Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205

Transkript

1 Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Sehr kurze Schaltzeiten (1 ns) Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar SFH 42 Gehäusegleich mit SFH 32 SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325 SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Anwendungen Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 1 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung Features Very highly efficient GaAs-LED DC (with modulation) or pulsed operations are possible High reliability High pulse handling capability Very short switching times (1 ns) Suitable for surface mounting (SMT) Available on tape and reel SFH 42 same package as SFH 32 SFH 425 same package as SFH 325 SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. Applications High data transmission rate up to 1 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission Low power consumption (battery) equipment Suitable for professional and high-reliability applications Alarm and safety equipment IR free air transmission OPTO SEMICONDUCTORS

2 Typ Type SFH 42 SFH 425 Bestellnummer Ordering Code Q6272-P978 Q6272-P5165 Gehäuse Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke Cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Wert Value T op ; T stg C V R 3 V I F (DC) 1 ma I FSM 1 A Einheit Unit P tot 18 mw R thja R thjs 45 2 K/W K/W OPTO SEMICONDUCTORS

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to1%,, R L = 5 Ω Durchlaßspannung, Forward voltage I F = 1 A, t p = 1 µs Sperrstrom, Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 1 ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = 1 ma Temperature coefficient of V F, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = 1 ma Temperature coefficient of λ, I F = 1 ma Wert Value λ peak 95 nm λ 4 nm Einheit Unit ϕ ± 6 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm t r, t f 1 ns V F V F 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) V V I R.1 ( 1) µa Φ e 28 mw TC I.44 %/K TC V 1.5 mv/k TC λ +.2 nm/k OPTO SEMICONDUCTORS

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 1 µs I e min. 4 I e typ. 8.5 Werte Values Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ. 55 mw/sr OPTO SEMICONDUCTORS

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) I Radiant Intensity e I e 1 ma = f (I F) Single pulse, t p = 2 µs Forward Current I F = f (V F ) single pulse, t p = 2 µs 1 Ι rel 8 OHF Ι e Ι e (1 ma) OHF ma Ι F 1 3 OHF nm 11 λ Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ), R thja 1) Ι F 12 ma 1 OHF ma 1 4 Ι F Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) V 4.5 V F OHL166 ϕ R thja = 45 K/W C12 T A ) Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), pad size 16 mm 2 (each) OPTO SEMICONDUCTORS

6 Maßzeichnung Package Outlines SFH (typ) (2.4) ±1 Cathode marking GPL6724 SFH 425 (2.4) Cathode 2.54 spacing Anode (2.85) Cathode marking (1.4) (.3) (2.9) (R1) GPL688 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified OPTO SEMICONDUCTORS

7 Löthinweise Soldering Conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, Wave and Drag Soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Lötzonentemperatur Reflowlötung Reflow Soldering Maximale Durchlaufzeit Temperature of the Soldering Bath Max. Perm. Soldering Time Temperature of Soldering Zone Max. Transit Time TOPLED 26 C 1 s 245 C 1 s SIDELED 245 C 1 s Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us OPTO SEMICONDUCTORS