GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH"

Transkript

1 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische Peakwellenlänge 95nm High reliability Hohe Zuverlässigkeit Available with two different lead lengths Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar Version with stand-off available Variante mit stand-off lieferbar Suitable for TTW soldering TTW Löten geeignet Applications Anwendungen IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und recorders, dimmers Videogeräten, Lichtdimmern Sensor technology Sensorik Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Remote control Gerätefernsteuerung Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] LD ( ) Q6273Q148 LD 271 H 24 ( 16) Q6273Q256 LD 271 L 15 ( ) Q6273Q833 LD 271 LH 24 ( 16) Q6273Q838 Note: Anm:: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Forward current I F 13 ma Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p μs, D = ) I FSM 3.5 A Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung P tot 22 mw R thja 33 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = ma, t p = 2 ms) λ peak 95 nm Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Distance chip surface to lens top Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Rise and fall time of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = ma, R L = 5 Ω) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz) Forward voltage Durchlassspannung (I F = ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = μs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = ma, t p = 2 ms) Δλ 55 nm ϕ ± 25 A.25 mm 2 L x W.5 x.5 mm x mm H mm t r, t f ns C 4 pf V F 1.3 ( 1.5) V V F 1.9 ( 2.5) V I R.1 ( 1) µa Φ e 18 mw

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung TC I -.55 % / K TC V -1.5 mv / K TC λ.3 nm / K Group Min Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = μs I e, min [mw / sr] I e, typ [mw / sr] LD LD 271 H 16 LD 271 L 12 LD 271 LH 16 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr

5 Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C Ι rel % 8 OHR1938 Radiant Intensity Strahlstärke I e / I e ( ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C 2 Ι e Ι e ( ma) OHR nm 6 λ A 1 Ι F

6 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C Ι F 2 ma OHO364 Ι F 1 A OHR typ. max C TA Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T C = 25 C, duty cycle D = parameter V 4.5 V F 4 ma Ι F 5 D = t p T t p T OHR257 Ι F D = DC s t P

7 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHR1879 ϕ

8 Package Outline Maßzeichnung LD 271 / LD 271 H 9. (.354) 8.2 (.323) 7.8 (.37) 5.9 (.232).6 (.24).4 (.16) 2.54 (.) spacing Area not flat 1.3 (.51) 1. (.39) 1. (.39).7 (.28) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) 5.5 (.217) 1.8 (.71) 1.2 (.47) Cathode 25.2 (.992) 4.8 (.189) 4.2 (.165) 11.6 (.457).6 (.24).4 (.16) 24.2 (.953) 11.2 (.441) Chip position GEXY6239 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

9 Package Outline Maßzeichnung LD 271 L / LD 271 LH 1.8 (.71) 1.2 (.47) spacing 2.54 (.) Cathode.4 (.16) 29 (1.142) 27 (1.63).6 (.24).4 (.16).8 (.31) Area not flat Chip position 9. (.354) 8.2 (.323) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø4.8 (.189) ø5.1 (.21) 4.8 (.189) 4.2 (.165) 5.9 (.232) 5.5 (.217).6 (.24).4 (.16) GEOY6645 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse refractive index resin: 1.53, grey, Brechungsindex Verguss: 1.53, grau,

10 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

11 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC TTW / IEC TTW T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t

12 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

13 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH

IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 49 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

Cathode GEX Cathode GEX06305

Cathode GEX Cathode GEX06305 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485 28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P 27-4-2 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute

Mehr

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

Distributed by: www.jameco.com 1-8-831-4242 The content and copyrights of the attached material are the property of its owner. GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability 215-8-25 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482 212-1-19 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 48, SFH 482 SFH 48 SFH 482 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 88nm Typische Peakwellenlänge

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4

Mehr

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1. 212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341 214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4341 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550 214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4851 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P 214-12-4 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. Features: Wavelength 85nm Short switching times Available on tape and reel (in Ammopack) Good spectral match to silicon photodetectors

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA 215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845 215-1-8 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400 215-8-31 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4 Features: Cathode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 21-12-1 OSRAM OSTAR Observation (8nm) Version 1. SFH 474 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I F =1A 4.3

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 2-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA 215-9-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S1%) 75 nm to 11 nm Wellenlängenbereich (S1%) 75 nm bis 11 nm Short switching time (typ.

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 2013-04-29 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 88 nm Speziell

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 215-9-1 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel

Mehr

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten 2014-05-20 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle

Mehr

GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638

Mehr

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271 212-8-17 Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1. (not for new design) SFH 4271 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH4257 Ersatz: SFH4257 Black coloured TOPLED-package Schwarz eingefärbtes

Mehr

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81 215-1-16 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszensdiode (94 nm) Version 1. SFH 4941 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Same package dimensions

Mehr

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443

Mehr

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 205 F

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 205 F 214-1- Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 25 F Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 95

Mehr

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW

Mehr

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 23 SFH 23 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S%) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich (S%) 4 nm bis 1 nm (SFH 23) and 75

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 483 E7800

GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 483 E7800 27-12-7 GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 483 E78 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode

Mehr