Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A

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1 Features pecially designed for operation with small snubber Low losses, soft recovery 140 C imum junction temperature Electroactive passivation by a-c:h Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische pitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = 0 C... tvj f = 50Hz V RRM 4500 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RM forward current tc = 60 C. f = 50Hz I FRMM 3200 Dauergrenzstrom mean forward current tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz I FVM toßstrom-grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I 2 t-value tvj = tvj, tp = 10ms I FM 28 k tvj = tvj, tp = 10ms I 2 t 3, s Max. bklingsteilheit des Durchlaßstroms beim usschalten. decay rate of on-state current at turn-off ifm = 2500, VR = 3000V, tvj = tvj, RCD nubber C = 1µF, L σ = 0,1µH (-di F/dt) crit 1100 /µs Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage failure rate λ < 100 estimate value V R(D) typ V Durchlaßspannung forward voltage chleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj, if = 2500 v F 3,1 V tvj = tvj V (TO) 1,4 V tvj = tvj r T 0,68 mω Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation ( ) V = + B i + C ln i D i 200 i F 5000 F F F F tvj = tvj B C D. 0,1037 0, ,1521 0,02922 pitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage perrstrom reverse current tvj = tvj, dif/dt = 500/µs V FRM typ. 60 V tvj = tvj, vr = VRRM i R 100 m eite/page 1

2 Rückstromspitze peak reverse recovery current perrverzögerungsladung recovered charge usschaltverlust Energie turn-off energy tvj = tvj VR = 2800V ifm = 2500, -dif/dt = 1000/µs RCD nubber C = 1µF, L σ = 0,1µH I RM 1800 Q r 4200 µs E off ca 4,0 Ws Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC node / anode, DC Kathode /cathode, DC R thjc 0,0075 0,0133 0,0173 Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided R thck 0,003 0,006 Höchstzulässige perrschichttemperatur. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature t vj 140 C t c op C t stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe nlage case, see appendix i - Element mit Druckkontakt i - pellet with pressure contact npreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification DIN eite 3 65DX45 F kn G typ 500 g 22,5 mm mm C chwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. ie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes eite/page 2

3 . Outline Drawing eite/page 3

4 On-tate Characteristics ( v F ) upper limit of scatter range I T [] V T [V] eite/page 4

5 Transient thermal Impedance for constant-current Double side Cathode side node side r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s] 1 0,0016 0,63 0,0074 3,05 0,0114 3,26 2 0,0038 0,1 0,0038 0,1 0,0038 0,1 3 0,0006 0,0406 0,0006 0,0406 0,0006 0, ,001 0,0094 0,001 0,0094 0,001 0, ,0005 0,0019 0,0005 0,0019 0,0005 0,0019 Σ 0,0075-0,0133-0, t / τn ( ) n ZthJC = Rthn 1 e n= 1 k 0,02 0,015 a d 0,01 Z (th) JC / [K/W] 0,005 0,001 0,01 0, t / [sec.] 0 eite/page 5

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