Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250

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1 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 725 Features: Available on tape and reel SMT package with IR emitter (85 nm) and Si-phototransistor Suitable for SMT assembly Emitter und detector can be controlled separately Applications Data transmission Lock bar Infrared interface Besondere Merkmale: Gegurtet lieferbar SMT Gehäuse mit IR-Sender (85 nm) and Si-Fototransistor Geeignet für SMT-Bestückung Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar Anwendungen Datenübertragung Wegfahrsperre Infrarotschnittstelle Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehäuse: Bestellnummer SFH 725 SMT Multi TOPLED Q65111A

2 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature Sperrschichttemperatur T op ; T stg C T j (max) 1 C IRED Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 1 µs, D = ) Reverse voltage Sperrspannung Total power dissipation Verlustleistung 1) page 15 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 15 Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad ESD withstand voltage ESD Festigkeit I F 7 ma I FSM.7 A V R 5 V P tot 14 mw R thja 5 K / W R thjs 4 K / W V ESD 2 kv Phototransistor Fototransistor Collector current Kollektorstrom Surge current Stoßstrom (t p 1 µs, D = ) Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung I C 15 ma I FSM.75 A V CE 35 V

3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Total power dissipation Verlustleistung P tot 165 mw 1) page 15 Thermal resistance R thja 45 K / W Wärmewiderstand 1) Seite 15 ESD withstand voltage ESD Festigkeit V ESD 2 kv Note: Anm: The stated maximum ratings refer to one chip. Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. Characteristics Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit IRED (T A = 25 C) Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 7 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 7 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm (typ) λ 3 nm (typ) ϕ ± 6 (typ) A.4 mm 2 (typ) L x W.2 x.2 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.6 ( 2) V

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Forward voltage Durchlassspannung (I F = 5 ma, t p = 1 µs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Min Radiant Intensity Min Strahlstärke (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Radiant intensity Strahlstärke (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Typ Radiant Intensity Typ Strahlstärke (I F = 5 ma, t p = 1 µs) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 7 ma, t p = 2 ms) (typ (max)) V F 2.4 ( 3) V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 4 mw I e, min 6.3 mw / sr I e, typ 1 mw/sr I e, typ 6 mw / sr (typ) TC I -.5 % / K (typ) TC V -.7 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K Phototransistor Fototransistor (T A = 25 C, λ = 88 nm) Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit (S = 1% of S max ) (typ) λ S max 99 nm (typ) λ nm

5 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche ( = 24 µm) Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche Distance chip front to case surface Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Half angle Halbwinkel Capacitance Kapazität (V CE = V, f = 1 MHz, E = ) Dark current Dunkelstrom (V CE = 25 V, E = ) Photocurrent Fotostrom (λ = 88 nm, E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω) Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (I C = 5 µa, E e =.1 mw/cm 2 ) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group (typ) A.38 mm 2 (typ) L x W (typ).45 x.45 (typ) H (typ) (typ) ϕ ± 6 mm x mm mm (typ) C CE 5 pf (typ (max)) I CE 1 ( 2) na I PCE 16 µa (typ) t r, t f 7 µs (typ) V CEsat 15 mv Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 7 ma, t p = 2 ms I F = 7 ma, t p = 2 ms I F = 5 ma, t p = 1 µs I e, min I e, max I e, typ SFH 725-Q SFH 725-R Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr. Gemessen bei einem Raumwinkel von Ω =.1 sr

6 Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), T A = 25 C I F 1 A OHF3826 Radiant Intensity Strahlstärke I e / I e (7 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs 1 1 e e (7 ma) I I 1 5 OHF V 3 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter IF.7 A.6 t P D= T t P T OHF3733 I F ma 1 3 I F Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission (typ) I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 OHF D= s1 t p nm λ

7 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) 8 ma I F 7 6 OHF C 12 TA

8 Diagrams Diagramme Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ), T A = 25 C Phototransistor Fototransistor Photocurrent Fotostrom I PCE = f(e e ), V CE = 5 V, T A = 25 C 1 % S rel OHF µa PCE Ι OHF nm 11 λ m W/cm 2 1 E e

9 Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter, T A = 25 C Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (25 C) = f(t A ), V CE = 5 V Ι 1 ma PCE OHF1529 mw 1 cm 2 mw.5 cm Ι PCE Ι PCE OHF mw cm mw.1 cm V 35 V CE Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E =, T A = 25 C Ι 1 1 na CEO OHF Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(t A ), V CE = 5 V, E = Ι 1 3 na CEO C 1 TA OHF V 35 V CE C 1 TA

10 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E =, T A = 25 C 5. C CE pf OHF1528 Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) 2 mw P tot OHF V 1 2 V CE C 1 T A IRED Radiation Characteristics / Phototransistor Directional Characteristics IRED Abstrahlcharakteristik / Phototransistor Winkeldiagramm I rel = f(ϕ) / S rel = f(ϕ) OHL166 ϕ

11 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Pinning Anschlussbelegung Pin Anschluss Description Beschreibung 1 Anode IRED/ Anode IRED 2 Cathode IRED/ Kathode IRED 3 Collector Phototransistor/ Kollektor Fototransistor 4 Emitter Phototransistor/ Emitter Fototransistor Package Gehäuse SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED

12 Taping Gurtung 1.5 (.59) 4 (.157) 2 (.79) Cathode/Collector Marking 2.9 (.114) 4 (.157) 3.6 (.142) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) OHAY536 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign

13 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s

14 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

15 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert

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