Technische Information / Technical Information T 501 N TOH

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1 etz Thyristor T TOH Features: Volle Sperrfähigkeit bei 125 mit 50 Hz Full blocking capability at 125 C with 50 Hz Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance widerstände durch TV-Verbindung by using low temperature-connection TV zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I 2 t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current f = 50 Hz tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms tvj = 25 C, tp = 10ms, tp = 10ms DI IEC f = 50Hz, vd = 0,67 VDRM, igm = 3A, dig/dt = 6A/µs, vd = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter F t = -40 C t = 0 C V DRM, V RRM vj min vj min V V V I TRMSM 1350 A I TAVM I TSM 13,5 13,0 A A ka ka I 2 t A 2 s A 2 s (di/dt) cr 300 A/µs (dv/dt) cr 2000 V/µs BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 1

2 etz Thyristor T TOH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung typ. on-state voltage, it= 1kA v T 2,55 max. 2,65 V Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance V (TO) r T typ. 1,25 1,3 max. 1,3 1,35 V mω Durchlaßrechenkennlinie on - state characteristics for calculation ( ) V = A+ B i + C ln i D i T T T T 200 A i T 2000 A A B C D typ. 0,0927 0, ,1815 0,01334 max. -0,0921 0,001 0,1841 0,0149 Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 C, vd = 6V I GT 350 ma tvj = 25 C, vd = 6V V GT 2,5 V icht zündender Steuerstrom gate non-trigger current, vd = 6V, vd = 0,5 VDRM I GD ma ma nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current, vd = 0,5 VDRM V GD 0,4 V tvj = 25 C, vd = 12V, RA = 4,7Ω I H 350 ma Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zündverzugszeit gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = 25 C, vd = 12V, RGK 10Ω igm = 3A, dig/dt= 6 A/µs, tg = 20µs vd = VDRM, vr = VRRM DI IEC tvj = 25 C, igm = 3A, dig/dt = 6A/µs, itm = ITAVM vrm = 100V, vdm = 0,67 VDRM dvd/dt = 20V/µs, -dit/dt = 10A/µs 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O ITM = 1000A, di/dt = 10A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM ITM = 1000A, di/dt = 10 A/µs VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM I L 3 A i D, i R 200 ma t gd 2,5 µs t q typ. 650 µs Q r 7,2 mas I RM 210 A BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 2

3 etz Thyristor T TOH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature beidseitig / two-sided, Θ = 180 sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided R thjc 0,0185 0,0170 0, R thch 0,005 0,010 t vj max 125 C t c op C t stg C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate Si - pellet with pressure contact, amplifying gate Anpreßkraft clampig force Gewict weight Kiechstrecke surface creepage distance Feuchteklasse humidity classification Silizium Tablette silicon wafer DI Seite 4 55T70 F k G typ. 550 g 25 mm C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 3

4 etz Thyristor T TOH Maßbild / Outline BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 4

5 etz Thyristor T TOH Durchlaßkennlinien / on-state characteristic i T = f ( v T ) t vj = 125 C typ. max ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 V T [V] BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 5

6 etz Thyristor T TOH Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen Gate characteristic with triggering areas v G = f (i G ), V D = 6V Parameter a b c Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration t g(ms) ,5 Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation P GM (W) b c a -40 C C +125 C 1 0,5 0, i G [m A ] BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 6

7 etz Thyristor T TOH Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z th JC = f (t) doppelseitige Kühlung anodenseitige Kühlung kathodenseitige Kühlung r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s] 1 0, ,676 0,0192 4,13 0,0281 4,13 2 0, ,132 0,0023 0,4 0, ,45 3 0, ,062 0,0028 0,154 0, , , ,0134 0, ,0607 0, , , ,0019 0, ,0101 0,0021 0,0091 0,017-0,0305-0, t / τ n ( 1 ) max Z = R e thjc n n= 1 thn 0,045 k 0,04 0,035 a d 0,03 0,025 0,02 Z (th) JC / [K/W] 0,015 0,01 0,005 0,001 0,01 0, t / [sec.] 0 BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 7

8 etz Thyristor T TOH Sperrverzögerungsladung / recoverd charge Q rr = f (di/dt) t vj = 125 C, I TM = 1000A, v R = 0,5 V RRM, v R = 0,8 V RRM di/dt [A/µs] BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 8

9 etz Thyristor T TOH Rückstromspitze / reverse recovery current (typische Abhängigkeit / typical dependence) I RM = f (di/dt) t vj = 125 C, I TM = 1000A, v R = 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM di/dt BIP AM / SM PB, , Przybilla J. / Keller Release 6 Seite/page 9