GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800

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1 GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E78 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit BPX 63, BP 3, LD 242, SFH 464 Anwendungsklasse nach DIN 4 4 GQC Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Sensorik Lichtgitter Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Same package as BPX 63, BP 3, LD 242, SFH 464 DIN humidity caregory in acc. with DIN 4 4 GQG Applications Photointerrupters Sensor technology Light curtains Typ Type 1) Bestellnummer Ordering Code SFH 483 L/M E78 Q6273Q (> 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr measured at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärkegruppierung 1) (I F = ma, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

2 SFH 483 L/M E78 Grenzwerte (T C = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C V R 5 V I F 2 ma I FSM 2.5 A P tot 47 mw R thja 45 R thjc 16 K/W K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = ma Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Gehäuserückseite bis Chipoberfläche Distance chip front to case back Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = 5 Ω Wert Value λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ± 23 Grad deg. A.16 mm 2 L B L W.4.4 mm² H mm t r, t f.6/.5 µs

3 SFH 483 L/M E78 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlassspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma Wert Value C o 25 pf V F 1.5 (< 1.8) 2.4 (< 3.) I R.1 ( 1) µa Φ e 23 mw TC I.5 %/K TC V 2.5 mv/k TC λ +.25 nm/k V

4 SFH 483 L/M E78 Strahlstärke I e in Achsrichtung (gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr) Radiant Intensity I e in Axial Direction (at a solid angle of Ω =.1 sr) Strahlstärke 1) Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I e min 1 I e max 2 SFH 483-L E78 Werte Values SFH483-M E mw/sr mw/sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4, mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.b. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende, Messverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 78, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4. mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by E 78 added to the type designation

5 SFH 483 L/M E78 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % 8 6 OHR877 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e (ma) 1 I e I e ma = f (I F ) OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 24 ma R thjc = 16 K/W OHR = 45 K/W R thja nm λ Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 2 µs 1 A -1-2 OHR ma 4 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (t p ), T C = 25 C, duty cycle D = parameter 4 Ι ma F t p D = T D = t p T OHR C T A, T C V F 2-5 DC s t p Radiation Characteristics 1) I rel = f (ϕ) ϕ 1..8 OHR

6 SFH 483 L/M E78 Maßzeichnung Package Outlines 2.54 (.) spacing ø.45 (.18) (.6) Chip position ø4.3 (.169) ø4.1 (.161) 1.1 (.43).9 (.35) 1.1 (.43).9 (.35) 14.5 (.571) 12.5 (.492) 3.6 (.142) 3. (.118) ø5.5 (.217) ø5.2 (.25) GETY6625 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). Gehäuse Package Anschlussbelegung pin configuration 18 A3 DIN 4187 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz 18 A3 DIN (TO-18), transparent epoxy resin 1 = Kathode/ cathode 2 = Anode/ anode

7 SFH 483 L/M E78 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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