Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

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1 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit Anwendungen Nachlaufsteuerung Kantenführungen Weg- bzw. Winkelabtastungen Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm () and of 920 nm () High photosensitivity DIL plastic package with high packing density Double diode with extremely high homogeneousness Application Follow-up control Edge control Path and angle scanning Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Q62702-P17-S1 Q62702-P

2 Grenzwerte Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation T op ; T stg C T S 230 C V R 10 V P tot 50 mw Kennwerte (T A = 25 C) für jede Einzeldiode Characteristics (T A = 25 C) per single diode system Fotostrom Photocurrent V R = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, E V = 1000 Ix V R = 5 V, λ = 950 nm, E e = 0.5 mw/cm 2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von S max Spectral range of sensitivity S = 10% of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface I P I P 24 ( 15) 7.5 ( 4.0) λ S max nm λ nm A mm 2 L B mm mm L W H mm

3 Kennwerte (T A = 25 C) für jede Einzeldiode Characteristics (T A = 25 C) per single diode system (cont d) Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, V R = 10 V Dark current ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. I R 10 ( 100) 10 ( 100) na Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity λ = 850 nm λ = 950 nm S λ 0.55 S λ 0.65 A/W Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Systeme vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average S ± 5 ± 5 % Quantenausbeute Quantum yield λ = 850 nm λ = 950 nm η η Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K E e = 0.5 mw/cm 2, λ = 950 nm V O V O 330 ( 280) 300 ( 280) mv mv Kurzschlußstrom Short-circuit current E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K E e = 0.5 mw/cm 2, λ = 950 nm I SC I SC 24 7 Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent R L = 1 kω; V R = 5 V; λ = 850 nm; I p = 20 Durchlaßspannung, I F = 40 ma, E = 0 Forward voltage Kapazität, V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance t r, t f ns V F V C pf Temperaturkoeffizient von V O TC V mv/k Temperature coefficient of V O

4 Kennwerte (T A = 25 C) für jede Einzeldiode Characteristics (T A = 25 C) per single diode system (cont d) Temperaturkoeffizient von I SC Temperature coefficient of I SC Normlicht/standard light A λ = 950 nm Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power V R = 10 V, λ = 950 nm Nachweisgrenze, V R = 10 V, λ = 950 nm Detection limit TC I 0.18 TC I 0.2 NEP D* %/K %/K W Hz cm Hz W Directional Characteristics S rel = f (ϕ) ϕ OHF

5 Relative Spectral Sensitivity S rel = f (λ) Relative Spectral Sensitivity S rel = f (λ) Photocurrent I P = f (E v ), V R = 5 V Open-Circuit Voltage V O = f (E v ) Photocurrent I P = f (E e ), V R = 5 V Open-Circuit-Voltage V O = f (E e ) Total Power Dissipation P tot = f (T A ) Dark Current I R = f (V R ), E = 0 Capacitance C = f (V R ), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current I R = f (T A ), V R = 10 V

6 Maßzeichnung Package Outlines 4.05 (0.159) 3.75 (0.148) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 0.5 (0.020) 0.3 (0.012) Diode system 1.10 (0.043) 0.09 (0.004) 0.4 (0.016) 2.25 (0.089) 1.85 (0.073) 2.45 (0.096) 2.54 (0.100) 0.7 (0.028) 0.5 (0.020) anode 2.54 (0.100) Radiant sensitive area 2.0 (0.079) x 0.67 (0.026) 7.8 (0.307) 7.4 (0.291) 6.6 (0.260) 6.3 (0.248) 0.3 (0.012) 0.25 (0.010) cathode (0.031) 2.2 (0.087) 1.9 (0.075) 0.6 (0.024) 3.5 (0.138) 3.0 (0.118) 7.62 (0.300) spacing GEOY6638 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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