Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4
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1 uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information 61, ,5 M8 31, M, tief 2,5 tief G , 7 1,25 2,25 external connection to be done (for M6 screw) G external connection to be done VWK,
2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values lektrische igenschaften / lectrical properties Vorläufige Daten Preliminary data Kollektor-mitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V S 16 V Kollektor-Dauergleichstrom D-collector current I 18 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t p =1 ms I RM 36 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation t =25, Transistor /transistor P tot 11 kw Gate-mitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V G +/- 2 V Dauergleichstrom D forward current I F 18 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t p =1ms I FRM 36 A Isolations-Prüfspannung insulating test voltage RMS, f=5 Hz, t= 1 min. V ISOL 3, kv harakteristische Werte / haracteristic values: Transistor min. typ. max Kollektor-mitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage i =1,8kA,v G =15V, t vj =25 v sat - 3,5 3,9 V i =1,8kA,v G =15V, t vj =125 -,6 5, V Gate-mitter-Schwellspannung gate threshold voltage i =12mA, v =v G, t vj =25 v G(th),5 5,5 6,5 V ingangskapazität input capacity f O =1MHz,t vj =25,v =25V,v G = ies nf Kollektor-mitter Reststrom collector-emitter cut-off current v =16V, v G =V, t vj =25 i S ma v =16V, v G =V, t vj = ma Gate-mitter Reststrom gate leakage current v =V, v G =2V, t vj =25 i GS na load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) t f mitter-gate Reststrom gate leakage current v =V, v G =2V, t vj =25 i GS na inschaltzeit (induktive Last) turn-on time (induktive i =1,8kA,v =9V t on v L =15V,R G =1,2, t vj =25 -,8 - µs v L =15V,R G =1,2, tvj=125-1, - µs Speicherzeit (induktive Last) storage time i =1,8kA,v =9V t s v L =15V,R G =1,2, tvj=25-1,1 - µs v L =15V,R G =1,2, tvj=125-1,3 - µs i =1,8kA,v =9V v L =15V,R G =1,2, tvj=25 -,25 - µs v L =15V,R G =1,2, tvj=125 -,3 - µs harakteristische Werte / haracteristic values: Transistor / transistor inschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy lost per puls i =1,8kA,v =9V,L S=5nH on mws v L =15V,R G =1,2, t vj =125 Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy lost per puls i =1,8kA,v =9V,L S =5nH off mws v L =15V,R G =1,2, t vj =125 Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung forward voltage i F =1,8kA, v G =V, t vj =25 V F - 2, 2,8 V i F =1,8kA, v G =V, t vj =125-2,2 - V Rückstromspitze peak reverse recovery current i F =1,8kA, -di F /dt=6a/µs I RM v RM =9V, v G =1V, t vj = A v RM =9V, v G =1V, t vj = A Sperrverzögerungsladung recovered charge i F =1,8kA, -di F /dt=1,8ka/µs Q r v RM =9V, v G =1V, t vj = µas v RM =9V, v G =1V, t vj = µas Thermische igenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, D R thj Diode, D Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R thk,6 /W Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Module / per Module t vj max 15 Betriebstemperatur operating temperature Diode / diode t c op Lagertemperatur storage temperature t stg Mechanische igenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 / tolerance +/-15% M1 5 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M / tolerance +5%/-1% M2 2 Nm terminals M Nm Gewicht weight G ca.23 g Bedingungen für den Kurzschlußschutz onditions for short-circuit protection t fg =1µs, v LF =v LR = 15V, V =1V Unabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions R GF =R GR = 1,2 V M =13V v M = V S -12 nh x Idic/dtI t vj =125 i MK1 18A i MK2 135A,11 /W,27 /W Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine igenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem zugehörigen Technischen rläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. eupec GmbH + o KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +9 ()292/ 76-, Telefax /76-256
3 3 3 i [A] i [A] 2 V G = 2V 15V 2 12V 1V 1 9V 1 8V v [V] v [V] Bild / Fig. 1 Kollektor-mitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) ollector-emitter-voltage in saturation region (typical) V G = 15 V t vj = 25 t vj = 125 Bild / Fig. 2 Kollektor-mitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) ollector-emitter-voltage in saturation region (typical) t vj = i [A] t vj = i [A] v G [V] v [V] Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) V = 2V Bild / Fig. Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area t vj = 125,v LF = v LR = 15V, R G = Z (th)j [ /W] Diode IGBT 3 i F [A] Bild / Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand (D) Transient thermal impedance (D) t [s],5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Bild / Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward charateristic of the inverse diode (typical) t vj = 25 t vj = 125 v F [V]
4 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. ine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen igenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den insatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame inführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & onditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. hanges of this product data sheet are reserved.
5 Mouser lectronics Authorized Distributor lick to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FZ18R16KF
Marketing Information FZ 800 R 16 KF4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany Marketing Information FZ R 16 KF4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection (to be done) G external connection
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Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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