Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1.

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1 Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1.2 BPW 34 B BPW 34 BS Features: Especially suitable for applications from 35 nm to 11 nm Short switching time (typ. 25 ns) DIL plastic package with high packing density Applications Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Besondere Merkmale: Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen Lichtschranken Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 4 nm, E e = 1 mw/cm 2, V R = 5 V I P [µa] BPW 34 B 14.8 ( 1.8) Q6272P945 BPW 34 BS 14.8 ( 1.8) Q6511A

2 Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Total power dissipation Verlustleistung Electrostatic discharge Elektrostatische Entladung (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte T op ; T stg C V R 32 V P tot 15 mw V ESD 2 V Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity Fotoempfindlichkeit (V R = 5 V, standard light A, T = 2856 K) Photocurrent Fotostrom Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = 1 V) S 75 na/ix I P 14.8 ( 1.8) µa λ S max 85 nm λ 1% nm A 7.45 mm 2 L x W 2.73 x 2.73 mm x mm ϕ ± 6 I R 2 ( 3) na

3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 4 nm) Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 4 nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E v = 1 lx, Std. Light A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E e =.5 mw/cm 2, λ = 4 nm) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 5 V, R L = 5 Ω, λ = 85 nm) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 ma, E = ) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz, E = ) S λ typ.2 A / W η.62 Electro ns /Photon V O 39 mv I SC 7.4 µa t r, t f.25 µs V F 1.3 V C 72 pf Temperature coefficient of V O TC V -2.6 mv / K Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (Std. Light A) Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = 1 V, λ = 4 nm) Detection limit Nachweisgrenze TC I.18 % / K NEP.127 pw / Hz ½ D * 2.2e12 cm x Hz ½ / W

4 Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) S rel 1 % OHF11 Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung I P (V R = 5 V) / V O = f(e V ) Ι P OHF µa mv V O V O Ι P nm 12 λ lx 1 4 E V Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 16 mw P tot 14 OHF958 4 Ι R pa OHF C 1 TA V 2 V R

5 Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 1 V, E = 1 OHF OHF82 C pf Ι R na V V R C 1 TA Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) ϕ 1. OHF

6 Package Outline Maßzeichnung BPW 34 B Cathode marking 4. (.157) 5.4 (.213) 4.9 (.193) 4.5 (.177) 3.7 (.146) 4.3 (.169).6 (.24).4 (.16) 1.2 (.47).7 (.28).8 (.31).6 (.24) Chip position.6 (.24).4 (.16) 2.2 (.87) 1.9 (.75).6 (.24).4 (.16).5 (.2).3 (.12) 1.8 (.71) 1.4 (.55).8 (.31).6 (.24) Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)..6 (.24).4 (.16).35 (.14).2 (.8) (.2) spacing Photosensitive area 2.65 (.14) x 2.65 (.14) 3.5 (.138) 3. (.118) GEOY

7 Package Outline Maßzeichnung BPW 34 BS 1.2 (.47) 1.1 (.43)...1 (...4) 4.5 (.177) 4.3 (.169).3 (.12) Chip position 6.7 (.264) 6.2 (.244) 1.1 (.43).9 (.35).9 (.35).7 (.28) 1.7 (.67) 1.5 (.59) 4. (.157) 3.7 (.146) (.8).1 (.4) 1.8 (.71) ±.2 (.8) Photosensitive area Cathode lead 2.65 (.14) x 2.65 (.14) GEOY6863 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package, Epoxy Gehäuse, Harz

8 Taping Gurtung Cathode/Collector Side 1.5 (.59).8 (.31) 2 (.79) 4 (.157) 4.1 (.161) 1.75 (.69) 5.5 (.217) 6.9 (.272) 12 (.472) OHAY2287 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil BPW 34 BS Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-2-D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S C s 3 t

9 Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s TTW Soldering Wellenlöten (TTW) BPW 34 B IEC TTW / IEC TTW 3 C T C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave T < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s s 24 t

10 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

11 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

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