Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

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1 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 429 Q6272 P (>6.3) ) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr measured at a solid angle of Ω =. sr Features High Power GaAs-LED (4mW) High Efficiency at low currents Typical peak wavelength 95nm Applications High data transmission rate up to Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission Low power consumption (battery) equipment Suitable for professional and high-reliability applications Alarm and safety equipment IR free air transmission Strahlstärkegruppierung ) (I F = ma, t p = 2 ms) Radiant intensity grouping ) I e (mw/sr)

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 6 mm 2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 6 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Symbol Wert Einheit Symbol Value Unit T op ; T stg 4 + C V R 3 V I F (DC) ma I FSM 2.2 A P tot 8 mw R thja R thjs 45 2 K/W K/W

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to%,, R L = 5 Ω Durchlaßspannung, Forward voltage I F = A, t p = µs Sperrstrom, Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma Symbol Symbol Wert Value λ peak 95 nm λ 4 nm Einheit Unit ϕ ± 25 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm t r, t f ns V F V F 3.2 ( 4.3) V.5 (.8) V I R. ( ) µa Φ e 4 mw TC I.44 %/K TC V.5 mv/k TC λ +.2 nm/k

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =. sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity Strahlstärke Radiant intensity I F = A, t p = µs Symbol I e min. 6,3 I e typ. 24 Werte Values Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ. 45 mw/sr

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι erel Forward Current I F = f (V F ) single pulse, t p = 2 µs 4 ma Ι F 3 OHF nm λ OHF V 4.5 V F Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) OHL732.4 ϕ I Radiant Intensity e I e ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e ( ma) - -2 OHF ma 4 Ι F Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter A I F 5 5 t D = OHF s 2 t p T P t P T D = I F Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ), R thja ) Ι 2 ma F OHF359 R thja = 375 K/W C 2 T A ) Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), pad size 6 mm 2 (each)

6 Maßzeichnung Package Outlines 3.4 (.34) 3. (.8) Package marking 3. (.8) 2.6 (.2) 2.3 (.9) 2. (.83) (.46) 3.3 (.3) 3.5 (.38) max..8 (.7).3 (.5) ø2.6 (.2) ø2.55 (.).6 (.24).4 (.6). (.4) (typ.) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.. (.43) Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered..5 (.2) 2. (.83).7 (.67).9 (.35).7 (.28) GEOY

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