Technische Information / technical information FF1200R12KE3

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1 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current T c = 7 C T c = 25 C I C, nom 12 A I C 1 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1ms, T c = 8 C I CRM 24 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation T c = 25 C; Transistor P tot 5 kw Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage V GES +/ 2 V Dauergleichstrom DC forward current I F 12 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms I FRM 24 A Grenzlastintegral I²t value V R = V, t p = 1ms, T vj = 125 C I²t k A²s Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 5Hz, t= 1min. V ISOL 2,5 kv Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung I C = 12A, V GE = 15V, T vj = 25 C, collector emitter satration voltage I C = 12A, V GE = 15V, T vj = 125 C, V CEsat min. typ. max. 1,7 2,15 V 2 t.b.d. V Gate Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 48mA, V CE = V GE, T vj = 25 C, V GE(th) 5 5,8 6,5 V Gateladung gate charge V GE = 15V...+15V; V CE=...V Q G 11,5 µc Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C ies 86 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, T vj = 25 C, V CE = 25V, V GE = V C res 4 nf Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current V GE = V, T vj = 25 C, V CE = 12V I CES 5 ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES 4 na prepared by: MODD2; Mark Münzer date of publication: 2273 approved: SM TM; Christoph Lübke revision: 2. 1 (8) 2273

2 IGBTModule IGBTModules Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse I C = 12A, V CC = V V GE =±15V, R Gon =2,4 T vj =25 C V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = V V GE =±15V, R Gon =2,4 T vj =25 C V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = V V GE =±15V, R Goff =,62, T vj =25 C V GE =±15V, R Goff =,62,T vj = 125 C I C = 12A, V CC = V V GE =±15V, R Goff =,62, T vj =25 C V GE =±15V, R Goff =,62,T vj = 125 C I C = 12A, V CC = V, L = 6nH V GE =±15V, R Gon =2,4, T vj = 125 C I C = 12A, V CC = V, L = 6nH V GE =±15V, R Goff =,62, T vj = 125 C Kurzschlussverhalten t P 1µs, V GE 15V, T Vj 125 C SC data V CC = 9V, V CEmax = V CES L CE di/dt t d,on t r t d,off t f E on E off min. typ. max.,6 µs,66 µs,23 µs,22 µs,82 µs,96 µs,15 µs,18 µs 245 mj 19 mj I SC 48 A Modulindiktivität stray inductance module L CE 2 nh Leitungswiderstand, AnschlussChip lead resistance, terminalchip T c = 25 C R CC /EE,18 m Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 25 C I F = I C, nom, V GE = V, T vj = 125 C V F 2,2 2,8 V 2 V Rückstromspitze peak reverse recovery current I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = V, V GE = 15V, T vj = 125 C I RM 34 A 53 A Sperrverzögerungsladung recoverred charge I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = V, V GE = 15V, T vj = 125 C Q r 57 µc 135 µc Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F =I C,nom, di F /dt= 54A/µs V R = V, V GE = 15V, T vj = 25 C V R = V, V GE = 15V, T vj = 125 C E rec 18 mj 35 mj 2 (8) 2273

3 IGBTModule IGBTModules Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Transistor, DC, pro Modul / per module Transistor, DC, pro Zweig / per arm Diode/Diode, DC, pro Modul / per module Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm pro Modul / per module pro Zweig/ per arm; Paste / grease =1W/m*K min. typ. max. R thjc,13 K/W,25 K/W,21 K/W,42 K/W R thck,6 K/W,12 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature T vj max 15 C Betriebstemperatur operation temperature T vj op C Lagertemperatur storage temperature T stg C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Al 2 O 3 17 mm Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index 1 mm >4 Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M5 M 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminal M4 M 1,7 2,3 Nm Anschlüsse / terminal M8 M 8 1 Nm Gewicht weight G 15 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) 2273

4 IGBTModule IGBTModules Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) I C = f(v CE ) V GE = 15V Tvj = 25 C Tvj = 125 C ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) T vj = 125 C Vge=19V Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4 (8) 2273

5 IGBTModule IGBTModules Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) I C = f(v GE ) V CE = 2V Tvj=25 C Tvj=125 C V GE [V] Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f(v F ) forward caracteristic of inverse diode (typical) Tvj = 25 C Tvj = 125 C 15 I F [A] 12 9,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 2,6 2,8 3, V F [V] 5 (8) 2273

6 IGBTModule IGBTModules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) V GE =±15V, R gon =2,4, R goff =,62, V CE =V, T vj =125 C 8 7 Eon Eoff Erec 5 E [mj] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) V GE =±15V, I C =12A, V CE =V, T vj =125 C 8 7 Eon Eoff Erec E [mj] R G [ ] 6 (8) 2273

7 IGBTModule IGBTModules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t),1 Z thjc [K/W],1 Zth : IGBT Zth : Diode,1,1,1,1 1 1 t [s] i r i [K/kW] : IGBT 2,99 9,8 9,64 2,57 i [s] : IGBT 6,897E1 5,634E2 2,997E2 3,82E3 r i [K/kW] : Diode 12,5 13,24 13,89 2,82 i [s] : Diode 4,452E1 7,451E2 2,647E2 2,85E3 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE =±15V, T vj =125 C IC,Chip IC,Chip V CE [V] 7 (8) 2273

8 IGBTModule IGBTModules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) 2273