Beim Betrieb dieses Bauteils sind die Sicherheitsvorschriften für die Laserklasse 1M nach IEC Am. 2 zu beachten.

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1 Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter SFH 921 Wesentliche Merkmale Großer Arbeitsabstand (2-1mm) IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor Enge Strahlverteilung des Senders Tageslichtsperrfilter Anwendungen Positionssensor Endabschaltung Drehzahlüberwachung, -regelung Bewegungssensor Features Long operating distance (2-1mm) IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in combination with a Silicon NPN phototransistor Narrow beam characteristics of the emitter Daylight cut-off filter Applications Position sensor End position switch Speed monitoring and regulating Motion sensor Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 921 Q6272P I CE [ma] (I F = 8 ma, V CE = 5 V, d = 5 mm) (see note on page 5) Beim Betrieb dieses Bauteils sind die Sicherheitsvorschriften für die Laserklasse 1M nach IEC Am. 2 zu beachten. Operating this device the safety instructions for laser class 1M according to IEC Am. 2 have to be observed. ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-VCSEL-Diode) Emitter (GaAs VCSEL diode) Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Verlustleistung Power dissipation V R 3 V I F 1 ma P tot 25 mw Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung Continuous collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (t 2 min) Collector-emitter voltage, (t 2 min) Emitter-Kollektor-Sperrspannung Emitter-collector voltage Kollektorstrom Collector current Verlustleistung Total power dissipation V CE 16 V V CE 3 V EC 7 I C 2 ma P tot 1 mw Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lagertemperatur Storage temperature range Betriebstemperatur Operating temperature range Elektrostatische Entladung Electrostatic discharge T stg C T OP ESD 4 V Umweltbedingungen / Environment conditions 3 K3 acc. to EN (IEC )

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Sender (GaAs-VCSEL-Diode) Emitter (GaAs-VCSEL diode) Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 8 ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = 8 ma λ peak 85 nm λ 1 nm Schwellenstrom 1) I th 2.6 (<5) ma Threshold current 1) Durchlaβspannung Forward voltage I F = 1 ma V F 1.8 ( 2.3) V Sperrstrom Reverse current V R = 3 V Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz I R.1 ( 1) µa C O 25 pf Wärmewiderstand 2) R thja 12 K/W Thermal resistance 2) Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kapazität Capacitance V CE = 5 V, f = 1 MHz Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emitter leakage current V CE = 2 V Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit) Photocurrent (outside light density) V CE = 5 V, E V = 1 Lx C CE 1 pf I CEO 3 ( 2) na I P 3.5 ma Wärmewiderstand 2) R thja 27 K/W Thermal resistance 2)

4 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Wert Value Einheit Unit Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current Kodak neutral white test card, 9% Reflexion I F = 8 ma; V CE = 5 V; d = 5 mm (see note on page 5) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter-saturation voltage Kodak neutral white test card, 9% Reflexion I F = 8 ma; d = 5 mm; I C =.3 x I CE min. (see note on page 5) I CE 3) V CE sat.15 (.6) V ma 1) Der VCSEL emittiert nur bei Flussströmen größer als I th VCSEL only emits at forward currents higher than I th 2) 3) Montage auf PC-Board mit > 5 mm 2 Padgröβe Mounting on pcb with > 5 mm 2 pad size Nur eine Gruppe innerhalb einer Verpackungseinheit. Bezug von Einzelgruppen ist nicht möglich. Only single group within one packing unit. Single bins can not be ordered. d Reflector with 9% reflexion (Kodak neutral white test card) OHM

5 Schaltzeiten (T A = 25 C, V CC = 5 V, I C = 1 ma 1), R L = 1 kω) Switching Times R L Ι F Ι C V CC Output OHM2258 Bezeichnung Parameter Einschaltzeit Turn-on time Anstiegzeit Rise time Ausschaltzeit Turn-off time Abfallzeit Fall time Wert Value t ein 65 µs t on t r 5 µs t aus 55 µs t off t f 5 µs Einheit Unit 1) I C eingestellt über den Durchlassstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom Bauteil (d) I C as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between reflector and component (d) Anm.:- Es wird empfohlen die Lichtschranke bei dem spezifizierten Arbeitpunkt von ca. 8mA für den Emitter einzusetzten, weil andere Betriebsströme zu einem größeren Streubereich beim Koppelfaktor führen. Der Abgleich erfolgt über den Arbeitswiderstand am Detektor. Von einem Einsatz der Lichtschranke mit glänzenden oder gar spiegelnden Oberflächen wird abgeraten. Die Abstrahlcharakteristik des Senders ändert sich sowohl über die Temperatur als auch mit dem Flußstrom stärker als bei Standardemittern und führt somit ebenfalls zur Erhöhung des Streubereichs beim Koppelfaktor. Bei diffuser Streuung ist dieser Einfluß jedoch gering, und kann für die meisten Anwendungen vernachlässigt werden. Note: It is recomended to use the interrupter at the specified emitter current of about 8mA, as other operating currents lead to a larger coupling factor variation. The tuning is done using the operating resistor on the detector side. It is not recomended to use the interrupter in combination with shiny or mirror like surfaces. Changes in temperatures and operating current are having a bigger influence on the radiation characteristic as it is the case for standard emitters. This means a higher variance of the coupling factor. For diffuse surfaces the mentioned influence is low, and can be neglected for most of the applications

6 Collector Current Kodak 9% 1.2 I C I Cmax = f( d) Switching Characteristics t = f (R L ) T A = 25 C, I F = 8 ma 1 3 OHO785 Transistor Capacitance (typ.) C CE = f (V CE ), T A = 25 C, f = 1 MHz 5 OHO374 I C;rel 1. t µ s Ι C = 1 µa pf C CE 4.8 t on t on t off = 1 ma Ι C t off mm 2 d Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) Forward Current I F = f (V F ) I F 1 2 ma kω 1 1 R L OHF Threshold Current I th = f (T Α ) 4. ma I th V 1 V CE OHF Radiation characteristics Ι rel = f (ϕ) ϕ I F =1mA V 2.5 V F OHF144 Collector Current I C = f (I F ), d = 5 mm, Kodak 9% C 1 T A.8 I C;rel ma 1 I F

7 Maßzeichnung Package Outlines.2 M A.15 (.6).13 (.5).5 (.2).3 (.12) 6.2 (.244) 5.8 (.228) 3.4 (.134) 3. (.118) (5 ) (1.2 (.47) typ.) Sender/Emitter (.47 (.19) typ.) A (.1 (.4) typ.)...1 (...4) 1.27 (.5) Raster (spacing) 2.54 (.1) Raster (spacing) 4.2 (.165) 3.8 (.15) (.5 (.2) typ.) B 2.1 (.83) 1.7 (.67) Chip Positionen.1 M B Empfänger/Receiver GPLY55 Type SFH 921 Anode Emitter Collector Cathode Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)

8 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad IR-Reflow Löten IR Reflow Soldering 1.27 (.5).6 (.24) 1.2 (.47) 1.27 (.5) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved Heat dissipation Cu-Fläche >5 mm 2 Cu-area >5 mm 2 Lötstopplack Solder resist 3.9 (.154) OHPY3 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)

9 Löthinweise Soldering Conditions Bauform Type Drypack Level acc. to IPS-stand. 2 Tauch-, Schwalllötung Dip, Wave Soldering Peak Temp. (solderbath) Max. Time in Peak Zone Reflowlötung Reflow Soldering Peak Temp. (package temp.) Max. Time in Peak Zone SFH n. a. 245 C 1 sec. n.a. Kolbenlötung Iron Soldering (Iron temp.) Bitte Verarbeitungshinweise für SMT-Bauelemente beachten! Please observe the handling guidelines for SMT devices! IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 951) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 951) 3 C OHLY597 T C 1-4 s to 18 s 183 C ramp-down rate up to 6 K/s 1 5 ramp-up rate up to 6 K/s defined for Preconditioning: 2-3 K/s defined for Preconditioning: up to 6 K/s s 2 t

10 Gurtung / Polarität und Lage siehe Dokument: Short Form Katalog: Gurtung und Verpackung - SMT-Bauelemente - Gehäuse:SMT RLS Methode of Taping / Polarity and Orientation see document: Short Form Catalog: Tape and Reel - SMT-Components - Package: SMT-RLS Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered