GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

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Brit Amsel
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1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Sensorik Diskrete Lichtschranken Features Very highly efficient GaAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Same package as SFH 484 Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control for steady and varying intensity Sensor technology Discrete interrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 274 Q6273-Q31 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3 / 4 ), graugetöntes Epoxy- LD Q6273-Q1819 Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( 1 / ), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat LD Q6273-Q182 5 mm LED package (T 1 3 / 4 ), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / ), cathode marking: shorter solder lead, flat Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request OPTO SEMICONDUCTORS

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM 3 A P tot 165 mw R thja 45 K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = ma, t p = 2 ms λ peak 95 nm λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± Grad Aktive Chipfläche Active chip area A.9 mm 2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L B L W.3.3 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H mm Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = 5 Ω t r, t f.5 µs OPTO SEMICONDUCTORS

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom, V R = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma C o 25 pf V F 1.3 ( 1.5) V F 1.9 ( 2.5) V V I R.1 ( µa Φ e 15 mw TC I.55 %/K TC V 1.5 mv/k TC λ +.3 nm/k OPTO SEMICONDUCTORS

4 Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I e min 5 I e max LD 274 LD LD mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = µs I e typ mw/sr Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request OPTO SEMICONDUCTORS

5 Relative Spectral Emission Ι rel = f (λ) Ι rel % 8 OHRD1938 Radiant Intensity Ι e ma = f (I F) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e ( ma) Ι e OHR38 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) Ι F 12 ma OHR R thja = 45 K/W nm 6 λ Forward Current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs A 1 Ι Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T C 25 C, duty cycle D = parameter F C12 T A Ι F 1 A typ. max. OHR41 4 Ι ma F 5 t p D = T D = t p T OHR86 Ι F V 4.5 V F Radiation Characteristics, Ι rel = f (ϕ) 2-5 DC s t p OHR1882 ϕ OPTO SEMICONDUCTORS

6 Maßzeichnung Package Outlines 2.54 mm spacing Cathode Area not flat ø5.1 ø4.8 Chip position GEX651 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified OPTO SEMICONDUCTORS

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