BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX

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1 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feo06367 fez06365 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm Hohe Linearität Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy Gruppiert lieferbar Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Lochstreifenleser Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm High linearität Multiple-digit array package of transparent epoxy Available in groups Applications Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group

2 Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array Maße A Dimensions A Bestellnummer Ordering Code min max BPX Q62702-P21 BPX Q62702-P25 BPX Q62702-P30 BPX Q62702-P31 BPX Q62702-P22 BPX Q62702-P32 BPX Q62702-P33 BPX Q62702-P26 BPX Q62702-P28 Grenzwerte Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current T op ; T stg C T S 230 C T S 300 C V CE 32 V I C 50 ma Semiconductor Group 2

3 Grenzwerte Maximum Ratings (cont d) Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance I CS 200 ma P tot 90 mw R thja 750 K/W Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current V CE = 25 V, E = 0 λ S max 850 nm λ nm A 0.17 mm 2 L B mm mm L W H mm ϕ ± 18 Grad deg. C CE 6 pf I CEO 25 ( 200) na Semiconductor Group 3

4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures Fotostrom, λ = 950 nm E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter- Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3, E e = 0.5 mw/cm 2 e -A -B -C I PCE I PCE ma ma t r, t f µs V CEsat mv Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich. For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group. 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 4

5 Relative spectral sensitivity S rel = f (λ) I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total power dissipation P tot = f (T A ) I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V Collector-emitter capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics S rel = f (ϕ) Semiconductor Group 5

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