Institut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Reihenschaltung von Halbleiterdioden
|
|
- Bettina Hauer
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe Reihenschaltung von Halbleiterdioden In integrierten Halbleiterschaltkreisen werden zur Stabilisierung kleiner Spannungen oft Reihenschaltungen von Dioden verwendet. Für einfache Betrachtungen können Diodenkennlinien als Einheit von zwei Geraden approximiert werden. Gegeben ist folgende Schaltung: Werte: D 1 = Diode 1 D 2 = Diode 2 U E = 3V R 1 = 50 Ω und die Kennlinien der Dioden Abb. 1 Aufgabe: Bestimmen Sie die Ausgangsspannung U A. den Strom durch die Dioden I A sowie die Teilspannungen U D1 und U D2 über die Dioden. 1. Bestimmen Sie die mathematische Funktion der Kennlinien I D1 =f(u D1 ) für Diode1 und I D2 =f(u D2 ) für beide Intervalle. 2. Konstruieren Sie die Ersatzkennlinie für die Reihenschaltung von Diode1 und Diode Bestimmen Sie die mathematische Funktion der Ersatzkennlinie I Ders =f(u Ders ) der Reihenschaltung von Diode1 und Diode Bestimmen Sie mithilfe der Ersatzkennlinie die Ausgangsspannung U A und den Strom I A für die Reihenschaltung der Dioden sowie die Spannung U R und den Strom I R über den Widerstand. 5. Bestimmen Sie aus den Einzelkennlinien die Teilspannungen U D1 und U D2 über die Dioden D 1 und D 2. Stellen sie die Ergebnisse in einer Tabelle dar. Für die Intervalle sind explizite Werte anzugeben. Angaben wie "sonst" oder "Rest" sind nicht zulässig! Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 1
2 ID/mA 80 Diode 1 und UD/V Abb. 2 Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 2
3 Aufgabe Parallelschaltung von Halbleiterdioden In integrierten Halbleiterschaltkreisen können zur Versteilerung der Kennlinie Parallelschaltungen von Dioden verwendet werden. Für einfache Betrachtungen können Diodenkennlinien als Einheit von zwei Geraden approximiert werden. Gegeben ist folgende Schaltung: Werte: UD 1 E = Diode 3V 1 D 2 = Diode 2 R 1 = 50 Ω und die Kennlinien der Dioden Abb. 3 Aufgabe: Bestimmen Sie die Ausgangsspannung U A, den Gesamtstrom durch die Dioden I A sowie die Teilströme I D1 und I D2 durch die Dioden. 1. Konstuieren Sie die Ersatzkennlinie für die Parallelschaltung von Diode1 und Diode 2. Beachten Sie, daß sich hierbei die Ströme addieren. 2. Bestimmen Sie mithilfe der Ersatzkennlinie die Ausgangsspannung U A und den Strom I A für die Parallelschaltung der Dioden sowie die Spannung U R und den Strom I R über den Widerstand. 3. Bestimmen Sie aus den Einzelkennlinien die Teilströme I D1 und I D2 durch die Dioden D 1 und D 2. Stellen sie die Ergebnisse in einer Tabelle dar. Für die Intervalle sind explizite Werte anzugeben. Angaben wie "sonst" oder "Rest" sind nicht zulässig! Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 3
4 ID/mA 80 Diode 1 und UD/V Abb. 4 Aufgabe Berechnung einer Transistorschaltung Unter Zuhilfenahme eines vereinfachten U CE /I C Kennlinienfeldes mit dem Parameter I B sollen die Widerstände bei vorgegebenen Gleichstromarbeitspunkt berechnet werden. Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 4
5 Gegeben ist folgende Schaltung: Werte: U B = 6V I CA = 20mA U CEA = U B /2 U BEA = 0,7V I Q = 5 I B i B (t)=100µasin(314s -1 t) und die Kennlinien des 1. Quadranten des Transistors Abb. 5 Aufgabe: 1. Zeichnen Sie unter Zuhilfenahme der Betriebsspannung U B, sowie der Parameter des Arbeitspunktes (I CA und U CEA ) die R L - Gerade in das U CE /I C Kennlinienfeld ein und bestimmen Sie den Wert von R L. 2. Bestimmen Sie aus dem U CE /I C Kennlinienfeld den für den Arbeitspunkt (I CA, U CEA ) notwendigen Basisstrom I BA. 3. Berechnen Sie mithilfe des Basisstroms I BA den Querstrom I Q, der durch den Spannungsteiler (R 1, R 2 ) fließen soll. 4. Berechnen Sie die Widerstände R 1 und R 2 5. Bestimmen Sie die Gleichstromverstärkung B A des Transistors im Arbeitspunkt (B A =I CA /I BA ) 6. Der Transistor wird mit einem zeitveränderlichen Basisstrom i B (t)=i B sin(ωt+φ) mit φ=0 im Arbeitspunkt angesteuert. Bestimmen Sie den maximalen- und den minimalen Basisstrom (I Bmax, I Bmin ), die Basisstromdifferenz I B =I Bmax -I Bmin, u CE (t), i C (t) die minimale- und maximale Kollektorspannung (U CEmax, U CEmin ), die Kollektor-spannungsdifferenz U CE = (U CEmax - U CEmin ), den maximalen- und den minimalen Kollektorstrom (I Cmax, I Cmin ), die Kollektorstromdifferenz I C =(I Cmax -I Cmin ). Die Indizes (max, min) richten sich nach dem Basisstrom) Stellen Sie die Ergebnisse in einer Tabelle dar. Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 5
6 IC/mA 40 Transistor 1 IB/µA UCE/V 0 Abb. 6 Dr. H-J Lieske/Uni. Leipzig/ /Version5 Datei: sa3as98.wpd Juni Seite 6
Institut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Parallelschaltung von Halbleiterdioden
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.3.1. - Parallelschaltung von Halbleiterdioden In integrierten
MehrStudentenmitteilung 1. Semester - WS 2000/2001
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Studentenmitteilung 1. Semester - WS 2000/2001 Abt. Technische Informatik Gerätebeauftragter Dr. rer.nat. Hans-Joachim Lieske Tel.: [49]-0341-97 32213 Zimmer:
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Gruppenschaltung elektronischer Bauelmente
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik bt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske ufgaben zum Seminar Technische Informatik ufgabe 2.4.1. - Gruppenschaltung elektronischer auelmente Gegeben
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.4.. - Berechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.4.. - Berechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrGrundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4
Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zur Klausur Grundlagen der Technische Informatik 1 und 2
UNVESTÄT LEPZG nstitut für nformati Prüfungsaufgaben 2. Klausur zur Vorlesung WS 23/24 und SS 24 Prof. Dr. Martin Middendorf Dr. Hans-Joachim Liese Datum: Mittwoch, 9. Februar 25 Uhrzeit: 8 - Ort: H4 Aufgaben
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Bestimmung des Innenwiderstandes Eine Stabilisierungsschaltung gemäß nebenstehender Schaltung ist mit folgenden Daten gegeben: = 18 V R 1 = 150 Ω Für die Z-Diode
MehrUnterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
MehrVorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen
Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Bestimmung des Innenwiderstandes Eine Stabilisierungsschaltung gemäß nebenstehender Schaltung ist mit folgenden Daten gegeben: 18 V R 1 150 Ω Für die Z-Diode
MehrProfessur für Leistungselektronik und Messtechnik
Aufgabe 1: Diode I (leicht) In dieser Aufgabe sollen verschiedene Netzwerke mit Dioden analysiert werden. I = 1 A R = 2 Ω T = 25 C Diodenkennlinie: Abbildung 5 Abbildung 1: Stromteiler mit Diode a) Ermitteln
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Eine Stabilisierung für ein Netzteil entsprechend nebenstehender Schaltung soll aufgebaut und dimensioniert werden. Bestimmen Sie: 1. die erforderliche Z-Dioden-Spannung
Mehr7. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag
+ - Grundlagen der echnertechnologie Sommersemester 200 Wolfgang Heenes. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag 0.06.200 Schaltungen mit Bipolartransistoren Aufgabe : Analyse einer Schaltung mit Bipolartransistor
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrDiplomvorprüfung Elektronik SS 2008
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 6 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008 Name: Vorname:
MehrProjekt: Einstellbares Netzteil mit Spannungsstabilisierung
Projekt: Einstellbares Netzteil mit Spannungsstabilisierung W. Kippels 14. Januar 2016 Inhaltsverzeichnis 1 Die Aufgabenstellung 2 2 Eine mögliche Lösung 4 2.1 Die maximalen Spannung am Kondensator:.................
MehrDie wichtigsten Eigenschaften von bipolaren Transistoren.
Elektronik-Kurs Die wichtigsten Eigenschaften von bipolaren Transistoren. Es gibt 2 Arten von bipolaren Transistoren: NPN-Transistoren PNP-Transistoren Diese Bezeichnung entspricht dem inneren Aufbau der
MehrAlle drei Baugruppen gehören zu den Standardbaugruppen der Elektronik werden in der Schule häufig angewendet und eignen sich für den Einstieg ins Fach
Drei wichtige Baugruppen der Elektronik. Der Schmitt-Trigger Ein Schwellwertschalter 2. Das S Flipflop Ein Speicher 3. Der astabile Multivibrator Ein Generator Alle drei Baugruppen gehören zu den Standardbaugruppen
Mehr4. Gemischte Schaltungen
4. Einleitung Unter einer gemischten Schaltung, auch Gruppenschaltung genannt, versteht man eine Schaltung in der sowohl die eihen- als auch die Parallelschaltung vorkommt. 4.2 Die Maschen- und Knotenpunktregel
MehrTransistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung
Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrTransistor und einer Z-Diode
Berechnung einer Spannungs-Stabilisierung mit einem Transistor und einer Z-Diode Mit dieser einfachen Standard-Schaltung kann man eine unstabilisierte, schwankende Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung
MehrDiplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrVorwiderstandsberechnung für LEDs
B.Bulut (bx61) Inhaltsverzeichnis Thema Seite 1 Einleitung 1 2 Datenblatt vom LED 1 3 Vorwiderstand für eine LED 2 3.1 Bedeutung der Abkürzungen 3 3.2 Vorwiderstand für mehrere LEDs 3 4 Parallelschaltung
MehrGleichstromtechnik. Vorlesung 13: Superpositionsprinzip. Fakultät für Elektro- und Informationstechnik, Manfred Strohrmann
Gleichstromtechnik Vorlesung 13: Superpositionsprinzip Fakultät für Elektro- und Informationstechnik, Manfred Strohrmann Motivation Einige Schaltungen weisen mehr als eine Quelle auf, Beispiel Ersatzschaltbild
MehrArbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung
Berechnung einer Emitterschaltung mit Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Diese Schaltung verkörpert eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung. Verwendet
MehrLo sung zu UÜ bung 1. I Schaltung Ersatzquellenberechnung. 1.1 Berechnung von R i
Lo sung zu UÜ bung 1 I Schaltung 1 Schaltbild 1: 1.Schaltung mit Spannungsquelle 1. Ersatzquellenberechnung 1.1 Berechnung von R i Zunächst Ersatzschaltbild von den Klemmen aus betrachtet zeichnen: ESB
Mehr3. Schaltungsentwicklung - Beispiel Taschenlichtorgel
3. - Beispiel Taschenlichtorgel Anforderungen: Drei farbige LEDs, Mikrofoneingang, Empfindlichkeitseinstellung, kleines Format, geringe Betriebsspannung und Leistung, geringster Material- und Arbeitsaufwand.
MehrGegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Bild1. Aufgabenstellungen
Übung1 Gegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Werte: R1= 2 kω Bild1 R2= 1kΩ U0= 6V Aufgabenstellungen Lösung Berechnen Sie die von dem Widerstand R2 aufgenommene Leistung, wenn
MehrMatr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte)
1. PROBETEST ZU HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, WS 2017/18 DATUM Punktemaximum: 100 Testdauer: 90 min Vorname: Nachname: Matr. Nr.: Kennzahl: Hinweis zum Test: Alle nötigen Zwischenschritte angeben! Ergebnisse
MehrMusterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrWechselstrom-Gegenkopplung
// Berechnung einer Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Diese Transistor-Schaltung stellt eine Abwandlung der " Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung " dar.
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrÜbungsserie, Bipolartransistor 1
13. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Bipolartransistor 1 Aufgabe 1. Invertierender Verstärker Die Abbildung 1 stellt einen invertierenden Verstärker dar. Es sei = 10 kω und = 1 kω.
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr
// // Konstantstromquelle mit einem pnp-transistor - Berechnung Mit dieser einfachen Schaltung kann am Kollektor des Transistors ein konstanter Strom I gewonnen werden. Das Prinzip ist sehr einfach: An
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrDimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern
Dimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern mit NPN Transistor Schaltung Werte: V 1 = BC141; R L = 1 kω U B = 15 V Vorgaben: Der Arbeitspunkt des Transistors ist so einzustellen, dass U
MehrÜbung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung
Universität Stuttgart Übung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Aufgabe 2.1
MehrElektronik für Informatiker. Aufgabensammlung zur Vorlesung WS 2015/2016. Gudrun Flach Fakultät Elektrotechnik HTW Dresden
Elektronik für Informatiker Aufgabensammlung zur Vorlesung WS 2015/2016 Gudrun Flach Fakultät Elektrotechnik HTW Dresden 27. Januar 2016 1 BEMESSUNGSGLEICHUNG, ZUGESCHNITTENE GRÖSSENGLEICHUNG 1 1 Bemessungsgleichung,
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrFachprüfung. Schaltungen & Systeme BA
Fachprüfung Schaltungen & Systeme BA 15. Juli 2004 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7.8.9 Summe 1. 2. 3. 4. 5.
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zur Klausur Grundlagen der Technischen Informatik 1 und 2
NIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Prüfungsaufgaben Klausur Wintersemester 2/21 Abt. Technische Informatik Prof. Dr. do Kebschull Dr. Paul Herrmann Dr. Hans-Joachim Lieske Datum: 6. Februar 21
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrAn eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt.
1. Aufgabe: Halbleitergrundlagen und Halleffekt An eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt. U Bat
MehrAufg. P max 1 12 Klausur "Elektrotechnik" am
Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 12 Klausur "Elektrotechnik" 2 12 3 12 6141 4 10 am 07.02.1997 5 16 6 13 Σ 75 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene
MehrElektrische Grundlagen der Informationstechnik. Laborprotokoll: Nichtlineare Widerstände
Fachhochschule für Technik und Wirtschaft Berlin Elektrische Grundlagen der Informationstechnik Laborprotokoll: Nichtlineare Widerstände Mario Apitz, Christian Kötz 2. Januar 21 Inhaltsverzeichnis 1 Vorbeitung...
MehrTRA - Grundlagen des Transistors
TRA Grundlagen des Transistors Anfängerpraktikum 1, 2006 Janina Fiehl Daniel Flassig Gruppe 87 Aufgabenstellung n diesem Versuch sollen wichtige Eigenschaften des für unsere nformationsgesellschaft vielleicht
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrA1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.
Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage
MehrWirtschaftsingenieurwesen Elektronik/Schaltungstechnik Prof. M. Hoffmann Übung 3 Halbleiterdioden
Wirtschaftsingenieurwesen Elektronik/Schaltungstechnik Prof. M. Hoffmann Übung 3 Halbleiterdioden Aufgabe 1: Kennlinie, Kennwerte, Ersatzschaltbilder und Arbeitspunktbestimmung Gegeben sind die nachfolgende
MehrMUSTERKLAUSUR Sommersemester 2011
L E H R S T U H L F Ü R T E C H N I S C H E E L E K T R O N I K T e c h n i s c h e U n i v e r s i t ä t M ü n c h e n A r c i s s t r a ß e 2 1 80333 M ü n c h e n Tel.: 089/289-22929 Fax.: 089/289-22938
MehrDotierter Halbleiter
FH München FK 03 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 007 Freitag, 0.7.007 Prof. Dr. Höcht (Prof. Dr. Kortstock) Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten 1 Homogene Halbleiter
MehrC03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie
C03 Transistor 1 Ziele In diesem Versuch werden Eigenschaften und Anwendungen eines npn-transistors (BD 135) untersucht. Dazu werden Sie Schaltungen aufbauen und ausprobieren und seine Kennlinien nutzen
MehrElektrotechnik Protokoll - Nichtlineare Widerstände
Elektrotechnik Protokoll - Nichtlineare Widerstände André Grüneberg Andreas Steffens Versuch: 17. Januar 1 Protokoll: 8. Januar 1 Versuchsdurchführung.1 Vorbereitung außerhalb der Versuchszeit.1.1 Eine
MehrMeß- und Regelungstechnik. Versuch: Parklichtschalter
universtity of applied science gegr. 1970 fachhochschule hamburg FACHBEECH FAHZEGTECHNK Meß- und egelungstechnik Versuch: Parklichtschalter SS 2001 Labortermin: 11.Juni 2001 Betreuer: Prof. Dr. H. Krisch
MehrAufgabe E1: Aufgabe E2: Aufgabe E3: Fachhochschule Aachen Lehrgebiet Flugzeug- Elektrik und Elektronik Prof. Dr. G. Schmitz
Aufgabe E1: Gegeben sei eine Leuchtdiode (LED), die an einer Gleichspannung von 3V betrieben werden soll. Dabei soll sich ein Strom von 10mA einstellen. a) erechnen Sie den erforderlichen Vorwiderstand,
MehrDiplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik,
MehrKlausur: TI I Grundlagen der Technischen Informatik
Klausur: TI I Grundlagen der Technischen Informatik Wintersemester 2007/2008 1.Bipolarer Transistor Die Verstärkerschaltung soll mit dem im Kennlinienfeld dargestellten Arbeitspunkt konfiguriert werden.
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
erbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik ersuch 6 ntersuchungen an einem bipolaren Transistor Teilnehmer: Name orname Matr.-Nr. Datum
Mehr(Operationsverstärker - Grundschaltung)
Universität Stuttgart Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Übung 5 Aufgabe 5.1 ( - Grundschaltung) Im Bild 5.1 ist eine
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
MehrÜbungsserie 5: Diode
24. Juni 2014 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie 5: Diode Aufgabe 1. Ideale Dioden Nehmen sie für die folgenden Schaltungen an, dass die Dioden ideal sind. Berechnen Sie jeweils die Spannung V
MehrKlausur "Elektrotechnik 1,2" Fachnr. 8149, 8425 und am
Name, Vorname: Hinweise zur Klausur: Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 3 h. Zugelassene Hilfsmittel sind: Taschenrechner Klausur "Elektrotechnik 1,2" Fachnr. 8149, 8425 und 6132 am 10.07.1996 Matr.Nr.:
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Montag, den 09. März 2015 um 07:46 Uhr - Aktualisiert Montag, den 09. März 2015 um 08:11 Uhr
// // // Spannungs-Stabilisierung mit einer Z-Diode - Berechnung Diese Grundschaltung einer Spannungsstabilisierung stellt die einfachste Anwendung einer Zenerdiode dar. Die Schaltung wandelt eine schwankende
MehrSchaltungen mit mehreren Widerständen
Grundlagen der Elektrotechnik: WIDERSTANDSSCHALTUNGEN Seite 1 Schaltungen mit mehreren Widerständen 1) Parallelschaltung von Widerständen In der rechten Schaltung ist eine Spannungsquelle mit U=22V und
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik bt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske ufgaben zum Seminar Technische Informatik ufgabe 2.4.1. - erechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
Mehr9 Anzahl. DHBW-MaEP EL1 TMT17AM2 Bayer Klausur 2018/12 r120. Anhang: E-Reihen E6 E96 nach DIN IEC Aufgabenblätter inkl. Deckblatt.
DHBW-MaEP EL1 TMT17AM2 Bayer Klausur 2018/12 r120 Elektronik 1 (EL1) Klausur 2018/12 Bayer Blatt 1 / 9 Aufgabenblätter inkl. Deckblatt DHBW Mannheim-Eppelheim Elektronik 1 (EL1) TMT17AM2 Rev. 1.2.0 Klausur
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
Mehr6. Vorverstärkerschaltungen
6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.
MehrNvK-Gymnasium Bernkastel-Kues Widerstände. Physik Elektronik 1 U 5V = R= 20 = 0,25A R 20 1V 1A
Widerstände I R 20 = Ω U 5V I = R= 20 = Ω 0,25A U = R I 10 100Ω = 1kΩ ± 5% 402 100Ω = 40, 2kΩ ± 2% 1Ω = 1V 1A Widerstände U = R I 1Ω = 1V 1A 12 100 kω = 1, 2MΩ ± 5% 56 10Ω = 560Ω ± 10% 47 100Ω = 4,7kΩ
MehrFachprüfung. Schaltungen & Systeme
Fachprüfung Schaltungen & Systeme 12. September 2006 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7 Summe 1. 2. 3. Punkte
MehrDokumentation und Auswertung. Labor. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer. 2.1 Prüfen von Transistoren 2.2 Schaltbetrieb 2.3 Kleinsignalverstärker
TGM Abteilung Elektronik und Technische Informatik Übungsbetreuer Dokumentation und Auswertung Prof. Zorn Labor Jahrgang 3BHEL Übung am 17.01.2017 Erstellt am 21.01.2017 von Übungsteilnehmern Übungsteilnehmer
MehrÜbungsserie: Diode 2
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie: Diode 2 Aufgabe 1. Ideale Dioden Nehmen sie für die folgenden Schaltungen an, dass die Dioden ideal entsprechend Modell (a) aus dem Abschnitt 2.6
MehrUmdruck zum Versuch. Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und. Anwendung von Messgeräten
Universität Stuttgart Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik Umdruck zum Versuch Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und Anwendung von Messgeräten Bitte bringen Sie zur Versuchsdurchführung
MehrTransistor BJT I. Roland Küng, 2009
Transistor BJT I Roland Küng, 2009 Aufbau-Bezeichnungen Typ NPN Typ PNP Aufbau Praktisch Typ NPN B Schicht dünn E Schicht hoch dotiert (viel Phosphor bei n, Bor bei p) B E C Funktionsweise I E hoch dotiert
Mehr1. Gleichstrom 1.2 Aktive und passive Zweipole, Gleichstromschaltkreise
Elektrischer Grundstromkreis Reihenschaltung von Widerständen und Quellen Verzweigte Stromkreise Parallelschaltung von Widerständen Kirchhoffsche Sätze Ersatzquellen 1 2 Leerlauf, wenn I=0 3 4 Arbeitspunkt
MehrÜbungsaufgaben Elektrotechnik/Elektronik für Medieninformatik
HTW Dresden Fakultät Elektrotechnik Übungsaufgaben Elektrotechnik/Elektronik für Medieninformatik Gudrun Flach February 3, 2019 Grundlegende Begriffe Grundlegende Begriffe Aufgabe 1 Bestimmen Sie die Beziehungen
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrDiplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrTransistorgrundschaltungen
Vorbereitung Transistorgrundschaltungen Carsten Röttele 0. Januar 202 Inhaltsverzeichnis Theoretische Grundlagen 2. Halbleiter/Dotierung.............................. 2.2 Diode......................................
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrElektrotechnische Grundlagen, WS 00/01 Musterlösung Übungsblatt 5
Elektrotechnische Grundlagen, WS 00/01 Musterlösung Übungsblatt 5 Prof. Baitinger / Lammert Besrechung: 15.01.2001 b) Die Diode wird in der Schaltung nach Abb. 1-2 betrieben. Berechnen Sie jeweils die
MehrDie Reihenschaltung und Parallelschaltung
Die Reihenschaltung und Parallelschaltung Die Reihenschaltung In der Elektronik hat man viel mit Reihen- und Parallelschaltungen von Bauteilen zu tun. Als Beispiel eine Reihenschaltung mit 2 Glühlampen:
Mehr1. Diode und Transistor
1. Diode und Transistor Vergleichen Sie Diode und Transistor aus Bild 1. a) Wie groß sind jeweils die Elektronenströme? b) Wie groß sind jeweils die Löcherströme? E B C 18-3 N = A 17-3 10 cm 16-3 Basislänge
MehrHSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS Gruppe: S Q. Teilnehmer Name Matr.-Nr.
HSD FB E I Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik Schaltungs-Praktikum bistabiler Multivibrator Datum: WS/SS 201.. Gruppe: S Teilnehmer Name Matr.-Nr. 1 2 3 Testat R verwendete
Mehr0Elementare Transistorschaltungen
Teilanfang E1 0Elementare Transistorschaltungen VERSUCH Praktikanten: Rainer Kunz Rolf Paspirgilis Links Versuch E1 Elementare Transistorschaltungen Q In diesem Protokoll: O»Einleitung«auf Seite 3 O»Transistoren«auf
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
Mehr5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung
5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
Mehr