GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

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1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke Geringe Außenabmessungen Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3 F Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3 F Hohe Zuverlässigkeit Features Peak wavelength of 95 nm Narrow half angle High radiant intensity Small outline dimensions Same package as phototransistor SFH 3 F High coupling factor in light barriers with SFH 3 F High reliability Anwendungen Sender für Lichtschranken Bandende Erkennung (z.b. Videorecorder) Datenübertragung Positionsüberwachung Barcode-Leser Messen/Steuern/Regeln Münzzähler Applications Emitter in photointerrupter Tape end detection (VCR e.g.) Data transmission Position sensing Barcode reader For control and drive circuits Coin counters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Strahlstärke 1) (I F = 2mA, t p = 2 ms) Radiant intensity 1) I e (mw/sr) SFH 41 Q6272P572 > 2.5 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1sr measured at a solid angle of Ω =.1 sr

2 SFH 41 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = μs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung Thermal resistance junction - ambient Wert Value T op ; T stg C V R 5 V I F (DC) 6 ma I FSM 1 A P tot mw R thja 28 K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission Wert Value λ peak 95 nm Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Δλ 55 nm Spectral bandwidth at 5% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = 2 ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, I F = 2 ma, R L = 5 Ω Kapazität, Capacitance V R = V, f = 1 MHz ϕ ± 9 Grad deg. A.625 mm 2 L B L W mm² t r, t f 45/36 ns C o 16 pf

3 SFH 41 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Durchlaßspannung, Forward voltage I F = 2 ma, t p = 2 ms Sperrstrom, Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux I F = 2 ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 2 ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = 2 ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = 2 ma Temperature coefficient of V F, I F = 2 ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = 2 ma Temperature coefficient of λ, I F = 2 ma Wert Value V F 1.2 ( 1.4) V I R.1 ( 1.) μa Φ e 2 mw TC I.55 %/K TC V 1.8 mv/k TC λ +.3 nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärke 1) Radiant intensity 1) I F = 2 ma, t p = 2 ms Werte Values I e min 2.5 mw/sr 1) 1) Sonderselektion auf Anfrage. Special bin selection on request

4 SFH 41 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % OHR1938 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 μs Ι e 1 Ι e ( ma) -1-2 I e I e ma = f (I F ) OHF369 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 9 Ι F ma R thja = 28 K/W OHF nm 6 Forward Current I F = f (V F ), Single pulse, t p = 2 μs 4 ma Ι F 3 λ OHF ma 3 Ι F Radiation Characteristics Ι rel = f (ϕ) ϕ C 12 TA OHF V 4 VF Permissible Pulse Power, Duty cycle D = parameter, T A = 25 C 1 OHF Ι F A D =.5 D =.1 D =.2 D =.5 D =.1 D =.2 D = s t P

5 SFH 41 Maßzeichnung Package Outlines Emitter/ Cathode 16.5 (.65) 16. (.63) R.9 (.35) R.7 (.28).5 (.2) x (.122) 2.9 (.114) 2.2 (.87) 2. (.79) 2.54 (.) 1.42 (.56) 1.22 (.48).6 (.24).4 (.16) 1.4 (.41).84 (.33) (.7) (.68) 4.1 (.161) 3.9 (.154) 1.4 (.41).84 (.33) 3. (.118) 2.8 (.1).5 (.2).3 (.12).9 (.35).7 (.28) (.63) 1.4 (.55) 1.3 (.51) 1.1 (.43).84 (.33).64 (.25) GEOY6976 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch)

6 SFH 41 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Wellenlöten (TTW) TTW Soldering 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY

7 SFH 41 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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