierend auf der guidelines of AEC-Q11-REV-C, Stress Test Richtlinie AEC-Q11-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. Semiconductors, durchgeführt. Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras Surveillance systems Überwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 1 A, t p = 1 ms I e [mw/sr] SFH ( 25) Q6511A9564 Note: Anm:: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T j 145 C Sperrschichttemperatur Reverse voltage V R 1 V Sperrspannung Forward current I F 1 ma Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 2 μs, D = ) I FSM 5 A Power consumption Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad P tot 1.8 W R thjs 9 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 1 A, t p = 1 ms) λ peak 86 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 1 A, t p = 1 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 A, t p = 1 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall times of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 5 A, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 1 µs) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 5 A, t p = 1 μs) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 1A, t p = 1 µs) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = 1 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = 1 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = 1 ms) λ centroid 85 nm Δλ 3 nm ϕ ± 2 L x W 1 x 1 mm x mm t r / t f 7 / 14 ns V F 1.5 ( 1.8) V V F 2 ( 2.9) V Φ e 53 mw TC I -.3 % / K TC V -1 mv / K TC λ.3 nm / K

4 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke I F = 1 A, t p = 1 ms I F = 1 A, t p = 1 ms I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] SFH CW 25 5 SFH DA 4 63 SFH DB 5 8 SFH EW Note: Anm.: Only one group in one packing unit (variation lower than the above group). measured at a solid angle of Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner als der oben angegebene Bereich). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 6 OHF4132 Relative Total Radiant Flux Relativer Gesamtstrahlungsfluss Φ e / Φ e (1mA) = f(i F ), T A = 25 C, Single pulse, t p = 1μs 1 1 Φ e Φ e (1 A) 1 5 OHF nm λ A I F

5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f(t S ), R thjs = 9 K/W 1.1 A I F OHF4369 Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C I F 1 1 A OHF C 13 TS V 2.5 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T S = 85 C, duty cycle D = parameter 5.5 A I F t P D t P = T T OHF4177 D = I F s 1 t p

6 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHF4392 ϕ

7 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

8 Note: Corrosion robustness better than EN (method 4): with enhanced corrosion test: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Anm.: Korrosionsfestigkeit besser als EN (Methode 4): mit erweitertem Korrosionstest: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Method of Taping Gurtung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

9 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 3 Lötstellen Thermisch optimiertes PCB 3 solder points Thermal enhanced PCB 1.6 (.63) 11.6 (.457) ø4. (.157) Heatsink attach 12. (.472) 11.6 (.457) 1 (.39) 2.3 (.91) 12. (.472) 2.3 (.91) ø2.5 (.98) ø4. (.157) Kupfer Copper Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 1 (.39) 1.6 (.63) Lötstopplack Solder resist Lötpasten Schablone Solder paste stencil Freies Kupfer Bare Copper OHPY3638 Attention Anode and Heatsink are electrically connected

10 Achtung Anode und Heatsink sind elektrisch verbunden Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S 1 Note: Anm.: 5 25 C s 3 t Package is not suitable for ultra sonic cleaning Das Gehäuse ist für Ultraschallreinigung nicht geeignet

11 Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s Maximum 8 1 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P T P t P All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range C s K/s s

12 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

13 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

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