GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

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1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat Cathode ø3. ø Chip position GEX638 fex638 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Enge oleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Sehr plane Oberfläche Gehäusegleich mit SFH 39 Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 khz LWL Features GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Small tolerance: Chip surface to case surface High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Plane surface Same package as SFH 39 Applications Photointerrupters Fibre optic transmission yp ype Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 487 P Q6273-Q57 3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy- Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( / ), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package ( ), plane, violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( / ), anode marking: short lead Semiconductor Group

2 Grenzwerte ( A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm hermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm op ; stg C j C V R 5 V I F I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength aeak emission I F = Spektrale Bandbreite bei 5 % von I max, I F = Spectral bandwidth at 5 % of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ±65 Grad deg. A.6 mm 2 L B L W.4.4 mm Semiconductor Group

3 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics (cont d) Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Distance chip front to case surface Schaltzeiten, I e von % auf 9 % und von 9 % auf %, bei I F =, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9 % and from 9 % to %, I F =, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaβspannung Forward voltage I F =, = 2 ms I F = A, = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ otal radiant flux I F =, = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = emperature coefficient or I e or Φ e, I F = emperaturkoeffizient von V F, I F = emperature coefficient of V F, I F = emperaturkoeffizient von λ peak, I F = emperature coefficient of λ peak, I F = H mm t r, t f.6/.5 µs C o 25 pf V F.5 (<.8) V 3. (< 3.8) I R. ( ) µa Φ e 25 mw C I.5 %/K C V 2 mv/k C λ.25 nm/k Semiconductor Group

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Grouping of radiant intensity I e in axial direction at a solid angle of Ω =. sr Strahlstärke Radiant intensity I F =, = 2 ms I e > 2 mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = A, = µs I e typ. 3 mw/sr Radiation characteristics I rel = f (ϕ) ϕ..8 OHR Semiconductor Group

5 Relative spectral emission I rel = f (λ) I Radiant intensity e I e = f (I F ) Single pulse, = 2 µs Max. permissible forward current I F = f ( A ) OHR877 2 OHR OHR88 Ι rel % 8 Ι e Ι e () Ι F nm λ C Forward current, I F = f (V F ) Single pulse, = 2 µs Permissible pulse handling capability I F = f (τ), A = 25 o C, duty cycle D = parameter Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board I F = f (I), A = 25 o C A OHR D = OHR OHR V 8 V F 2 DC D = s mm 3 Semiconductor Group

Cathode GEX Cathode GEX06305

Cathode GEX Cathode GEX06305 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5

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