Technische Information / Technical Information
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- Markus Frei
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1 Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V RRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I FRMSM 80 A RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom T C = 100 C I d 134 A output current Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, t p = 10ms I FSM 650 A surge forward current T vj = T vj max, t p = 10ms 550 A Grenzlastintegral T vj = 25 C, t p = 10ms I²t 2100 A²s I²t-value T vj = T vj max, t p = 10ms 1500 A²s IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung V CES 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T C = 80 C I C 70 A DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom t p = 1ms, T C = 80 C I CRM 150 A repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung T C = 25 C P tot 500 W total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung V GE ± 20 V gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung V RRM 1200 V repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom T C = 80 C I F 35 A DC forward current Periodischer Spitzenstrom t p = 1ms I FRM 70 A repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V ISOL 2,5 kv insulation test voltage NTC connected to baseplate Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max. Durchlaßspannung T vj = T vj max, i F = 100A v F 1,35 V forward voltage Schleusenspannung T vj = T vj max V (TO) 0,75 V threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 6,3 mω forward slope resistance Sperrstrom T vj = T vj max, v R = V RRM i R 5 ma reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip T C = 25 C R AA`+KK` 1 mω lead resistance, terminals-chip prepared by: Ralf Jörke date of publication: approved by: Lothar Kleber revision: 1 BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 34/00 Seite/page 1(12)
2 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung T vj = 25 C, i C = 70A, v GE = 15V v CE sat 2,05 2,75 V collector-emitter saturation voltage T vj = 125 C, i C = 70A, v GE = 15V 2,40 Gate-Emitter-Schwellspannung T vj = 25 C, i C = 3mA, v GE = v CE v GE(TO) 4,5 5,5 6,5 V gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität T vj = 25 C, f 0 = 1MHz, C ies 5,1 nf input capacitance v CE = 25V, v GE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom T vj = 25 C, v CE = 1200V, v GE = 0V i CES µa collector-emitter cut-off current T vj = 125 C, v CE = 1200V, v GE = 0V 500 Gate-Emitter Reststrom T vj = 25 C, v CE = 0V, v GE = 20V i GES 400 na gate leakage current Emitter-Gate Reststrom T vj = 25 C, v CE = 0V, v EG = 20V i EGS 400 na gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode Durchlaßspannung T vj = 25 C, i F = 35A v F 1,85 2,40 V forward voltage T vj = 125 C, i F = 35A 1,75 Sperrverzögerungsladung i FM = 35A, -di/dt = 900A/µs, v R = 600V Q r recovered charge T vj = 25 C 3,6 µas T vj = 125 C 7,6 µas Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120 rect R thjc max. 0,70 C/W thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC max. 0,25 C/W Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 0,80 C/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichrichter / Rectifier R thck max. 0,25 C/W thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,16 C/W Schnelle Diode / Fast diode max. 0,24 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 150 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op C operating temperature Lagertemperatur T stg C storage temperature BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)
3 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 4 case, see appendix page 4 Innere Isolation Al 2 O 3 internal insulation CTI 225 V comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm mounting torque Gewicht G typ. 185 g weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand T C = 25 C R 25 5 kw rated resistance R 100 = 493Ω ± 5% Verlustleistung T C = 25 C P 25 max. 20 mw power dissipation B-Wert R 2 = R 1 exp [B(1/T 1-1/T 2 )] B 25/ K B-value Kühlkörper / heatsinks : Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12)
4 BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 4(12)
5 Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC, Netz-Diode Analytical elements of transient thermal impedance Z thjc for DC, rectifier diode Pos. n [ C W] R thn / 0,2633 0,1967 0,0322 0,0200 τ n [ s] 0,0300 0,0190 0,0140 0,0003 Analytische Funktion: Z thjc n = max n= 1 R thn 1 e t τ n BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 5(12)
6 Tvj = 150 C i F [A] ,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 v F [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i F = f(v F ) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 6(12)
7 T C [ C] B2: 180 sin B6: 120 rect I d [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T C = f(i d ) Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 7(12)
8 A 50A 20A Q r [µas] 100 5A di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(-di/dt) T vj = T vjmax ; v R = 0,5V RRM ; v RM = 0,8V RRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i FM BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 8(12)
9 0,90 0,80 60 rect 0, rect 180 rect 0, sin Z thjc [ C/W] 0,50 0,40 DC 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001 0,01 0,1 1 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter Z thjc = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Q BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 9(12)
10 Tvj = 25 C Tvj = 125 C i C [A] ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 v CE [V] Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-igbt (typical) v GE = 15V, i C = f(v CE ) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 10(12)
11 Tvj = 125 C Tvj = 25 C i F [A] ,5 1 1,5 2 2,5 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-fwd (typical) i F = f(v F ) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 11(12) v F [V]
12 R [kω] 1 0, T [ C] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(t) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 12(12)
13 Terms & Conditions of Usage Attention The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Changes to the Data Sheet are reserved. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. Should you require product information in excess of the data given in the Data Sheet, please contact your local Sales Office via / sales & contact. Warning Due to technical requirements the products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your local Sales Office via / sales & contact.
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Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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