Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA
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1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75 nm to 11 nm ( 213 FA) ( 213) und 75 nm bis 11 nm ( 213 FA) Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse Applications Anwendungen High speed photointerrupters Schnelle Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer V R = 5 V, Std. Light A, E V = 1 lx ( 213) V R = 5 V, λ = 87 nm, E e = 1 mw/cm 2 ( 213 FA) I P [µa] ( 1) Q6272P FA 9 ( 65) Q6272P
2 Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit FA Operating and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 2 V Sperrspannung Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte P tot 15 mw Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (E v = 1 lx, Std. Light A, V R = 5 V, T = 2856 K) Photocurrent Fotostrom (V R = 5 V, λ = 87 nm, E e = 1 mw/cm 2 ) Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel 213 I P 135 ( 1) 213 FA I P 9 ( 65) µa µa λ S max 85 9 nm λ 1% nm A 1. mm 2 L x W 1 x 1 mm x mm ϕ ±
3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Dark current Dunkelstrom (V R = 2 V) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 87 nm) Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 87 nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E v = 1 lx, Std. Light A) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E e =.5 mw/cm 2, λ = 87 nm) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E v = 1 lx, Std. Light A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E e =.5 mw/cm 2, λ = 87 nm) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 2 V, R L = 5 Ω, λ = 85 nm) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 ma, E = ) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz, E = ) I R 1 ( 5) na S λ typ.65 A / W η.93 Electro ns /Photon V O 43 ( 35) V O 38 ( 3) mv mv I SC 125 µa I SC 42 µa t r, t f.5 µs V F 1.3 V C 11 pf Temperature coefficient of V O Temperaturkoeffizient von V O TC V -2.6 mv / K Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (Std. Light A) TC I.18 % / K FA
4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (λ = 87 nm) Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = 2 V, λ = 87 nm) Detection limit Nachweisgrenze (V R = 2 V, λ = 87 nm) FA TC I.1 % / K NEP.28 pw / Hz ½ D * 3.6e12 cm x Hz ½ / W Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit 213 S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit 213 FA S rel = f(λ) 1 OHF134 1 OHF1773 S rel % S rel % nm 12 λ nm 12 λ
5 Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung 213 I P (V R = 5 V) / V O = f(e V ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung 213 FA I P (V R = 5 V) / V O = f(e e ) Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 16 mw P tot 14 OHF394 Ι R 4 1 pa OHF C 1 TA V 3 V R
6 Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 2 V, E = Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ)
7 Package Outline Maßzeichnung 9. (.354).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.1) spacing 8.2 (.323) Area not flat.8 (.31).5 (.2) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) 5.9 (.232) 5.5 (.217) 1.8 (.71) 1.2 (.47) 29 (1.142) 27 (1.63) Cathode (Diode) Collector (Transistor) 5.7 (.224) 5.1 (.21) Chip position.6 (.24).4 (.16) GEXY626 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy 5mm Radial (T 1 ¾), Harz
8 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
9 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC TTW / IEC TTW 3 C T C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave ΔT < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s s 24 t
10 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
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