Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205

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1 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (35mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Homogene Abstrahlung Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 1 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Alarm- und Sicherungssysteme IR-Scheinwerfer für Kameras Features High Power GaAs-LED (35mW) High Efficiency at low currents Homogeneous Radiation Pattern Typical peak wavelength 95nm Applications High data transmission rate up to 1 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission Alarm and safety equipment IR spotlight for cameras Typ Type Bestellnummer Ordering ode SFH 4 Q6511A494 4 (typ. 1) SFH 45 Q6511A498 4 (typ. 1) Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 1 ma, t p = ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr / measured at a solid angle of Ω =.1 sr

2 Grenzwerte (T A = 5 ) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm Thermal resistance junction - ambient mounted on P-board (FR4), padsize 16 mm each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Wert Value T op ; T stg V R 3 V I F 1 ma I FSM. A Einheit Unit P tot 18 mw R thja R thjs 45 K/W K/W

3 Kennwerte (T A = 5 ) haracteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 1 ma, t p = ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = 1 ma, t p = ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive hipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven hipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei I F = 1 ma, t p = ms, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to1%, I F = 1 ma, t p = ms, R L = 5 Ω Durchlassspannung Forward voltage I F = 1 ma, t p = ms I F = 1 A, t p = 1 µs Sperrstrom Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux I F = 1 ma, t p = ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 1 ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = 1 ma Temperature coefficient of V F, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = 1 ma Temperature coefficient of λ, I F = 1 ma Wert Value λ peak 95 nm λ 4 nm Einheit Unit ϕ ± 6 Grad deg. A.9 mm L B L W.3.3 mm² t r, t f 1 ns V F 1.5 ( 1.8) V F 3. ( 4.3) V V I R.1 ( 1) µa Φ e typ 35 mw T I.44 %/K T V 1.5 mv/k T λ +. nm/k

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Bezeichnung Parameter Werte Values Einheit Unit -P -Q -R Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 ma, t p = ms I e min 4 I e max mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 1 µs I e typ mw/sr 1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner :1) / Only one group in one packing unit (variation lower :1) Abstrahlcharakteristik Radiation haracteristics I rel = f (ϕ) OHL166 ϕ

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Radiant Intensity Single pulse, t p = µs I e I e 1 ma = f (I F ) Max. Permissible Forward urrent I F = f (T A ), R thja = 45 K/W Ι erel 1 8 OHF777 1 Ι e Ι e (1 ma) OHF89 Ι F 1 ma 1 OHR R thja = 45 K/W nm 11 λ ma 1 4 Ι F T A Forward urrent I F = f (V F ) single pulse, t p = µs Permissible Pulse Handling apability I F = f (τ), T A = 5, duty cycle D = parameter 1 4 ma Ι F 1 3 OHF A I F 5 t D = T P t P T OHF4 I F D = V 4.5 V F s 1 t p

6 Maßzeichnung Package Outlines SFH 4 3. (.118).6 (.1).3 (.91).1 (.83).1 (.4) (typ.).1 (.83) 1.7 (.67).9 (.35).7 (.8) 4 ±1 A 3.4 (.134) 3. (.118) athode marking (.4) (.95) 3.7 (.146) 1.1 (.43) 3.3 (.13).5 (.).18 (.7).1 (.5).6 (.4).4 (.16) GPLY674 SFH 45 (.4 (.94)).8 (.11).4 (.94) 4. (.165) 3.8 (.15) 1.1 (.43).7 (.8) (.85 (.11)) athode.54 (.1) spacing.9 (.35) Anode athode marking (1.4 (.55)) (.9 (.114)) (R1) (.3 (.1)) 3.8 (.15) 3.4 (.134) A 4. (.165) 3.8 (.15) GPLY688 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch)

7 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Reflow Löten Reflow Soldering SFH 4.6 (.1) 1.5 (.59) 4.5 (.177).6 (.1) 1.5 (.59) 4.5 (.177) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lötstopplack Solder resist u-fläche > 16 mm u-area > 16 mm OHLPY97 SFH (.146) 3. (.118) 1. (.47) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation u-fläche > 16 mm u-area > 16 mm Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Lötstopplack Solder resist OHLPY

8 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDE Level Soldering onditions Preconditioning acc. to JEDE Level Reflow Lötprofil für bleifreies Löten (nach J-STD-) Reflow Soldering Profile for lead free soldering (acc. to J-STD-) T Maximum Solder Profile Recommended Solder Profile Minimum Solder Profile 3 s max 1 s min OHLA ± s max 1 s max Ramp Down 6 K/s (max) 5 Ramp Up 3 K/s (max) 5 Wellenlöten (TTW) (nach E 8) TTW Soldering (acc. to E 8) min. condition for IR Reflow Soldering: solder point temperature 35 for at least 1 sec s 3 t T Welle 1. wave 1 s. Welle. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca K/s 5 K/s K/s 5 K/s Zwangskühlung forced cooling s 5 t

9 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. omponents used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! ritical components 1, may only be used in life-support devices or systems with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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