Funktionsprinzip: P P. Elektrische Leistung (DC) Leistungs- Verstärker. Lautsprecher. Thermische Verlustleistung (Wärme) Wirkungsgrad:
|
|
- Bärbel Baumann
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 eistungsverstärker
2 Funktionsprinzip: Elektrische eistung () Elektrische Signale (AC) Ue(t) eistungs- Verstärker Elektr. eistung (AC) autsprecher neumatische eistung uftdruckänderung Thermische Verlustleistung (Wärme) Wirkungsgrad: η AC
3 Gleichstromleistung Eingang Ausgang Ie Ia Ue (t) Aktiver Vierpol R Ua (t) Verlustleistung ein Verstärker entspricht einem aktiven Vierpol die Eingangsgrößen (U, I) werden verstärkt und über dem Ausgang an einen astwiderstand (R) abgegeben Ausgangsleistung >> Eingangsleistung dadurch ist die Zufuhr von Gleichstromleistung notwendig Gleichstromleistung Wechselstromleistung + Verlustleistung
4 Anforderungen an einen Verstärker Hauptaufgabe: eistung verstärken geringe Verzerrungen geringes Rauschen hohe Bandbreite inearität keine Änderung der (dynamischen) Eigenschaften während des Betriebs (z.b. Temperaturdrift) hoher Wirkungsgrad geringe Kosten
5 Übersicht Man unterscheidet die eistungsverstärker entsprechend ihrer Betriebsart. Die verschiedenen Betriebsarten werden durch die unterschiedliche latzierung der Arbeitspunkte festgelegt. Die Einteilung erfolgt in die Klassen A, B, AB, C und D.
6 Klasse A - Verstärker Man spricht von einem Verstärker der Klasse A, wenn eine symmetrische Aussteuerung um den Arbeitspunkt erfolgt. Das bedeutet, der Arbeitspunkt liegt in der Mitte des dynamischen Aussteuerbereiches. Der Vorteil dieser Betriebsart liegt darin, dass A-Verstärker mit einem einzelnen Transistor aufgebaut werden können. Dieser arbeitet sehr linear und verstärkt beide Halbwellen annähernd gleich, wodurch die Verzerrungen äußerst gering sind. Es treten keine Übernahmeverzerrungen auf. Der Nachteil dieser Schaltung ist der äußerst schlechte Wirkungsgrad von maximal 5% bei voller Aussteuerung. Desweiteren ist bei Klasse A Verstärkern die Stromaufnahme konstant, d.h. der Verstärker verbraucht immer die gleiche eistung, egal ob im eerlauf oder unter Volllast. Somit ist der Wirkungsgrad in der raxis noch weit geringer.
7 Typische Schaltung Emitterschaltung UR (t) R I (t) I (t) C R U (t) + U (t) U R CE B Ic (t) UB UCE (t) Ue (t) UB R Ue(t) Betriebsspannung astwiderstand z.b. autsprecher Eingangsspannung z.b. Musiksignal
8 Berechnung von max Annahme: U (t) 0V CE CE min U (t) U max B U U B Û R U CE U B T 0 t
9 AC eistung 1 Tp (R ) i (t)*u (t)dt i (t) AC 0 R R R T u R(t) R u (t) 1 (R ) u u (t)dt Tp R AC R Eff 0 R R T (R ) AC max 1 8R U B für sinusförmige Größen gilt: 1 UB ur u Eff R mit ur 1 ur U Eff B
10 Der maximale Ausgangsleistung ergibt sich also aus Betriebsspannung zum Quadrat, geteilt durch das 8-fache des astwiderstandes. Beispiel: Betriebsspannung 1V (Gleichstrom) astwiderstand 4Ohm ACmax 4,5 W (Sinusleistung) Für eine höhere Ausgangsleistung muss die Betriebsspannung erhöht, oder der astwiderstand verringert werden.
11 Berechnung des Wirkungsgrades eistung 1 T I (t)*u(t)dt U(t)U 0 C B T U T U U *sin t B B R ( + )dt T 0 R R B B ( U *sin t)dt U T U + ω RT 0 U U U ( + 0) R R R B B B ω U R(t) I C(t) IC + A R UB U R*sinωt I C(t) + R R
12 Maximale Ausgangsleistung Benötigte Gleichstromleistung 1 U U U (R ) U ( 0) ACmax B B B B + 8R R R Wirkungsgrad η 1 U B AC 8R max UBR 1 η max UB 8UBR 4 R 5% Der maximale Wirkungsgrad eines Klasse A Verstärkers beträgt 5%.
13 Beispiel: Ein Musikverstärker mit 100W Sinusleistung bei einer typischen ast von 4Ohm: - Die abgegebene max. Wechselstromleistung ACmax 100W - Die aufgenommene Gleichstromleistung 400W - Die als Wärme abgeführte eistung Th ACmax - 300W -Die benötigte Betriebs-/Gleichspannung UB 56,6V In der Realität wäre ein solcher Verstärkeraufbau schon aufgrund der enormen Wärmeverlustleistung nicht funktionsfähig.
14 Der Klasse B - Verstärker Bei Klasse B-Verstärkern liegt der Arbeitspunkt an der Reststromgrenze. Im eerlauf (ohne Eingangssignal) fließt somit beim B-Betrieb nur ein vernachlässigbar kleiner (Kollektor-)Strom. Der Vorteil der eistungsverstärker im B-Betrieb liegt in ihrem hohen Wirkungsgrad. Der Nachteil des besteht darin, dass mit jedem Transistor nur eine Halbwelle verstärkt werden kann. Für einen vollständigen Gegentaktbetrieb (push-pull Betrieb) sind somit zwei Transistoren nötig, welche abwechselnd je eine Halbwelle verstärken. Nicht zu vernachlässigen sind die großen Übernahme-Verzerrungen in der Umgebung des Nulldurchganges.
15 Typische Schaltung Komplementärer Emitterfolger (Kollektorschaltung) T1 NN IC1(t) UCE1(t) R UB UB.Betriebsspannung T1/.Transistor 1/ Ue(t)..Eingangssignal Ue(t) T N UCE(t) IC(t) UR(t) + - UB
16 Ergänzungen Um beide Halbwellen zu verstärken, wurden in der abgebildeten Schaltung je ein npn- und ein pnp-transistor als Emitterfolger verwendet. Die beiden npn- und pnp-transistoren sind gepaart, was bedeutet, dass sie identische arameter besitzen. Ein Beispiel für solche gepaarte Transistoren sind die Transistoren N3904 und N3906. Die Schaltung arbeitet wie folgt: Unter der Annahme, dass noch keiner der beiden Transistoren leitet, erscheint keine Spannung am Ausgang. Sobald die Eingangsspannung die Schwellspannung des npn-transistors überschritten hat, beginnt der Ausgang dem Eingang zu folgen. Das Komplementäre dazu spielt sich für die negative Halbwelle ab.
17 Berechnung von max Annahme: U (t) 0V T gesperrt U (t) U CE1 R B U (t) 0V T gesperrt U (t) -U CE 1 R B U U B Û R U R T1 0 T t T -U B U (t) U *sinωt R R
18 AC eistung 1 Tp (R ) i (t)* u (t)dt i (t) AC 0 R R R T u R(t) R u (t) 1 (R ) u u (t)dt Tp R AC R Eff 0 R R T 1 (R ) U ACmax B R für sinusförmige Größen gilt: 1 ur u Eff R mit ur UB 1 ur U Eff B
19 Der maximale Ausgangsleistung ergibt sich also aus Betriebsspannung zum Quadrat, geteilt durch das doppelte des astwiderstandes. Allerdings wird eine Negative und eine ositive Betriebsspannung benötigt. Beispiel: Betriebsspannung 1V durch otentialverschiebung: +6V und -6V astwiderstand 4Ohm ACmax 4,5 W (Sinusleistung) Für eine höhere Ausgangsleistung wird eine höhere Betriebsspannung benötigt.
20 Berechnung des Wirkungsgrades 1 T 1 T i (t)*u dt + i (t)*u dt 0 C1 B 0 C B T T wegen Symmetrie gilt: U (t) U i (t)* U dt i *sin ωt T R B C1 B C(t) T 0 R R T UB T*R 0 ω T UB 1 cos T*R ωt ω 0 UB 1 4UB T *R πf T *R *πf sin t dt * * T *f 1 UB eistung π *R
21 Maximale Ausgangsleistung Benötigte Gleichstromleistung 1 (R ) U U ACmax B B 8R π *R Wirkungsgrad η 1 U B 8R π 4 π*r AC max UB max η 78,5% Der maximale Wirkungsgrad eines Klasse B Verstärkers beträgt 78,5%.
22 Beispiel: Ein Musikverstärker mit 100W Sinusleistung bei einer typischen ast von 4Ohm: - Die abgegebene max. Wechselstromleistung ACmax 100W - Die aufgenommene Gleichstromleistung 17,4W - Die als Wärme abgeführte eistung Th ACmax - 7,4W - Die benötigten Betriebs-/Gleichspannungen UB +8,3V und -8,3V In der Realität werden aufgrund der hohen Verzerrungen keine reinen Klasse B - Verstärker als Musikverstärker genutzt.
von Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG
von Robert PAPOUSEK INHALTSVERZEICHNIS: 1.Anforderungen an Leistungsverstärker 2.Grundlagen 3.Leistungsstufen: 3.1 Parallelschalten von Transistoren 4. A- und B-Betrieb: 4.1 Eintaktverstärker 4.2 Gegentaktverstärker
MehrKapitel 5. Leistungsendstufen. 5.1 Der dynamische Lautsprecher
Kapitel 5 Leistungsendstufen 5.1 Der dynamische Lautsprecher In aller Regel arbeiten Leistungsendstufen auf einen Lautsprecher und nicht auf ohmsche Lasten (Ausname Ohrhörer). In Bild 5.1 ist der rotationssymmetrische
Mehr8. Endstufenschaltungen
8.1 Einleitung Wie im Kapitel über die Audiotechnik bereits diskutiert, ist es die Aufgabe des Leistungsverstärkers, auch Endstufe genannt, den Innenwiderstand der Schaltung so weit herabzusetzen, dass
MehrPower Amplifier. Roland Küng, 2010
Power Amplifier Roland Küng, 2010 1 Repetition: Klasse A Verstärker Emitterschaltung: Ausgangssignal ist 180 0 verschoben: Invertierender Amp 2 Klasse A Verstärker Ruhestrom Verluste im BJT: P V = I C
MehrLeistungsendstufen. Marcel Franke Projekt Labor SoSe 2010 Gruppe 4: Audio TU Berlin
Leistungsendstufen Marcel Franke Projekt Labor SoSe 2010 Gruppe 4: Audio TU Berlin Gliederung 1) Leistungsendstufe 2) Klasse A Endstufe 3) Klasse B Endstufe 4) Gegentakt AB Endstufe 5) Klasse D Endstufe
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker Oliver Neumann Sebastian Wilken 10. Mai 2006 Inhaltsverzeichnis 1 Eigenschaften des Differenzverstärkers 2 2 Verschiedene Verstärkerschaltungen
MehrNF Verstärker mit Germaniumtransistoren
NF Verstärker mit Germaniumtransistoren Allgemeines Der vorliegende NF Verstärker ist mit Germaniumtransistoren aufgebaut und liefert bei einer Betriebsspannung von 9 V eine Ausgangsleistung von 1,3 W
MehrLaborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
MehrHiFi-Leistungsverstärker
Universität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Mechatronisches Praktikum HiFi-Leistungsverstärker Skriptum zum mechatronischen Praktikum Sommersemester 2016 Saarbrücken, 2016
MehrSS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker
Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische
MehrSimulation eines Klasse-C-Verstärkers mittels ADS
University of Applied Sciences FH Aachen FB5 Elektrotechnik und Informationstechnik Mikrowellentechnik Simulation eines Klasse-C-Verstärkers mittels ADS 17. Januar 2011 Lehrgebiet Hoch- und Höchstfrequenztechnik
Mehr2. Parallel- und Reihenschaltung. Resonanz
Themen: Parallel- und Reihenschaltungen RLC Darstellung auf komplexen Ebene Resonanzerscheinungen // Schwingkreise Leistung bei Resonanz Blindleistungskompensation 1 Reihenschaltung R, L, C R L C U L U
MehrNF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = Hz).
25.10.2014_Nachlese_DB6UV Wir haben diesmal einen NF-Verstärker (Niederfrequenz-Verstärker) gebaut. NF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = 18000
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrOperationsverstärker. 24. Mai Martin Albert
Operationsverstärker - Martin Albert - - 24. Mai 2006 - Gliederung Einführung Grundlagen Grundlegende Schaltungen spezielle Typen 2 Gliederung Einführung Begriff OPV Grundlagen Transistor Grundschaltungen
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
erbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik ersuch 6 ntersuchungen an einem bipolaren Transistor Teilnehmer: Name orname Matr.-Nr. Datum
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrHÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN
HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Eine Stabilisierung für ein Netzteil entsprechend nebenstehender Schaltung soll aufgebaut und dimensioniert werden. Bestimmen Sie: 1. die erforderliche Z-Dioden-Spannung
Mehr3 Der Bipolartransistor
3 Der Bipolartransistor 3.1 Einführung Aufbau Ein Bipolartransistor (engl.: Bipolar Junction Transistor, BJT) besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-übergängen (Dioden) mit einer gemeinsamen, sehr
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
MehrReferat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005
Holger Markmann Referat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005... 1 Prinzipieller Aufbau eines OPs... 1 Grundschaltungen eines OPs mit dazugehörigen Kennlinien... 2 Frequenzverhalten eines OPs...
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrDiplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik,
MehrAnalogtechnik multimedial
Analogtechnik multimedial + cb-ufh Dr.-Ing. Hermann Deitert Prof. Dr.-Ing. habil. Mathias Vogel Mit 85 Bildern, 68 Übungen mit Lösungen und einer CD-ROM Fachbuchverlag Leipzig im Carl Hanser Verlag Inhaltsverzeichnis
MehrA1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrKapitel 1. Kleinsignalparameter
Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrVersuchsauswertung: Operationsverstärker
Praktikum Klassische Physik II Versuchsauswertung: Operationsverstärker (P-59,6,6) Christian Buntin, Jingfan Ye Gruppe Mo- Karlsruhe, 7. Mai Inhaltsverzeichnis Emitterschaltung eines Transistors. Einstufiger
MehrStrukturbildung und Simulation technischer Systeme. Leseprobe aus Kapitel 6 Transformatoren und Übertrager des Buchs
Leseprobe aus Kapitel 6 Transformatoren und Übertrager des Buchs Strukturbildung und Simulation technischer Systeme Weitere Informationen zum Buch finden Sie unter strukturbildung-simulation.de 7.3.1 Der
MehrTransistor. Arbeitspunkteinstellung
niversity of pplied Sciences ologne ampus Gummersbach Dipl.-ng. (FH) Dipl.-Wirt. ng. (FH) rbeitspunkteinstellung T-01 Der ist ein aktives auteil in der Halbleitertechnik. Er wird hauptsächlich in der Verstärkung
MehrVorlesung Elektronik I 1 I 2 U 2
UniversitätPOsnabrück Fachbereich Physik Vorlesung Elektronik I Dr. W. Bodenberger Verstärker mit Transistoren Abgeschlossener Vierpol in h - Parameter Darstellung. / C 8 EA HF D 2 = H= A JA H, = HI JA
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrAUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER
AUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER FREYA GNAM, TOBIAS FREY 1. EMITTERSCHALTUNG DES TRANSISTORS 1.1. Aufbau des einstufigen Transistorverstärkers. Wie im Bild 1 der Vorbereitungshilfe wurde
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrGrundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4
Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -
MehrAufgaben zur Wechselspannung
Aufgaben zur Wechselspannung Aufgabe 1) Ein 30 cm langer Stab rotiert um eine horizontale, senkrecht zum Stab verlaufende Achse, wobei er in 10 s 2,5 Umdrehungen ausführt. Von der Seite scheint paralleles
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
MehrBipolartransistor- npn
Transistor gesteuertes Bauelement (transfer resistor) durch eine angelegte Spannung oder elektrischen Stromsteuerbarer elektrischer Widerstand zum Schalten oder Verstärken von elektrischen Signalen bipolar
Mehr3. Schaltungsentwicklung - Beispiel Taschenlichtorgel
3. - Beispiel Taschenlichtorgel Anforderungen: Drei farbige LEDs, Mikrofoneingang, Empfindlichkeitseinstellung, kleines Format, geringe Betriebsspannung und Leistung, geringster Material- und Arbeitsaufwand.
MehrP2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER. Vorbereitung
Physikalisches Anfängerpraktikum Teil 2 P2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER Vorbereitung Gruppe 34 Marc Ganzhorn Tobias Großmann 16. Juli 2006 1 Einleitung In diesem Versuch sollen die beiden
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
Mehr1 Grundbegriffe S DC- und Kleinsignal-Ersatzschaltung S Verstärkertypen S1-26
Elektronik 1 - Formelsammlung (Revision : 1131 - powered by LATEX) Seite 1 von 9 1 Grundbegriffe S1 1.1 DC- und Kleinsignal-Ersatzschaltung S1-15 1. Verstärkertypen S1-6 Verstärkerfaktoren: - Spannungs-Verstärkerfaktor
MehrSchaltungen & Systeme
Prof. Dr. P. Pogatzki en für Kommunikationstechniker an der 2/26 Aufgabe 1: Gegeben ist die folgende Schaltung bestehend aus idealen passiven Elementen. R2 R=50 Ohm Port P1 C1 C=1.0 pf L1 L=1.0 nh R=0
MehrLeistung bei Wechselströmen
Einführung in die Physik II für Studierende der Naturwissenschaften und Zahnheilkunde Sommersemester 27 VL #4 am 6.7.27 Vladimir Dyakonov Leistung bei Wechselströmen I(t) I(t) Wechselspannung U Gleichspannung
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild
MehrTransistor und einer Z-Diode
Berechnung einer Spannungs-Stabilisierung mit einem Transistor und einer Z-Diode Mit dieser einfachen Standard-Schaltung kann man eine unstabilisierte, schwankende Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung
Mehr3. Übungen zum Kapitel Der Wechselstromkreis
n n n n n n n n n n n n n n n n n n n n n n n Fachhochschule Köln University of Applied Sciences ologne ampus Gummersbach 18 Elektrotechnik Prof. Dr. Jürgen Weber Einführung in die Mechanik und Elektrote
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
MehrDiplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Dauer: 90 Minuten Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Hörsaal:
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH OPERATIONSVERSTÄRKER
PROTOKOLL ZUM VERSUCH OPERATIONSVERSTÄRKER CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 1.3. Vorbetrachtungen 2 2. Versuchsdurchführung 2 2.1. Messung der wichtigsten
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
Mehr7. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag
+ - Grundlagen der echnertechnologie Sommersemester 200 Wolfgang Heenes. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag 0.06.200 Schaltungen mit Bipolartransistoren Aufgabe : Analyse einer Schaltung mit Bipolartransistor
MehrPraktikum II TR: Transformator
Praktikum II TR: Transformator Betreuer: Dr. Torsten Hehl Hanno Rein praktikum2@hanno-rein.de Florian Jessen florian.jessen@student.uni-tuebingen.de 30. März 2004 Made with L A TEX and Gnuplot Praktikum
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrElektronik für Informatiker. Aufgabensammlung zur Vorlesung WS 2015/2016. Gudrun Flach Fakultät Elektrotechnik HTW Dresden
Elektronik für Informatiker Aufgabensammlung zur Vorlesung WS 2015/2016 Gudrun Flach Fakultät Elektrotechnik HTW Dresden 27. Januar 2016 1 BEMESSUNGSGLEICHUNG, ZUGESCHNITTENE GRÖSSENGLEICHUNG 1 1 Bemessungsgleichung,
MehrDiplomprüfung Elektronik WS 2007/2008 Donnerstag
FH München F 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik WS 27/28 Donnerstag 3..28 Prof. Dr. Höcht (Prof. Dr. ortstock) Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.:
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
MehrNPN C C Abb.1: Schaltsymbol und schematische Darstellung eines NPN-Transistors
Theorie Transistor Ein Transistor ist ein, in der modernen Elektronik, unerlässliches Halbleiterbauelement. Es gibt zwei wichtige verschiedene Arten von Transistoren: die bipolaren Transistoren und die
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für
MehrTransistor BJT I. Roland Küng, 2009
Transistor BJT I Roland Küng, 2009 Aufbau-Bezeichnungen Typ NPN Typ PNP Aufbau Praktisch Typ NPN B Schicht dünn E Schicht hoch dotiert (viel Phosphor bei n, Bor bei p) B E C Funktionsweise I E hoch dotiert
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrKapitel 9. Anwendungsschaltungen mit Operationsverstärkern
Kapitel 9 Anwendungsschaltungen mit Operationsverstärkern Die hier betrachteten Schaltungen mit OP lassen sich unterteilen in solche mit einer relativ geringen Ansteuerung und andere, die den OP voll aussteuern.
MehrNTB Druckdatum: ELA I
GLEICHSTROMLEHRE Einführende Grundlagen - Teil 1 Elektrische Ladung Elektrische Stromdichte N elektrische Ladung Stromstärke Anzahl Elektronen Elementarladung elektrische Stromdichte Querschnittsfläche
MehrTR Transformator. Blockpraktikum Herbst Moritz Stoll, Marcel Schmittfull (Gruppe 2b) 25. Oktober 2007
TR Transformator Blockpraktikum Herbst 2007 (Gruppe 2b) 25 Oktober 2007 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 2 11 Unbelasteter Transformator 2 12 Belasteter Transformator 3 13 Leistungsanpassung 3 14 Verluste
MehrGrundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 12 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 3. Februar 2005 Klausurdauer : 2 Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung
MehrAufgabe 8 Lösung ( ) ( ) Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. 8.1 Berechnung der Phasenverschiebung. û Z
Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Prof. Dr.-Ing. J. Roth-Stielow Aufgabe 8: Lösung 8.1 Berechnung der Phasenverschiebung ω L π fl L π 50Hz 1,84mH Θ= arctan = arctan = arctan R R
MehrFeldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren sind Halbleiter, die im Gegensatz zu den normalen, bipolaren Transistoren mit einem elektrischen Feld, d.h. leistungslos gesteuert werden. 1 Klassifikation
MehrLogikausgang Grundschaltungen in CMOS-Technik
Logikausgang Grundschaltungen in CMOS-Technik X Liers - PEG-Vorlesung WS00/0 - Institut für Informatik - FU Berlin 49 Logikausgang Grundschaltungen CS INV in CMOS-Technik (Tristate) Transistor leitet X
MehrÜbungsaufgaben zu Mathematik III (ohne Lösungen)
Übungsaufgaben zu Mathematik III (ohne Lösungen) 1. Lösen Sie intuitiv (d.h. ohne spezielle Verfahren) die folgenden DGLn (allgemeine Lösung): = b) =! c) = d)!! = e at. Prüfen Sie, ob die gegebenen Funktionen
Mehr(Operationsverstärker - Grundschaltung)
Universität Stuttgart Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Übung 5 Aufgabe 5.1 ( - Grundschaltung) Im Bild 5.1 ist eine
MehrKleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik
Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Florian Franzmann 21. September 2004 Inhaltsverzeichnis 1 Stromrichtung 4 2 Kondensator 4 2.1 Plattenkondensator...............................
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor
1 von 5 15.03.2008 11:47 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 a) Der Feldeffekttransistor findet vielfältige Anwendung in Elektroniksystemen. Die wichtigsten Anwendungen sind der Feldeffekttransistor
Mehri c1 R c i b1 i b2 u a2 u e1 u e R e
Übungen zum 6. Versuch 13. Dezember 01 Elektronik 1 - UT-Labor 1. Folgende Schaltung zeigt einen einfachen Differenzverstärker. i c1 i c U b R c R c u a1 i b1 i b u a u e1 u e U b u e R e a) Stellen Sie
Mehr4. Bipolar-Transistoren
4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare
MehrAufgaben Elektronik III
Aufgaben Elektronik III 1. Ein Anreicherungs-MOSFET wird durch I D = 1mA { U GS 0,5 V U DS 1 2 U DS im Anlauf beschrieben (λ = 0). a) Bitte finden Sie heraus, ob es sich um einen PMOS oder NMOS Transistor
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 10. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 22. Juni 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. Vorbesprechung drittes Labor
MehrName:...Vorname:... Seite 1 von 8. Hochschule München, FK 03 Grundlagen der Elektrotechnik WS 2008/2009
Name:...Vorname:... Seite 1 von 8 Hochschule München, FK 03 Grundlagen der Elektrotechnik WS 2008/2009 Matrikelnr.:... Hörsaal:...Platz:... Stud. Gruppe:... Zugelassene Hilfsmittel: beliebige eigene A
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 Aufgabe 1 Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b1 T2 i c1 T1 i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i 1 R
MehrMarkus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
MehrPSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
MehrLufthansa B1 Lehrgang Unterrichtsmitschrift Modul M4 Electronic Fundamentals
Halbleiter Halbleiter sind stark abhängig von : - der mechanischen Kraft (beeinflusst die Beweglichkeit der Ladungsträger) - der Temperatur (Zahl und Beweglichkeit der Ladungsträger) - Belichtung (Anzahl
Mehr60 db VU-Meter HALBLEITERHEFT2002. Tabelle 1. Von Rikard Lalic
HALBLEITERHEFT2002 60 db VU-Meter 023 Von Rikard Lalic Die meisten analogen Audio-Medien einschließlich des konventionellen, nicht digitalen Rundfunks stoßen mit einer Dynamik von 60 db an ihre natürlichen
MehrTransistorschaltungen
Physikalisches Anfängerpraktikum Gruppe Mo-6 Wintersemester 2005/06 Julian Merkert (229929) Versuch: P-5 Transistorschaltungen - Vorbereitung - Vorbemerkung Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement,
MehrGrundkurs Physik (2ph2) Klausur
1. Ernest O. Lawrence entwickelte in den Jahren 1929-1931 den ersten ringförmigen Teilchenbeschleuniger, das Zyklotron. Dieses Zyklotron konnte Protonen auf eine kinetische Energie von 80 kev beschleunigen.
MehrTransistor. Wechselstromersatzschaltbild
niversity of pplied Sciences ologne ampus ummersbach. Danielak T-0 Stand: 9.03.006; 0 uf den vorangegangenen Seiten wurde der rbeitspunkt des s durch eine Beschaltung von Widerständen definiert. Die rbeitspunkte
MehrPassive Bauelemente, Grundgrößen
Passive Bauelemente, Grundgrößen 1. Wie lauten die beiden wichtigsten Parameter eines ohmschen Widerstandes? 2. Wie lauten die beiden wichtigsten Parameter eines Kondensators? 3. Wie lauten die beiden
MehrTransistor-Verstärker
Elektrotechnisches Grundlagen-Labor II Transistor-Verstärker Versuch Nr. 4 Erforderliche Geräte Anzahl Bezeichnung, aten GL-Nr. 1 Netzgerät 0... 30V, 400mA 112 1 trommesser 125 1 NF-Generator 143 1 NF-Millivoltmeter
MehrFachhochschule Dortmund FB Informations und Elektrotechnik KLAUSUR LN/FP Sensortechnik/Applikation
KLAUSUR LN/FP Sensortechnik/Applikation Name: Matr.-Nr.: Vorname: Note: Datum: Beginn: 8:15 Uhr Dauer: 120 Min. Aufgabe 1 2 3 4 Summe max. Pkt 28 12 25 24 89 err. Pkt Allgemeine Hinweise: Erlaubte Hilfsmittel:
MehrNullphasendurchgang. Leistungsmaximierung durch optimale Einschaltzeiten
Nullphasendurchgang Leistungsmaximierung durch optimale Einschaltzeiten Themen Gliederung: 1. Wechselstrom (Grundlagen) 2. Leistungsbilanz 3. Nullphasendurchgang im Projekt 20.11.2012 2 1. Wechselstrom
MehrPraktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
1 Allgemeines Seite 1 1.1 Grundlagen 1.1.1 db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung.
Mehr