GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485
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1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) Gruppiert lieferbar 484: Gehäusegleich mit LD : Gehäusegleich mit 3, 23 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Rauchmelder (UL-Freigabe) Sensorik Diskrete Lichtschranken Features Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Available on tape and reel (in Ammopack) Available in bins 484: Same package as LD : Same package as 3, 23 Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control for steady and varying intensity Smoke detectors (UL-approval) Sensor technology Discrete interrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 484 Q6273-Q92 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3 / 4 ), klares violettes Q6273-Q1756 Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( 1 / ), Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß 485 Q6273-Q93 5 mm LED package (T 1 3 / 4 ), violet-colored epoxy resin, Q6273-Q1547 solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / ), anode marking: short lead
2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm Wert Value T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A Einheit Unit P tot 2 mw R thja 375 K/W
3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma Spektrale Bandbreite bei 5% von I rel Spectral bandwidth at 5% of I rel I F = ma Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom, Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Wert Value λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ϕ ± 8 ± 2 Einheit Unit Grad deg. A.9 mm 2 L B L W H H.3.3 mm mm mm t r, t f.6/.5 µs C o 15 pf V F 1.5 ( 1.8) V F 3. ( 3.8) V V I R.1 ( 1) µa Φ e 25 mw
4 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma Wert Value Einheit Unit TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ.25 nm/k Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr bei 484 bzw. Ω =.1 sr bei 485 Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr at 484 or Ω =.1 sr at 485 Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I e min I e max Wert Value > > 25 Einheit Unit mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = µs I e typ mw/sr
5 Radiation Characteristics, 484 Ι rel = f (ϕ) ϕ 1..8 OHR Radiation Characteristics 485 Ι rel = f (ϕ) ϕ 1..8 OHR
6 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % 8 OHR877 I Radiant Intensity e I e ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e (ma) 1 OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) Ι F 125 ma OHR nm λ Forward Current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs 1 A -1-2 OHR V 8 V F ma 4 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 4 ma DC D = t p D = T t p OHR886 T s 2 t p C T Forward Current vs. Lead Length between the Package Bottom and the PC-Board I F = f (l), T A = 25 C 12 ma OHR mm
7 Maßzeichnung Package Outlines (.354).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.) spacing 8.2 (.323) Area not flat.8 (.31).5 (.2) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) Cathode 5.9 (.232) 5.5 (.217) 1.8 (.71) 1.2 (.47) 29 (1.142) 27 (1.63) 5.7 (.224) 5.1 (.21) Chip position.6 (.24).4 (.16) GEXY (.354).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.) spacing 8.2 (.323) Area not flat.8 (.31).5 (.2) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) Cathode 5.9 (.232) 5.5 (.217) 1.5 (.59) 29 (1.142) 27 (1.63) 4.8 (.189) 4.2 (.165) Chip position.6 (.24).4 (.16) GEXY635 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)
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