Züchtung von neuartigen Kristallen für die Halbleitertechnik

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Züchtung von neuartigen Kristallen für die Halbleitertechnik"

Transkript

1 Züchtung von neuartigen Kristallen für die Halbleitertechnik Dr.-Ing. Matthias Bickermann

2 1. Was haben Kristalle mit Halbleitertechnik zu tun? 2. Anforderungen an ein Substrat 3. Halbleitertechnik, das ist doch Silizium! 4. Wie Siliziumkristalle hergestellt werden 5. Was Silizium nicht kann Neuartige Kristalle schmelzen nicht! 7. PVT das Kochtopf-Prinzip 8. Wie sehen solche Kristalle aus und wofür braucht man sie?

3 1. Was haben Kristalle mit Halbleitertechnik zu tun? Elektronische Bauelemente sind aus einem sehr dünnen Film aufgebaut: Gesamtdicke des Bauelements: (dort, wo Strom durch Schaltungen fließt) μm Gesamtdicke der Unterlage: μm Die Unterlage ( Substrat ) besitzt keine elektrische Funktionalität!

4 2. Anforderungen an ein Substrat Abbildung: Infineon AG, München Elektronische Bauelemente brauchen ein Substrat als mechanische Unterlage Wärmeableitung perfekte Wachstumsunterlage für die Bauelementschichten

5 2. Anforderungen an ein Substrat Bauelementschicht Defekt! Defekt! Defekt! Defekt! Defekt! Substrat Gute Bauelementschichten müssen auf einem Substrat aus dem gleichen Material hergestellt werden, sonst treten Defekte auf! Beispiel: Material A (Substrat) hat 1% größeren Atomabstand als Material B (Schicht) Atome/cm² auf der Oberfläche Defekte/cm² Einige Defekte wachsen nach oben aus und führen zu Störungen im Bauelement.

6 3. Halbleitertechnik, das ist doch Silizium! Über 95% aller Halbleiterbauelemente sind aus Silizium (und auf einem Siliziumkristall aufgebracht) nur 1 Element (Verunreinigungen und Zusammensetzungsprobleme werden vermieden) Züchtung wird seit 40 Jahren erforscht: praktisch frei von Kristalldefekten, dadurch werden sehr kleine Strukturen möglich (z.b. RAM, Intel Pentium etc.) billig (100 kg kosten im Einkauf etwa 50, eine Substratscheibe kostet etwa 30 ) Abbildungen: U.S. Department of Labor (

7 4. Wie Siliziumkristalle hergestellt werden Wie werden Siliziumkristalle hergestellt? Czochralski-Verfahren Si-Granulat wird geschmolzen ein Si-Keim wird eingetaucht Abbildung: Siltronic AG, Burghausen der Kristall wird langsam aus der Schmelze gezogen (einige mm/h) Ein Kristall ist bis zu 40 cm dick, 150 cm lang und 700 kg schwer. Daraus stellt man ca Substrate her.

8 5. Was Silizium nicht kann... Leider können auch Siliziumbauelemente nicht alles: Power 1GW MW kW 100 Thyristor GTO GTO IGBT Si IGBT SiC MOSFET MOSFET GaAs SiGe MESFET GaN SiC MESFET HBT 10 Hz khz MHz GHz Frequency Hohe Leistungen (> 100 MW) Hohe Frequenzen (> 2 GHz) Hohe Temperaturen (> 70 C) Strahlende Umgebungen Leuchtdioden und Laser Hier sind andere Materialien (z.b. SiC, GaN, AlN) besser (auch wenn sie teurer und nicht so perfekt herzustellen sind)

9 6. Neuartige Kristalle schmelzen nicht! Beispiel Siliziumkarbid (SiC): fast so hart wie Diamant (Schleifpulver!) chemisch sehr inert SiC zersetzt sich bei 2800 C, ohne vorher zu schmelzen. Wie werden hier Kristalle hergestellt? strahlungsresistent hochtemperaturfest für hohe Frequenzen und hohe Leistungen geeignet Für das neuartige Material Aluminiumnitrid (AlN) gelten die gleichen Überlegungen.

10 7. PVT das Kochtopf-Prinzip Abbildung: Keim SiC-Pulver

11 8. Wie sehen SiC-Kristalle aus und wozu braucht man sie? Züchtung bei ca C Schutzgasatmosphäre induktive Beheizung (ca. 10 kw) Graphittiegel Graphitisolation 20 mm in 72 Std. ( μm/h) Durchmesser bis zu 10 cm Abbildung: SiC-Einkristall Aus einem Kristall erhält man ca. 15 Substrate. Das Sägen und Polieren dieser Substrate ist sehr aufwändig. Substrate guter Qualität kosten etwa 500 /Stück.

12 8. Wie sehen SiC-Kristalle aus und wozu braucht man sie? Siliziumkarbid (SiC): Schottkydioden (Netzteile) Bauteile für Handymasten Sensoren, die bei hohen Temperaturen arbeiten Substrat für blaue LEDs / Laser Abbildung: Infineon AG, München Aktueller Stand: Firma SiCrystal (Ausgründung des Lehrstuhls 1996) verkauft SiC-Substrate als einziger Hersteller in Europa

13 8. Wie sehen AlN-Kristalle aus und wozu braucht man sie? 1cm Abbildung: AlN-Substrate, am Lehrstuhl hergestellt (die größten in Europa!) Sehr komplizierte Züchtung, da kein Material den entstehenden Aluminiumdampf bei ca C lange aushält. Wolframtiegel und -isolation 8 mm in 72 Std. (ca. 90 μm/h) Durchmesser bis 2,5 cm Aus einem Kristall erhält man ca. 5 Substrate. Das Polieren dieser Substrate ist chemisch sehr schwierig. AlN-Substrate gibt es weltweit (noch) nicht zu kaufen.

14 8. Wie sehen AlN-Kristalle aus und wozu braucht man sie? Aluminiumnitrid (AlN): Hochleistungs-Hochfrequenz- Bauteile (z.b. Radar) UV Leuchtdioden und Laser Substrat für Leuchtdioden im gesamten Spektralbereich (AlGaInN) AlN GaN InN nm

Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen

Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen Matthias Bickermann Promotionsvortrag am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik, 19. März 2002 Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen

Mehr

Solarzellen, Kristallstrukturen, Defekte und Ihre Stromrechnung

Solarzellen, Kristallstrukturen, Defekte und Ihre Stromrechnung Solarzellen, Kristallstrukturen, Defekte und Ihre Stromrechnung Susanne Siebentritt Université du Luxembourg Was sind Dünnfilmsolarzellen? Wie machen wir Solarzellen? Wie funktioniert eine Solarzelle?

Mehr

Wafer Grundlage der ICs

Wafer Grundlage der ICs Wafer Grundlage der ICs Gliederung Was ist ein Wafer? Material und Verwendung Herstellung Größe und Ausbeute Quellen Was ist ein Wafer? Ein Wafer ist eine flache, runde Scheibe mit einer Dicke von 1mm

Mehr

FRAUNHOFER-VERBUND MIKROELEKTRONIK TECHNOLOGIEN UND SYSTEME AUS EINER HAND

FRAUNHOFER-VERBUND MIKROELEKTRONIK TECHNOLOGIEN UND SYSTEME AUS EINER HAND FRAUNHOFER-VERBUND MIKROELEKTRONIK TECHNOLOGIEN UND SYSTEME AUS EINER HAND Gesamte Wertschöpfungskette für die Mikro- und Nanoelektronik aus einer Hand Die im April 2017 ins Leben gerufene standortübergreifende

Mehr

Schaltzeichen. Schaltzeichen

Schaltzeichen. Schaltzeichen Die Eigenschaften des pn-übergangs werden in Halbleiterdioden genutzt. Halbleiterdioden bestehen aus einer p- und einer n-leitenden Schicht. Die Schichten sind in einem Gehäuse miteinander verbunden und

Mehr

Halbleiterarten. Technische Universität Ilmenau Institut für Werkstofftechnik. Halbleiter. elektronische Halbleiter

Halbleiterarten. Technische Universität Ilmenau Institut für Werkstofftechnik. Halbleiter. elektronische Halbleiter Halbleiterarten Halbleiter kristalline Halbleiter amorphe Halbleiter elektronische Halbleiter Ionenhalbleiter elektronische Halbleiter Ionenhalbleiter Element Halbleiter Verbindungshalbleiter Eigen Halbleiter

Mehr

Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren und Transistoren für Retina-Implantate

Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren und Transistoren für Retina-Implantate Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren und Transistoren für Retina-Implantate Moor s Law Pentium IV Wie groß ist ein Transistor? Der MOSFET Der MOSFET Funktionsweise eines MOSFETs Hochintegrierte

Mehr

Elementare Schaltvorgänge

Elementare Schaltvorgänge Elementare Schaltvorgänge Was sind als Schalter MOSFET (Schaltverhalten) Freilaufdiode Treiberschaltungen Kühlung Quellen 1 Elementare Schaltvorgänge meist als Schalterbetrieb Ziel ist möglichst Verlustarm

Mehr

"Aufbau und Funktion von LEDs" Franziska Brückner und Dennis Winterstein

Aufbau und Funktion von LEDs Franziska Brückner und Dennis Winterstein 2 3 4 5 6 Dotierung einer LED Dotierung = Einbringen von Fremdstoffen (III oder V Elemente) in den Halbleiterkristall i ll 1. Technik: Dotierung durch Diffusion Dotiermaterial diffundiert aufgrund des

Mehr

Niederdimensionale Halbleitersysteme I

Niederdimensionale Halbleitersysteme I Niederdimensionale Halbleitersysteme I SS 2013 Donat J. As Universität Paderborn, Department Physik d.as@uni-paderborn.de http://physik.upb.de/ag/ag-as/ P8.2.10 Tel.: 05251-60-5838 Inhalt Teil I: Einleitung

Mehr

Fachhochschule Wedel. Fertigungstechnik der Elektronik

Fachhochschule Wedel. Fertigungstechnik der Elektronik Fachhochschule Wedel University of Applied Sciences Klausurrelevante Zusammenfassung erstellt im: Februar 2001 von: Alexander Markowski Basis: Vorlesung im WS 00/01 Inhaltsverzeichnis Abbildungsverzeichnis

Mehr

Atom-, Molekül- und Festkörperphysik

Atom-, Molekül- und Festkörperphysik Atom-, Molekül- und Festkörperphysik für LAK, SS 2013 Peter Puschnig basierend auf Unterlagen von Prof. Ulrich Hohenester 10. Vorlesung, 27. 6. 2013 Halbleiter, Halbleiter-Bauelemente Diode, Solarzelle,

Mehr

Hausaufgaben zum Praktikum Halbleiterbauelemente der Hochleistungselektronik

Hausaufgaben zum Praktikum Halbleiterbauelemente der Hochleistungselektronik Hausaufgaben zum Praktikum Halbleiterbauelemente der Hochleistungselektronik Die folgenden Aufgaben dienen der Vorbereitung auf das Praktikum Halbleiterbauelemente der Hochleistungselektronik. Bitte bearbeiten

Mehr

Hypergeometrische Verteilung

Hypergeometrische Verteilung Hypergeometrische Verteilung Aufgaben Aufgabe 1 Eine Firma produziert insgesamt 30 elektronische Bauteile des gleichen Typs. Aus langjähriger Erfahrung weiß man das davon jedes 70te defekt ist. Um die

Mehr

Übung Bauelemente der Elektronik Berechnung eines Widerstandes in Dünnfilmtechnik

Übung Bauelemente der Elektronik Berechnung eines Widerstandes in Dünnfilmtechnik Für die Herstellung eines integrierten DA-Wandlers werden integrierte Präzisions-Dünnfilmwiderstände benötigt. Als Material für die Widerstandsschicht wurde ein partiell oxidiertes Chromsilizid (CrSi2Ox)

Mehr

1. Welche Zeitkonstante hat eine Drosselspule von 8,5 H, die einen Widerstand von 300 W besitzt?

1. Welche Zeitkonstante hat eine Drosselspule von 8,5 H, die einen Widerstand von 300 W besitzt? 1. Welche Zeitkonstante hat eine Drosselspule von 8,5 H, die einen Widerstand von 300 W besitzt? 2. Welchen Wert hat der Strom eine halbe Sekunde nach dem Einschalten, wenn die Induktivität einer Drosselspule

Mehr

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,

Mehr

Von der Keramik zur Schaltung

Von der Keramik zur Schaltung Von der Keramik zur Schaltung Dr.. Jürgen Schulz-Harder Harder,, curamik electronics gmbh j.schulz schulz-harder@curamik.de Kooperationsforum Leiterplattentechnologie Trends-Strategien-Innovationen 25.01.2005,

Mehr

Züchtung von Volumenkristallen aus Halbleitern großer Bandlücke aus der Gasphase am Beispiel AlN

Züchtung von Volumenkristallen aus Halbleitern großer Bandlücke aus der Gasphase am Beispiel AlN Züchtung von Volumenkristallen aus Halbleitern großer Bandlücke aus der Gasphase am Beispiel AlN Matthias Bickermann und Institut für Chemie der Technischen Universität Berlin Vortrag im Materialforum

Mehr

LED geballte Lichtpower Technologie der Zukunft

LED geballte Lichtpower Technologie der Zukunft LED geballte Lichtpower Technologie der Zukunft Übersicht S. 3: Begriffserklärung S. 4: Geschichte S. 5: Aufbau S. 6: Funktion S. 7: LED vs. Glühlampe S. 8: Einsatzbereiche S. 9: Die Zukunft heißt LED

Mehr

Nanostrukturierte thermoelektrische Materialien

Nanostrukturierte thermoelektrische Materialien Projektverbund Umweltverträgliche Anwendungen der Nanotechnologie Zwischenbilanz und Fachtagung, 27. Februar 2015 Wissenschaftszentrum, Straubing Nanostrukturierte thermoelektrische Materialien Prof. Dr.

Mehr

Der Transistor (Grundlagen)

Der Transistor (Grundlagen) Der Transistor (Grundlagen) Auf dem Bild sind verschiedene Transistoren zu sehen. Die Transistoren sind jeweils beschriftet. Diese Beschriftung gibt Auskunft darüber, um welchen Transistortyp es sich handelt

Mehr

Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums

Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums Aufbau des Spektrinos (Aufgabe für Schüler) 1.) Man entwerfe eine Schaltung bestehend

Mehr

TCO-Schichten für die CIGS- Solarmodulproduktion

TCO-Schichten für die CIGS- Solarmodulproduktion TCO-Schichten für die CIGS- Solarmodulproduktion Die Firma Würth Solar GmbH & Co. KG hat im Jahre 2000 eine Pilotfertigung für CIGS-Dünnschichtsolarzellen in Betrieb genommen. Diese Linie mit einer maximalen

Mehr

Bildreportage: Gedruckte Nano-Leuchten

Bildreportage: Gedruckte Nano-Leuchten Bildreportage: Gedruckte Nano-Leuchten Das Unternehmen cynora in Eggenstein-Leopoldshafen entwickelt preiswerte Leuchtdioden, sogenannte OLEDS, für Bildschirme in Handys, Fernsehern, Digitalkameras oder

Mehr

Hitzschlag oder kühler Kopf?

Hitzschlag oder kühler Kopf? Hitzschlag oder kühler Kopf? Perspektiven für die Computer- und Chip-Entwicklung Prof. Dr.-Ing. Andreas Koch Technische Universität Darmstadt Verborgene Computer 2 Ubiquitäre Computer 3 Quelle: www.ubicomp.org,

Mehr

Dr. Jan-Henning Fabian, ABB Forschungszentrum Schweiz Technologie für 10-kV- Leistungshalbleiter Neue Hochleistungs-IGCTs

Dr. Jan-Henning Fabian, ABB Forschungszentrum Schweiz Technologie für 10-kV- Leistungshalbleiter Neue Hochleistungs-IGCTs Dr. Jan-Henning Fabian, ABB Forschungszentrum Schweiz Technologie für 10-kV- Leistungshalbleiter Neue Hochleistungs-IGCTs 17.11.2009, Ladenburg, Pressetag im Forschungszentrum Slide 1 Hochleistungshalbleiter

Mehr

Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums

Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums Spektrino Modellexperiment zur Veranschaulichung und Betrachtung von sichtbaren uns unsichtbaren Bereichen des Spektrums Aufbau des Spektrinos (Aufgabe für Schüler) 1.) Man entwerfe eine Schaltung bestehend

Mehr

Das große. Halbleiterlaser. Clicker-Quiz

Das große. Halbleiterlaser. Clicker-Quiz Das große Halbleiterlaser Clicker-Quiz Aufbau eines Lasers Was wird bei der Separate Confinement Heterostructure separat eingeschlossen? a) Elektronen und Löcher b) Ladungsträger und Photonen c) Dotieratome

Mehr

Berechnen Sie die Teilwiderstände R 1 und R 2.

Berechnen Sie die Teilwiderstände R 1 und R 2. 1 Unbelasteter Spannungsteiler Ein verstellbarer Widerstand 300 Ω /1 A wird als Spannungsteiler benutzt. Die angelegte Spannung von U 1 = 12 V soll auf U 2 = 2,5 V herabgesetzt werden. = 237, 5Ω R 2 =

Mehr

Leistungshalbleiter Bauelemente

Leistungshalbleiter Bauelemente Lehrveranstaltung Leistungselektronik Grundlagen und Standard-Anwendungen Leistungshalbleiter Bauelemente Prof. Dr. Ing. Ralph Kennel (ralph.kennel@tum.de) Technische Universität München Arcisstraße 21

Mehr

Nanotubes. Bauelemente für eine neue Nanoelektronik. Moritz Bubek

Nanotubes. Bauelemente für eine neue Nanoelektronik. Moritz Bubek Nanotubes Bauelemente für eine neue Nanoelektronik Moritz Bubek Übersicht Struktur von Nanotubes Defekte an Nanotubes klassischer Schottky-Effekt Elektrische Eigenschaften von SWNTs SWNT-Schottky-Diode

Mehr

Kunststoff und Keramik

Kunststoff und Keramik Einleitung Mobile Dual-Energy 3D-Terahertz-Bildgebung für Kunststoff und Keramik Einleitung Grundlagen der 3D-Terahertz-Bildgebung Risse und Faserorientierungen in GFK-Bauteilen Fügeverbindungen von GFK-Profilen

Mehr

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 VII Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis...VII 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen...5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische

Mehr

Hochtemperatur-Supraleiter (HTS)

Hochtemperatur-Supraleiter (HTS) Hochtemperatur-Supraleiter (HTS) Supraleiter übertragen Strom nahezu verlustfrei und ermöglichen somit große Einsparpotenziale bei Stromerzeugung und -transport. Hochtemperatur-Supraleiter leiten den Strom

Mehr

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS Gruppe: Teilnehmer Name Matr.-Nr.

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS Gruppe: Teilnehmer Name Matr.-Nr. HSD FB E I Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik Bauelemente-raktikum Kühlung von Halbleiterbauelementen Datum: WS/SS 201.. Gruppe: Teilnehmer Name Matr.-Nr. 1 2 3 Testat Versuchsaufbau

Mehr

h-bestimmung mit LEDs

h-bestimmung mit LEDs Aufbau und Funktion der 13. März 2006 Inhalt Aufbau und Funktion der 1 Aufbau und Funktion der 2 sbeschreibung Inhalt Aufbau und Funktion der 1 Aufbau und Funktion der 2 sbeschreibung Aufbau und Funktion

Mehr

Übersicht. 6. Lithographie: 1. Optische Lithographie. 2. e-beam / AFM /STM. 3. Röntgen. 4. EUV (soft X-ray) 5. Imprint Technologie B6.

Übersicht. 6. Lithographie: 1. Optische Lithographie. 2. e-beam / AFM /STM. 3. Röntgen. 4. EUV (soft X-ray) 5. Imprint Technologie B6. Übersicht 6. Lithographie: 1. Optische Lithographie 2. e-beam / AFM /STM 3. Röntgen 4. EUV (soft X-ray) 5. Imprint Technologie Prof. Dr. H. Baumgärtner B6.4-1 Die Extrem UV Lithographie ist eine Weiterentwicklung

Mehr

ist bekannt, das insgesamt 50% aller produzierten Bauteile fehlerfrei sind.

ist bekannt, das insgesamt 50% aller produzierten Bauteile fehlerfrei sind. Aufgabe 1: Die Firma Gut und teuer kurz Gut produziert elektronische Bauteile. Vor dem Verkauf an die Kunden werden diese sorgfältig geprüft. Von den fehlerfreien werden 95% und von den fehlerhaften 1%

Mehr

Orientierung 100 Orientierung 110 Orientierung 111. Abb. 1.1: Kristallorientierungen

Orientierung 100 Orientierung 110 Orientierung 111. Abb. 1.1: Kristallorientierungen 1 Waferherstellung 1.1 Herstellung des Einkristalls 1.1.1 Der Einkristall Ein Einkristall (Monokristall), wie er in der Halbleiterfertigung benötigt wird, ist eine regelmäßige Anordnung von Atomen. Daneben

Mehr

Stromstärke Elektrischer Strom ist bewegte Ladung Der Ladungstransport erfolgt in Metallen durch Leitungselektronen, in Elektrolyten durch Ionen, in G

Stromstärke Elektrischer Strom ist bewegte Ladung Der Ladungstransport erfolgt in Metallen durch Leitungselektronen, in Elektrolyten durch Ionen, in G Elektrischer Strom Stromstärke Elektrischer Strom ist bewegte Ladung Der Ladungstransport erfolgt in Metallen durch Leitungselektronen, in Elektrolyten durch Ionen, in Gasen durch Ionen und Elektronen.

Mehr

Spektroskopie. im IR- und UV/VIS-Bereich. Proben, Probengefässe, Probenvorbereitung.

Spektroskopie. im IR- und UV/VIS-Bereich. Proben, Probengefässe, Probenvorbereitung. Spektroskopie im IR- und UV/VIS-Bereich Proben, Probengefässe, Probenvorbereitung Dr. Thomas Schmid HCI D323 schmid@org.chem.ethz.ch http://www.analytik.ethz.ch Allgemeiner Aufbau eines Spektrometers d

Mehr

Die Chipfilm -Technologie

Die Chipfilm -Technologie Die Chipfilm -Technologie Herstellung ultradünner Siliziumchips mitt Hilfe vergrabener Hohlräume in Siliziumwafern Dr. Martin Zimmermann Institut für Mikroelektronik Stuttgart Allmandring 30 a 70569 Stuttgart

Mehr

Versuch: h-bestimmung mit Leuchtdioden

Versuch: h-bestimmung mit Leuchtdioden Lehrer-/Dozentenblatt Gedruckt: 22.08.207 2:35:42 P4800 Versuch: h-bestimmung mit Leuchtdioden Aufgabe und Material Lehrerinformationen Zusätzliche Informationen Das plancksche Wirkungsquantum h ist eine

Mehr

1. Motivation für die Charakterisierung von. niederdimensionalen Strukturen zu

1. Motivation für die Charakterisierung von. niederdimensionalen Strukturen zu Niederdimensionale Strukturen Physik der Nanostrukturen Strukturen deren räumliche Ausdehnung auf die Nanoskala beschränkt ist und welche aufgrund ihrer Form und Größe neuartige Materialeigenschaften besitzen

Mehr

Fachhochschule Gießen Friedberg Blatt 2 Übungsaufgaben Elektrotechnik Maschinenbau, Mikrotechnik, Optronik

Fachhochschule Gießen Friedberg Blatt 2 Übungsaufgaben Elektrotechnik Maschinenbau, Mikrotechnik, Optronik Fachhochschule Gießen Friedberg Blatt 2 Übungsaufgaben Elektrotechnik Aufgabe 2.1 Im skizzierten Stromkreis fließt der Strom I = 40 A. Am Verbraucher liegt die Spannung U V = 220 V an. Die Widerstände

Mehr

ONYX -MC MEHRKANAL- GLASFASER-PYROMETER PRÄZISE TEMPERATURMESSUNG FÜR ANSPRUCHSVOLLE INDUSTRIEANWENDUNGEN

ONYX -MC MEHRKANAL- GLASFASER-PYROMETER PRÄZISE TEMPERATURMESSUNG FÜR ANSPRUCHSVOLLE INDUSTRIEANWENDUNGEN ONYX -MC MEHRKANAL- GLASFASER-PYROMETER PRÄZISE TEMPERATURMESSUNG FÜR ANSPRUCHSVOLLE INDUSTRIEANWENDUNGEN Genaue, reproduzierbare und zuverlässige Temperaturmessung Seite 2 Onyx -MC MEHRKANAL-GLASFASER-PYROMETER

Mehr

Elektronische Magnetschalter

Elektronische Magnetschalter Elektronische Besonderheiten elektronischer Die elektronischen von BERSTEI basieren auf zwei unterschiedlichen physikalischen Funktionsprinzipien: dem Hall- bzw. dem magnetoresistiven (MR) Effekt. Die

Mehr

Besprechung am

Besprechung am PN2 Einführung in die Physik für Chemiker 2 Prof. J. Lipfert SS 2016 Übungsblatt 10 Übungsblatt 10 Besprechung am 27.6.2016 Aufgabe 1 Interferenz an dünnen Schichten. Weißes Licht fällt unter einem Winkel

Mehr

Halbleiterexperten treffen sich in Dresden Hohe Resonanz für Kristallzüchtungstagung mit Bedeutung für den Mikroelektronikstandort

Halbleiterexperten treffen sich in Dresden Hohe Resonanz für Kristallzüchtungstagung mit Bedeutung für den Mikroelektronikstandort Pressemitteilung, 31. März 2016 Halbleiterexperten treffen sich in Dresden Hohe Resonanz für Kristallzüchtungstagung mit Bedeutung für den Mikroelektronikstandort Sachsen Etwa 170 Fachleute aus Wirtschaft

Mehr

TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG. Versuch: Elektrische Leitfähigkeit (Sekundarstufe I) Moduli: Physikalische Eigenschaften

TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG. Versuch: Elektrische Leitfähigkeit (Sekundarstufe I) Moduli: Physikalische Eigenschaften TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG Schülerlabor Science meets School Werkstoffe & Technologien in Freiberg Versuch: (Sekundarstufe I) Moduli: Physikalische Eigenschaften 1 Versuchsziel Die Messung

Mehr

EINE SCHICHT WIE SCHWARZER DIAMANT

EINE SCHICHT WIE SCHWARZER DIAMANT VH-BLACK-DIAMOND EINE SCHICHT WIE SCHWARZER DIAMANT 02 VH-BLACK-DIAMOND VH-BLACK-DIAMOND 03 VH-BLACK-DIAMOND Sie suchen nach einer ultimativen Beschichtung, die Reibung und Verschleiß extrem reduziert,

Mehr

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,

Mehr

Ultrakurzpulslaser Märkte, Anwendungen, Laser

Ultrakurzpulslaser Märkte, Anwendungen, Laser Ultrakurzpulslaser Märkte, Anwendungen, Laser Christof Siebert Leiter Branchenmanagement Mikro TRUMPF Laser- und Systemtechnik GmbH Ditzingen Geschichte Anwendungen Branchen Laser Zusammenfassung Geschichte

Mehr

Berechnen Sie die Teilwiderstände R 1 und R 2.

Berechnen Sie die Teilwiderstände R 1 und R 2. 1 nbelasteter Spannungsteiler Ein verstellbarer Widerstand 300 Ω /1 A wird als Spannungsteiler benutzt. Die angelegte Spannung von 1 = 1 V soll auf =,5 V herabgesetzt werden. = 37, 5Ω R = 6, 5Ω 1 R1 Berechnen

Mehr

Schaltungsvereinfachung und Effizienzsteigerung mit JFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) von Semisouth

Schaltungsvereinfachung und Effizienzsteigerung mit JFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) von Semisouth Herzliche Einladung zu unserem Seminar Schaltungsvereinfachung und Effizienzsteigerung mit JFETs und Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) von Semisouth Ein Seminar der R3Tec GmbH am 21. November 2012

Mehr

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,

Mehr

GD-OES Kalibrationen für die Analyse dünner Schichten in der siliziumbasierten Photovoltaik: Herausforderungen und Lösungen

GD-OES Kalibrationen für die Analyse dünner Schichten in der siliziumbasierten Photovoltaik: Herausforderungen und Lösungen GD-OES Kalibrationen für die Analyse dünner Schichten in der siliziumbasierten Photovoltaik: Herausforderungen und Lösungen Jonathan Steffens Anwendertreffen Analytische Glimmentladungsspektrometrie, Bremen,

Mehr

Aufgaben ================================================================== 1. Ölfleckversuch

Aufgaben ================================================================== 1. Ölfleckversuch Aufgaben ================================================================== 1. Ölfleckversuch Hans, Martin und Sandra führen gemeinsam den Öltröpfchenversuch durch, wobei ihnen aus Versehen anstelle eines

Mehr

EyeScan AT 3D. Technische Daten. Bis zu Hz (je nach Modell) Bis zu 4096 Punkte / Profile (je nach Modell)

EyeScan AT 3D.  Technische Daten. Bis zu Hz (je nach Modell) Bis zu 4096 Punkte / Profile (je nach Modell) EyeScan 3D Sensoren 2 3 EyeScan AT 3D Technische Daten Profile Speed Bis zu 25000 Hz (je nach Modell) Profile Resolution Bis zu 4096 Punkte / Profile (je nach Modell) Schnittstelle GigE Vision / GenICam

Mehr

Institut für Elektrische Maschinen, Antriebe und Bahnen

Institut für Elektrische Maschinen, Antriebe und Bahnen Prof. Dr.-Ing. Markus Henke markus.henke@tu-braunschweig.de, 0531 3913914 (Elektrische Antriebssysteme) Prof. Dr.-Ing. Regine Mallwitz (Leistungselektronik) regine.mallwitz@tu-braunschweig.de, 0531 3913901

Mehr

Sled-1-VD-Flat für Durchlicht- und Auflichtanwendungen ohne Durchbruch Sled1VDFlat

Sled-1-VD-Flat für Durchlicht- und Auflichtanwendungen ohne Durchbruch Sled1VDFlat Sled-1-VD-Flat für Durchlicht- und Auflichtanwendungen ohne Durchbruch Sled1VDFlat - Sehr flaches 4-Kantenbeleuchtungssystem Gleichmäßige Ausleuchtung durch Kantenbeleuchtungssystem - Geringes Gewicht

Mehr

Verbunden,abernichtverdrahtet. Verbunden aber nicht verdrahtet, November 2006 Thomas Hinderling Seite 1

Verbunden,abernichtverdrahtet. Verbunden aber nicht verdrahtet, November 2006 Thomas Hinderling Seite 1 Verbunden,abernichtverdrahtet Verbunden aber nicht verdrahtet, November 2006 Thomas Hinderling Seite 1 DieWisenschaftenbereitendenWegvor Verbunden aber nicht verdrahtet, November 2006 Thomas Hinderling

Mehr

Drohaflttsveirzeklhiinifls

Drohaflttsveirzeklhiinifls Drohaflttsveirzeklhiinifls 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente 1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen 5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische Grundlagen 5 2.1.1 Kristallgitter

Mehr

Halbleiterlaser Clicker Quiz 3

Halbleiterlaser Clicker Quiz 3 Halbleiterlaser Clicker Quiz 3 Interne Quanteneffizienz Welche der folgenden Prozesse reduzieren die interne Quanteneffizienz eines Halbleiterlasers? b a c d a) Nichtstrahlende Rekombination in der Mantelschicht

Mehr

Mikrowellenangeregte Gasentladungslampen. Christoph Kaiser. www.lti.uni-karlsruhe.de. Mikrowellenangeregte Gasentladungslampen Kaiser 2009

Mikrowellenangeregte Gasentladungslampen. Christoph Kaiser. www.lti.uni-karlsruhe.de. Mikrowellenangeregte Gasentladungslampen Kaiser 2009 Mikrowellenangeregte Gasentladungslampen Christoph Kaiser www.lti.uni-karlsruhe.de Ein Blick zurück.. Nicolas Teslas 1891: elektrodenlose HF Lampe Vorgeführt vor dem American Institute of Electrical Engineers,

Mehr

Aufgabe 1 ( 3 Punkte)

Aufgabe 1 ( 3 Punkte) Elektromagnetische Felder und Wellen: Klausur 2016-2 1 Aufgabe 1 ( 3 Punkte) Welche elektrische Feldstärke benötigt man, um ein Elektron (Masse m e, Ladung q = e) im Schwerefeld der Erde schweben zu lassen?

Mehr

Optische Spektroskopie mit Lasern: Grundlagen und Anwendungen. Wann: Mi Fr Wo: P1 - O1-306

Optische Spektroskopie mit Lasern: Grundlagen und Anwendungen. Wann: Mi Fr Wo: P1 - O1-306 Laserspektroskopie Was: Optische Spektroskopie mit Lasern: Grundlagen und Anwendungen Wann: Mi 13 15-14 00 Fr 10 15-12 00 Wo: P1 - O1-306 Wer: Dieter Suter Raum P1-O1-216 Tel. 3512 Dieter.Suter@uni-dortmund.de

Mehr

1 Waferherstellung. 1.1 Entstehung der Wafer Wafervereinzelung und Oberflächenveredelung. 1.1 Entstehung der Wafer

1 Waferherstellung. 1.1 Entstehung der Wafer Wafervereinzelung und Oberflächenveredelung. 1.1 Entstehung der Wafer 1 Waferherstellung 1.1 Entstehung der Wafer 1.1.1 Wafervereinzelung und Oberflächenveredelung Der Einkristallstab wird zunächst auf den gewünschten Durchmesser abgedreht und bekommt dann, je nach Kristallorientierung

Mehr

E Technologische Grundlagen

E Technologische Grundlagen E Technologische Grundlagen 2002, Franz J. Hauck, Verteilte Systeme, Univ. Ulm, [2005sTI1ETech.fm, 20050517 14.57] http://wwwvs.informatik.uniulm.de/teach/ws04/avo/ E.1 1 Einordnung Ebene 6 Ebene 5 Ebene

Mehr

Professur Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit Lehre und Forschung

Professur Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit Lehre und Forschung IEEE German Chapter Meeting 11. / 12. 05. 06 Professur Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit Lehre und Forschung Prof. Dr. Josef Lutz, TU Chemnitz Leistungselektronik und elektromagnetische

Mehr

Das ätherische Magnetfeld (Teil 2) Steuerung

Das ätherische Magnetfeld (Teil 2) Steuerung 1 Eugen J. Winkler / Das ätherische Magnetfeld (Teil 2) Das ätherische Magnetfeld (Teil 2) Steuerung Hier möchte ich Ihnen anhand von Diagrammen darstellen, wie die Form des ätherischen Magnetfeldes bei

Mehr

Festkörperelektronik 2008 Übungsblatt 5

Festkörperelektronik 2008 Übungsblatt 5 Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe (TH) Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer Dipl.-Phys. Alexander Colsmann Engesserstraße 13 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 5. Übungsblatt 26. Juni 2008 Die

Mehr

Ein verstellbarer Widerstand 300 Ω /1 A wird als Spannungsteiler benutzt. Die angelegte Spannung von U 1 = 12 V soll auf U 2 = 2,5 V herabgesetzt

Ein verstellbarer Widerstand 300 Ω /1 A wird als Spannungsteiler benutzt. Die angelegte Spannung von U 1 = 12 V soll auf U 2 = 2,5 V herabgesetzt nbelasteter Spannungsteiler Ein verstellbarer Widerstand 300 Ω / A wird als Spannungsteiler benutzt. Die angelegte Spannung von 2 soll auf 2 2,5 herabgesetzt werden. R 237, 5Ω R 2 62, 5Ω R Berechnen Sie

Mehr

Presseinformation. Es geht auch ohne Kabel. Hocheffizientes induktives Ladesystem für Elektrofahrzeuge entwickelt

Presseinformation. Es geht auch ohne Kabel. Hocheffizientes induktives Ladesystem für Elektrofahrzeuge entwickelt Seite 1 Es geht auch ohne Kabel Hocheffizientes induktives Ladesystem für Elektrofahrzeuge entwickelt Wissenschaftler des Fraunhofer-Instituts für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg haben ein hocheffizientes

Mehr

Ergänzung zur Berechnung der Zustandsdichte

Ergänzung zur Berechnung der Zustandsdichte Ergänzung zur Berechnung der Zustandsdichte Dichte der Zustände im k-raum: 1 1 L g(k)= = = 3 V (2 π /L) π 2 k 3 Abb. III.5: Schema zur Berechnung der elektronischen Zustandsdichte Zustandsdichte Dichte

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Halbleiterbauelemente Von Dr.-Ing. Karl-Heinz Löcherer Professor an der Universität Hannover M 1 Mit 330 Biläern, 11 Tafeln und 36 Beispielen B. G. Teubner Stuttgart 1992 Inhalt 1 Übergänge zwischen Halbleitern,

Mehr

Photovoltaik Theorie Bernd Fiedler. Fiedler Bernd Wien am,

Photovoltaik Theorie Bernd Fiedler. Fiedler Bernd Wien am, Photovoltaik Theorie Bernd Fiedler Technologien Kristalline Technologien Monokristallin Mono Power HIT (+18%) Standard mono (bis 16%) Polykristallin Polykristalline Zellen (SiN oder TiO2 bis 14,3%) Poly

Mehr

Sensortaster N

Sensortaster N Sensortaster Arbeitsblatt Dazu passende Arbeitsblätter gratis zum Herunterladen www.aduis.com Name: Klasse: Stückliste: Werkzeugvorschlag: 1 Widerstand R1...47K Ohm, gelb-violett-orange-gold Bleistift,

Mehr

Studienschwerpunkt Mechatronik/Vertiefungsrichtung Fahrzeugmechatronik Seite 1 von 8. Sommersemester 2018 Angewandte Elektronik

Studienschwerpunkt Mechatronik/Vertiefungsrichtung Fahrzeugmechatronik Seite 1 von 8. Sommersemester 2018 Angewandte Elektronik Studienschwerpunkt Mechatronik/Vertiefungsrichtung Fahrzeugmechatronik Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Sommersemester 2018 Angewandte

Mehr

Viel Erfolg!! Aufgabe 1: Operationsverstärker (ca. 10 Punkte) Seite 1 von 8. Wintersemester 2016/17 Elektronik

Viel Erfolg!! Aufgabe 1: Operationsverstärker (ca. 10 Punkte) Seite 1 von 8. Wintersemester 2016/17 Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Wintersemester 2016/17 Elektronik Matr.-Nr.: Name, Vorname: Hörsaal: Unterschrift: Prof. Dr.-Ing. Tilman

Mehr

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs- Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen

Mehr

Entwicklung eines textilen thermoelektrischen Generators

Entwicklung eines textilen thermoelektrischen Generators Entwicklung eines textilen thermoelektrischen Generators Gudrun Andrä 1, A. Gawlik 1, J. Plentz 1 K. Richter 2, S. Hauspurg, J.Kynast, L.Bölecke, M. Schlenker Leibniz-Institut für Photonische Technologien

Mehr

RFID-Ausweiskarten RFID-Schlüsselanhänger RFID-Armbänder RFID-Aufkleber. u.r.s. security Sicherheit rund um die Tür

RFID-Ausweiskarten RFID-Schlüsselanhänger RFID-Armbänder RFID-Aufkleber. u.r.s. security Sicherheit rund um die Tür RFID-Ausweiskarten RFID-Schlüsselanhänger RFID-Armbänder RFID-Aufkleber u.r.s. security Sicherheit rund um die Tür RFID - Schlüsselanhänger RFID Schlüsselanhänger Style Style ist ein attraktiver Schlüsselanhänger

Mehr

12 Vorteile-Nachteile

12 Vorteile-Nachteile 12-12.1 Luft für Kühlung und Temperaturmessung Teilfunktion A Stoff trennen (St 1 ) Luft für Kühlung und Temperatur Messung 12.1.1 Temperatursensor außerhalb der Steuerelektronik anbringen Abbildung 7:

Mehr

Piezospektroskopie an Fremdatom-Komplexen in den Halbleitern Si und GaAs

Piezospektroskopie an Fremdatom-Komplexen in den Halbleitern Si und GaAs Absorbance ( a. u. ) Hans Christian Alt, Hochschule München Fakultät für Angewandte Naturwissenschaften und Mechatronik Piezospektroskopie an Fremdatom-Komplexen in den Halbleitern Si und GaAs E F GPa

Mehr

TU Berlin Projektlabor SoSe Referat von Patrick Schall Patrick Schall 1

TU Berlin Projektlabor SoSe Referat von Patrick Schall Patrick Schall 1 TU Berlin Projektlabor SoSe 2013 Referat von Patrick Schall 03.06.2013 Patrick Schall 1 Gliederung 1) Definition 2) Geschichte und Entwicklung 3) Arten von Gleichrichtern 4) Ausgewählte Gleichrichterschaltungen

Mehr

digi EV 4x150 Digitaler HiFi-4-Kanal-Endverstärker

digi EV 4x150 Digitaler HiFi-4-Kanal-Endverstärker digi EV 4x150 Digitaler HiFi-4-Kanal-Endverstärker Bedienungsanleitung Bitte lesen Sie vor Gebrauch des Gerätes die Informationen Bedienungsanleitung, um sich mit dem Gerät vertraut zu machen. in dieser

Mehr

Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise

Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Reine Halbleitermaterialien, wie Silizium (Si) oder Germanium (Ge) sind bei Zimmertemperatur fast Isolatoren: bzw. bei sinkender Temperatur HL Isolator

Mehr

Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten

Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:

Mehr

Verbesserte Resonatoren: DFB-Struktur

Verbesserte Resonatoren: DFB-Struktur Verbesserte Resonatoren: DFB-Struktur FB-Resonatoren (=Kantenemitter) sind einfach herzustellen Nachteil: - Es werden sehr viele longitudinale Moden unterstützt - es gibt keine eingebaute Modenselektivität

Mehr

Vortrag Introduction to displays Do, 31.01.2008, 14:00 Uhr, LTI Hörsaal

Vortrag Introduction to displays Do, 31.01.2008, 14:00 Uhr, LTI Hörsaal Ankündigung BARCO Vortrag 13.2 Vortrag Introduction to displays Do, 31.01.2008, 14:00 Uhr, LTI Hörsaal Optische Systeme Martina Gerken 28.01.2008 Universität Karlsruhe (TH) Inhalte der Vorlesung 13.3 Glaslinsenherstellung:

Mehr

FACULTY OF ENGINEERING CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITY OF KIEL

FACULTY OF ENGINEERING CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITY OF KIEL FACULTY OF ENGINEERING CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITY OF KIEL 1. Auf Du und Du mit Energie Der deutsche Normalverbraucher 4 Personen Haushalt ca. 1.800 kwh pro Person Durchschnitt Deutschland: 1.750 kwh/kopf

Mehr

// Verkaufsprogramm Findet Lösungen!

// Verkaufsprogramm  Findet Lösungen! // Verkaufsprogramm www.amelec.ch Findet Lösungen! KONDENSATOREN // NETZ- FILTER // INDUKTIVITÄTEN // WIDERSTÄNDE // // STROM- VERSORGUNGEN // REED- TECHNIK // VERBINDUNGS- TECHNIK... www.amelec.ch Findet

Mehr

Halbleiter-Leistungsbauelemente

Halbleiter-Leistungsbauelemente Halbleiter-Leistungsbauelemente Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Bearbeitet von Josef Lutz 1. Auflage 2012. Buch. xxii, 383 S. Hardcover ISBN 978 3 642 29795 3 Format (B x L): 16,8 x 24 cm Gewicht:

Mehr

Fakultät Elektrotechnik & Informationstechnik, Institut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik. IR-SimpleCam

Fakultät Elektrotechnik & Informationstechnik, Institut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik. IR-SimpleCam Elektronik Fakultät Elektrotechnik & Informationstechnik, Institut für Aufbau- und Elektronik IR-SimpleCam Thermografie für die Leistungselektronik 68. Treffen des SAET 30. September 2016 in Dresden Michael

Mehr

PS III - Rechentest

PS III - Rechentest Grundlagen der Elektrotechnik PS III - Rechentest 01.03.2011 Name, Vorname Matr. Nr. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Summe Punkte 3 15 10 12 11 9 60 erreicht Hinweise: Schreiben Sie auf das Deckblatt Ihren Namen und

Mehr

Smart p² Pack Status update. Schramberg,

Smart p² Pack Status update. Schramberg, Smart p² Pack Status update Schramberg, 13.04.2015 Automotive Trends und wie LP diese unterstützen Weniger Kraftstoff & CO2 Elektrifizierung, Downsizing und neue Antriebsstrang Konzepte: Hybrid, EV, Brennstoffzelle

Mehr