ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

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1 GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat Cathode (Diode) Collector (Transistor) Approx. weight g Chip position ø5.1 ø4.8 ø4.8 ø5.1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified GEX GEO6645 fex663 fexf6626 Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (I e = f [I F ]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit 415: Gehäusegleich mit 3, 23 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen Features GaAs infrared emitting diodes, fabricated in a liquid phase epitaxy process Good linearity (I e = f [I F ]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability 415: Same package as 3, 23 Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control of various equipment Semiconductor Group

2 415 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 415 Q6272-P296 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3 / 4 ), schwarz eingefärbt, Anschluß im 2.54-mm-Raster ( 1 / 1 ), 415-T Q6272-P1136 Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 415-U Q6272-P mm LED package (T 1 3 / 4 ), black-colored epoxy resin -R Q6272-P1139 lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / 1 ), cathode marking: short lead Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T j 1 C V R 5 V I F 1 ma I FSM 3 A P tot 165 mw R thja 45 K/W Semiconductor Group

3 415 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 1 ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5 % von I max Spectral bandwidth at 5 % of I max I F = 1 m A Abstrahlwinkel Half angle 415 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top 415 Schaltzeiten, I e von 1 % auf 9 % und von 9 % auf 1 %, bei I F = 1 ma, R L = 5 Ω Switching times, I e from 1 % to 9 % and from 9 % to 1 %, I F = 1 ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = 1 µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux I F = 1 ma, t p = 2 ms Wert Value λ peak 95 nm λ 55 nm ± 17 ± 28 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W H H.3.3 mm mm mm t r, t f.5 µs C o 25 pf V F 1.3 ( 1.5) V F 2.3 ( 2.8) V V I R.1 ( 1) µa Φ e 22 mw Semiconductor Group

4 415 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 1 ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = 1 ma Temperature coefficient of V F, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = 1 ma Temperature coefficient of λ, I F = 1 ma Wert Value TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ +.3 nm/k Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Grouping of radiant intensity I e in axial direction at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 1 µs 415 I e min 25 I e max 415-T 25 5 Werte Values 415-U > R > 1 mw/sr mw/sr I e typ mw/sr Semiconductor Group

5 415 Relative spectral emission I rel = f (λ) I Radiant intensity e I e 1 ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs Max. permissible forward current I F = f (T A ) Ι rel 1 % 8 OHRD1938 Ι e Ι e 1 ma 1 2 A 1 1 OHR ma 1 OHR R thja = 45 K/W nm 16 λ A C12 T A Forward current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs 1 1 A OHR1554 Radiation characteristics 415 I rel = f () OHR V Radiation characteristics I rel = f () V F OHR1553 Permissible pulse handling capability I F = f (τ), T C = 25 C, duty cycle D = parameter 1 4 Ι ma F 5 t p D = T D =.5 t p T OHR DC t p 1 2 s 1 Semiconductor Group

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