г.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv
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- Karin Kraus
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1 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current V CES 1700 V I F 400 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage t p = 1 ms I FRM 800 A V R = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125 C I 2 t 70 ka 2 s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. Durchlaßspannung I F = 400A, T vj = 25 C V F - 2,2 2,6 V forward voltage I F = 400A, T vj = 125 C - 2,05 V Sperrstrom V R = 1700V, T vj = 25 C I R - 0,1 1 ma reverse current V R = 1700V, T vj = 125 C - 10 ma Rückstromspitze peak reverse recovery current V R = 900V,, T vj = 25 C I RM A V R = 900V, T vj = 125 C A Sperrverzögerungsladung recovered charge V R = 900V, T vj = 25 C Q r µas V R = 900V, T vj = 125 C µas Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy V R = 900V, T vj = 25 C E rec mws V R = 900V, T vj = 125 C mws Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Diode / per Diode L sac nh pro Zweig / per arm R CC +EE - 0,16 - mω prepared by: O. Schilling date of publication: approved by: Chr. Lübke; revision: 1 1(5) Dd46b2@1
2 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode, DC R thjc - - 0,068 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K R thck - 0,016 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj C Betriebstemperatur operation temperature T op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 15 mm Luftstrecke clearance 10 mm CTI comperative tracking index min. 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M8 M Nm terminal connection torque Gewicht weight G 1050 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2(5) Dd46b2@1
3 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) Tj = 125 C Tj = 25 C I F [A] ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3(5) Dd46b2@1
4 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) 0,1 Z thjc [K / W] 0,01 Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0, t [sec] i r i [K/kW] : Diode 6,7 36,44 12,44 12,42 τ i [sec] : Diode 0,003 0,045 0,45 0,75 Seite/page 4 (5) Dd46b2@1
5 Äußere Abmessungen / external dimensions 5(5) Dd46b2@1
DD 200 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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