FZ1200R33KF2C. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data

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1 FZ2R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-erlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = -25 C T = 8 C T = 25 C Š» I ÒÓÑ I t«= ms, T = 8 C I ç 24 A T = 25 C PÚÓÚ 4,5 kw A A Š» +/-2 Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I = 2 A, Š = 5, I = 2 A, Š = 5, Š ÙÈÚ 3,4 4,3 4,25 5, I = 2 ma, Š = Š, ŠÚÌ 4,2 5, 6, Š = , Š = 8 Q 22, µc R ÍÒÚ,42  f = MHz,, Š = 25, Š = CÍþÙ 5 nf f = MHz,, Š = 25, Š = CØþÙ 8, nf Š = 33, Š =, I Š»,5 2 ma Š =, Š = 2, I Š» 4 na I = 2 A, Š = 8 Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, I = 2 A, Š = 8 Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, I = 2 A, Š = 8 Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, I = 2 A, Š = 8 Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, I = 2 A, Š = 8, L» = 4 nh Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, C Š = 22 nf, I = 2 A, Š = 8, L» = 4 nh Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, Š = ±5, R ÓËË =,2 Â, C Š = 22 nf, t«ù, Š ù 5 TÝÎù25 C, = 25, ŠÑÈà = Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) tá ÓÒ,28,28 tø,8,2 tá ÓËË,55,7 të,2,2 EÓÒ 4 22 EÓËË 3 55 I» 6 A RÚÌœ 8,5 K/kW RÚÌ 6, K/kW date of publication: 3/8/23 revision: 2.

2 FZ2R33KF2C Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value Spitzenverlustleistung maximum power dissipation Mindesteinschaltdauer minimum turn-on time TÝÎ = -25 C çç IŒ 2 A t«= ms IŒç 24 A ç =, t«= ms, I²t 5 ka²s Pç 24 kw tœóò ÑÍÒ, Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ = 2 A, Š =, IŒ = 2 A, Š =, IŒ = 2 A, - diœ/dt = 68 A/ ç = 8, Š = -5, ç = 8, Š = -5, IŒ = 2 A, -diœ/dt = 68 A/ ç = 8, Š = -5, ç = 8, Š = -5, IŒ = 2 A, -diœ/dt = 68 A/ ç = 8, Š = -5, ç = 8, Š = -5, pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Œ 2,8 2,8 Iç 7 QØ 7 3 EØþÊ ,5 3,5 A A µc µc RÚÌœ 7, K/kW RÚÌ 2, K/kW date of publication: 3/8/23 revision: 2. 2

3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DC stability Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance ergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight FZ2R33KF2C RMS, f = 5 Hz, t = min š» 6, k RMS, f = 5 Hz, Q«ú pc (acc. to IEC 287) š» 2,6 k, fit Š 8 Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m*K) / ðãøþèùþ = W/(m*K) AlSiC AlN 32, 32, 9, 9, CTI > 4 min. typ. max. mm mm RÚÌ 4, K/kW LÙ Š nh T = 25 C, pro Zweig / per arm R óôššó,2 mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ C TÙÚÃ C Schraube / screw M6 M 4,25-5,75 Nm Schraube / screw M4 Schraube / screw M8 M,8 8, - - 2, Nm Nm G 5 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in erbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. date of publication: 3/8/23 revision: 2. 3

4 FZ2R33KF2C Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 5 Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 2 Š = 5 Š = 2 Š = Š = 9 Š = ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, 6,5 7, Š [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, 6,5 7, Š [] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 2 24 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) Š = ±5, R ÓÒ =,9 Â, R ÓËË =,2 Â, Š = 8,, C Š = 22 nf 8 7 EÓÒ EÓËË E [] Š [] date of publication: 3/8/23 revision: 2. 4

5 FZ2R33KF2C Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) Š = ±5, I = 2 A, Š = 8,, C Š = 22 nf Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 8 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT E [] 6 4 ZÚÌœ [K/kW] R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f ( Š) Š = ±5, R ÓËË =,2 Â,, C Š = 22 nf i: rí[k/kw]: τí[s]: 3,825,3 2 2,25, 3,5,3 4 2,4,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (Œ) I, Modul I, Chip Š [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, Œ [] date of publication: 3/8/23 revision: 2. 5

6 FZ2R33KF2C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =,9 Â, Š = 8, Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = 2 A, Š = 8, 25 EØþÊ 25 EØþÊ 5 5 E [] E [] IŒ [A] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA) save operation area diode-inverter (SOA) Iç = f(ç) ZÚÌœ : Diode 3 Iç, Modul 24 ZÚÌœ [K/kW] Iç [A] 8 2 i: rí[k/kw]: τí[s]: 7,65,3 2 4,25, 3,2,3 4 4,8,,,, t [s] ç [] date of publication: 3/8/23 revision: 2. 6

7 Schaltplan / circuit diagram FZ2R33KF2C Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: 3/8/23 revision: 2. 7

8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der ollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische erwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung (siehe ertrieb&kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.