High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N"

Transkript

1 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 Features: High Power Infrared LED Short switching time small package: (WxDxH) 3 mm x 2.65 mm x 1.2mm SMT Sidelooker Applications Interrupters, Lightcurtains Sensor technology Proximity sensor Touchscreen Industrial electronics Besondere Merkmale: Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze Schaltzeit kleines Gehäuse: (BxTxH) 3 mm x 2.65 mm x 1.2mm SMT Sidelooker Anwendungen Lichtschranken, Lichtvorhänge Sensorik Näherungssensor Berührungsempfindliche Bildschirme Industrieelektronik Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer = 7 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] 9 ( 4) Q65111A393 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating temperature range Betriebstemperatur Storage temperature range Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p µs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) 1) page 11 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 11 T op C T stg C V R 5 V 7 ma SM.7 A P tot 14 mw V ESD 2 kv R thja 54 K / W Thermal resistance junction - soldering point 2) page 11 Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle 2) Seite 11 R thjs 36 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge ( = 7 ma, t p = 2 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge ( = 7 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max ( = 7 ma, t p = ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( % und 9% von I e max ) ( = 7 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung ( = 7 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung ( = 7 ma, t p = µs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss ( = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e ( = 7 ma, t p = ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F ( = 7 ma, t p = ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge ( = 7 ma, t p = ms) (typ) λ peak 95 nm (typ) λ centroid 94 nm (typ) λ 42 nm (typ) ϕ ± 9 (typ) L x W.2 x.2 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.6 ( 2) V (typ (max)) V F 2.8 V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 4 mw (typ) TC I -.5 % / K (typ) TC V -1.3 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K

4 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke = 7 ma, t p = 2 ms = 7 ma, t p = 2 ms = 7 ma, t p = 25 µs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] -U V AW 2 5 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel % 8 3) page 11 3) Seite 11 OHF4134 3) page 11 Radiant Intensity 3) Seite 11 Strahlstärke I e / I e (7 ma) = f( ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C 1 I e I e (7 ma) OHF nm 25 λ ma

5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom, max = f(t A ), R thja = 54 K/W 8 ma OHF4264 3) page 11 Forward Current 3) Seite 11 Durchlassstrom = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C A OHF C T A V 3 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter.8 A.7 D = t P T t P T OHF4265 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit = f(t p ), T A = 85 C, duty cycle D = parameter.8 A.7 D = t P T t P T OHF D = D = t p 1 s t p 1 s

6 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C 3) page 11 3) Seite OHF4388 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm. / Maße in mm

7 Pinning Anschlussbelegung Pin Anschluss Description Beschreibung 1 cathode 2 anode Package Gehäuse Chipled, colourless, clear Chipled, farblos, klar Taping Gurtung Dimensions in mm [inch]. / Maße in mm [inch]. Note: Anm.: Packaging unit 2/reel, 18mm Verpackungseinheit 2/Rolle, 18 mm

8 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Note: Anm.: - metalization layer is thicker than the solder resist layer - Metallisierungsschicht ist dicker als die Lötschicht Note: - recommended solder thickness: µm Anm.: - empohlene Lötdicke: µm

9 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 3 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L T p OHA C 15 t S 5 25 C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s Maximum 8 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to C Time 25 C to T P T P t P All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range C s K/s s

10 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

11 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) Thermal resistance: junction - soldering point, of the device only, mounted on an ideal heatsink (e.g. metal block) 3) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) Wärmewiderstand: Sperrschicht - Lötstelle, für das Bauteil, bei Montage auf einer idealen Wärmesenke (z.b. Metall-Block) 3) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert

12 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053 212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043 212-12-18 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (94 nm) CHIPLED (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 443 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052 213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056 212-1-11 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 456 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550 214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258 214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4258 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1. 213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N 213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701 28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251

Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251 215-9-11 Infrared Emitter (85 nm) and green GaP-LED (57 nm) Infrarot Sender (85 nm) und grüne GaP-LED (57 nm) Version 1.1 SFH 7251 Features: SMT package with IR emitter (85 nm) and green emitter (57 nm)

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH 27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle

Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle 213-11-6 Infrared Emitter (85 nm) and green GaP-LED (57 nm) Infrarot Sender (85 nm) und grüne GaP-LED (57 nm) Version 1. SFH 7251 Features: Besondere Merkmale: SMT package with IR emitter (85 nm) and green

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209 Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm ! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A 2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 214-11-1 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4554 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 86nm Wellenlänge 86nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching

Mehr

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271 212-8-17 Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1. (not for new design) SFH 4271 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH4257 Ersatz: SFH4257 Black coloured TOPLED-package Schwarz eingefärbtes

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting

Mehr

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen 213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 421 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4253 Ersatz: SFH 4253 Very

Mehr

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (8nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (8nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2701 215-1-5 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 271 Features: Especially suitable for applications from 4 nm to 15 nm Fast switching time within the specified wavelength Fast switching

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 214-1-9 OSLON Black Series (85 nm) Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250 215-1-28 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 725 Features: Available on tape and reel SMT package with IR emitter (85 nm) and Si-phototransistor

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250 213-12-16 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 425 Features: Besondere Merkmale: High forward current allowed at high temperature Hohe

Mehr

BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 SFH7060

BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 SFH7060 ! 2007-05-23 BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 Features: Multi chip package featuring three green, one red, one infrared emitter and one detector Besondere Merkmale: Multi-Chip-Gehäuse mit drei grünen,

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 424 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Homogene

Mehr

Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655

Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655 Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750 2-12-1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204 215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75

Mehr

Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646

Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646 Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 4646 SFH 464 SFH 4646 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.3 SFH 4850 E7800. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN GQC

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.3 SFH 4850 E7800. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN GQC 215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1.3 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon photodetectors

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger

Mehr

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) 214-1-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485 28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 32, SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Features: Spectral range of sensitivity: 45

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V 214-1-9 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable for applications from 4 nm to

Mehr

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)

Mehr

(SFH 2505) und 750 nm bis 1100 nm (SFH 2500FA/ SFH 2505FA)

(SFH 2505) und 750 nm bis 1100 nm (SFH 2500FA/ SFH 2505FA) 211--2 Silicon PIN Photodiode in SMR Package Silizium-PIN-Fotodiode in SMR Gehäuse Version 1. SFH 25 FA SFH 255 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S % ) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 2-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge

Mehr

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

Output: active "low" Ausgang: aktiv "low" Built-in Schmitt Trigger circuit Integrierter Schmitt-Trigger Compact package Miniatur-Gehäuse

Output: active low Ausgang: aktiv low Built-in Schmitt Trigger circuit Integrierter Schmitt-Trigger Compact package Miniatur-Gehäuse 2014-01-10 Schmitt-Trigger IC in Miniature Sidelooker Package with Lens Schmitt-Trigger IC im Miniatur Sidelooker Gehäuse mit Linse Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Output: active "low" Ausgang:

Mehr

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger

Mehr

Cathode GEX Cathode GEX06305

Cathode GEX Cathode GEX06305 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5

Mehr