Anwendungen Industrie Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras IR-Datenübertragung Sensorik
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- Christa Sauer
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1 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel : ± 5 Halbwinkel : ± 25 Hohe Bestromung bei hohen emperaturen möglich Kurze Schaltzeiten Anwendungen Industrie Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras IR-Datenübertragung Sensorik Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und 6247 behandelt werden. Features High Power Infrared LED Half angle : ± 5 Half angle : ± 25 High forward current allowed at high temperature Short switching times Applications industrial applications Infrared Illumination for cameras IR Data ransmission Optical sensors Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC yp ype Bestellnummer Ordering Code Q65A58 4 (typ. ) Q65A59 25 (typ. 6) Strahlstärkegruppierung ) (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping ) I e (mw/sr) ) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr / measured at a solid angle of Ω =. sr 2--2
2 Grenzwerte ( A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p = 3 μs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 6 mm 2 hermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 6 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block hermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 7 ma Centroid-Wellenlänge der Strahlung Centroid wavelength I F = 7 ma Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = 7 ma Abstrahlwinkel Half angle Wert Value op, stg C V R 5 V I F 7 ma I FSM 7 ma Einheit Unit P tot 245 mw R thja R thjs 3 4 Wert Value K/W K/W λ peak 86 nm λ centroid 85 nm Δλ 3 nm ϕ ϕ ± 5 ± 25 Einheit Unit Grad deg
3 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = 7 ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, I F = 7 ma, R L = 5 Ω Durchlassspannung Forward voltage I F = 7 ma, t p = 2 ms I F = 7 ma, t p = µs Sperrstrom Reverse current Gesamtstrahlungsfluss otal radiant flux I F = 7 ma, t p = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 7 ma emperature coefficient of I e or Φ e, I F = 7 ma emperaturkoeffizient von V F, I F = 7 ma emperature coefficient of V F, I F = 7 ma emperaturkoeffizient von λ, I F = 7 ma emperature coefficient of λ, I F = 7 ma A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm² t r, t f 5 ns V F V F 3 (< 3.5) 4 (< 5.2) I R Wert Value not designed for reverse operation Einheit Unit V V μa Φ e typ 8 mw C I.5 %/K C V 2 mv/k C λ +.3 nm/k
4 Strahlstärke I e in Achsrichtung ) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =. sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = 7 ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = 7 ma, t p = 25 µs Strahlstärke Radiant intensity I F = 7 ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = 7 ma, t p = 25 µs ) I e min 4 I e max 8 -U Werte Values -V AW 2 Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ mw/sr I e min 25 I e max 5 - Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:) / Only one bin in one packing unit (variation lower 2:) -U 4 8 -V mw/sr mw/sr I e typ mw/sr
5 Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) OHL2 ϕ Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) ϕ. OHL
6 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) I rel % Radiant Intensity Single pulse, t p = 25 μs I e / I e(7ma).e+.e+.e-.e-2 I e I e 7 ma = f (I F ) Max. Permissible Forward Current I F = f ( A ), R thja = 3 K/W I F [ma] Lambda Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = μs I F [ma] nm V F [V].E-3.E+.E+.E+2.E+3 I F [ma] Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), A = 25, duty cycle D = parameter I F.75 A D = -2 t P D = t P - OHF449 t p I F s A [ C] Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), A = 85 C, duty cycle D = parameter I F.75 A D = -2 t P D = t P - OHF449 t p I F s
7 Maßzeichnung Package Outlines.8 (.3).6 (.24) 3. (.8) 2.6 (.2) 2.3 (.9) 2. (.83) (.5) max. 2. (.83).7 (.67).9 (.35).7 (.28) 3.4 (.34) 3. (.8) (2.4) (.95) 3.7 (.46) 3.3 (.3) 4 ±. (.4) typ ø2.6 (.2) ø2.55 (.) 2 Package marking. (.43).5 (.2).6 (.24).4 (.6).8 (.7).3 (.5) GPLY (.38) max. 3. (.8) 2.6 (.2) 2.3 (.9) 2. (.83).7 (.67).9 (.35) 2. (.83).7 (.28) (.34) 3. (.8) (2.4) (.95) 3.7 (.46) 3.3 (.3) 4 ±. (.4) typ ø2.6 (.2) ø2.55 (.) 2 Package marking Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).. (.43).5 (.2).6 (.24).4 (.6).8 (.7).3 (.5) GPLY628 Gehäuse / Package Anschlussbelegung pin configuration Power OPLED mit Linse, klarer Verguss / Power OPLED with lens, clear resin = Kathode / cathode 2/3/4 = Anode / anode
8 _<, Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Design Reflow Löten Reflow Soldering Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 3.3 (.3) 3.3 (.3) 2.3 (.9).8 (.3) 3.7 (.46). (.43).5 (.59). (.437).7 (.28) Lötstoplack Solder resist Cu Fläche / Cu-area 6 mm 2 per pad OHFP32 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Design Wellenlöten W W Soldering 6. (.24) 2.8 (.) 6 (.236) 2 (.79) 3 (.8) 2 (.79) 2 (.79) (.39) Bewegungsrichtung der Platine PCB-direction Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 2.8 (.).5 (.2) Lötstoplack Solder resist 2 Cu Fläche / > 6 mm per pad Cu-area OHPY
9 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 Reflow Lötprofil für bleifreies Löten (nach J-SD-2D.) Reflow Soldering Profile for lead free soldering (acc. to J-SD-2D.) 3 C C 27 C t P t L p OHA C 5 t S 5 25 C s 3 t Profileigenschaften Profile Feature Aufheizrate zum Vorwärmen* ) / Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 5 C Zeit t s von Smin bis Smax / ime t s from Smin to Smax 5 C to 2 C Bleifreier Aufbau / Pb-Free Assembly (SnAgCu) Empfehlung / Recommendation 2 K / s 3 K / s Grenzwerte / Max. Ratings s min. 6 s max. 2 s Aufheizrate zur Spitzentemperatur* ) / 2 K / s 3 K / s Ramp-up rate to peak* ) 8 C to P Liquidustemperatur L / 27 C Liquidus temperature L Zeit t L über L / ime t L above L 8 s max. s Spitzentemperatur P / Peak temperature P 245 C max. 25 C Verweilzeit t P innerhalb des spezifizierten Spitzentemperaturbereichs P - 5 K / ime t P within the specified peak temperature range P - 5 K 2 s min. s max. 3 s Abkühlrate* ) / Ramp-down rate* ) P to C 3 K / s 4 K / s maximum Zeitspanne von 25 C bis zur Spitzentemperatur / ime from 25 C to peak temperature max. 8 min. Alle emperaturen beziehen sich auf die Bauteilmitte, jeweils auf der Bauteiloberseite gemessen / All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the package * Steigungsberechnung Δ/Δt: Δt max. 5 s; erfüllt über den gesamten emperaturbereich / slope calculation Δ/Δt: Δt max. 5 s; fulfillment for the whole -range
10 Wellenlöten (W) (nach CECC 82) W Soldering (acc. to CECC 82) 3 C C C. Welle. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY598 5 ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C... 3 C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved. he information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. erms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered. 2--2
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
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