FS10R06VE3_B2. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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- Mona Arnold
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1 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T = C, TÝÎ = 75 C T = 5 C, TÝÎ = 75 C I ÒÓÑ I Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage t«= ms I ç T = 5 C, TÝÎ = 75 C PÚÓÚ 5, W V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage I =, V Š = 5 V I =, V Š = 5 V I =, V Š = 5 V V Š ÙÈÚ,55,7,, V V V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current I =,3 m, V Š = V Š, V ŠÚÌ,9 5,,5 V V Š = -5 V V Q, µc R ÍÒÚ,  f = MHz,, V Š = 5 V, V Š = V CÍþÙ,55 nf f = MHz,, V Š = 5 V, V Š = V CØþÙ,7 nf V Š = V, V Š = V, I Š», m V Š = V, V Š = V, I Š» n Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 7  tá ÓÒ,,, nstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 7  tø,9,3, bschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓËË = 7  tá ÓËË,,,5 Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V R ÓËË = 7  të,5,3,35 Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V, L» = nh R ÓÒ = 7  EÓÒ,,, bschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse I =, V Š = 3 V V Š = ±5 V, L» = nh R ÓËË = 7  EÓËË,,3,3 Kurzschlussverhalten SC data t«ù, V Š ù 5 V, V = 3 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt I» 5 Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro IGBT per IGBT RÚÌœ,7 3, K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ, K/W date of publication: -- revision:.
2 Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Vçç V Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current IŒ t«= ms IŒç Grenzlastintegral I²t - value Vç = V, t«= ms, Vç = V, t«= ms, I²t,5 9,5 ²s ²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage IŒ =, V Š = V IŒ =, V Š = V IŒ =, V Š = V VŒ,,55,5,5 V V V Rückstromspitze peak reverse recovery current IŒ =, - diœ/dt = 5 / Vç = 3 V V Š = -5 V Iç, 9,, Sperrverzögerungsladung recovered charge IŒ =, - diœ/dt = 5 / Vç = 3 V V Š = -5 V QØ,5,5, µc µc µc bschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IŒ =, - diœ/dt = 5 / Vç = 3 V V Š = -5 V EØþÊ,,, Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode per diode RÚÌœ 3,7, K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ,9 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T = 5 C Rèë 5, kâ bweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value T = C, Ræåå = 93  ÆR/R -5 5 % T = 5 C Pèë, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(9,5 K))] Bèëõëå 3375 K date of publication: -- revision:.
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, nschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht weight RMS, f = 5 Hz, t = min. Vš»,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal lèoé 5, 5, 3, 3, CTI > 5 min. typ. max. mm mm LÙ Š 5 nh T = 5 C, pro Schalter / per switch R óôššó 9,5 mâ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 75 C Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ - 5 C TÙÚÃ - 5 C F 3-5 N G g date of publication: -- revision:. 3
4 usgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V usgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 9 V V Š = 7 V V Š = 5 V V Š = 3 V V Š = V V Š = 9 V,,3,,9,,5,,,,7 3, V Š [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = V Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ = 7 Â, R ÓËË = 7 Â, V Š = 3 V,, EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, E [],, V Š [V], 5 5 date of publication: -- revision:.
5 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I =, V Š = 3 V Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t),, EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, ZÚÌœ : IGBT E [],, ZÚÌœ [K/W], i: rí[k/w]: τí[s]:,3333,5,755,5 3,7593,5,3357,, R [Â] Sicherer Rückwärts-rbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSO) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSO) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË = 7 Â,,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) IŒ [] I, Modul I, Chip V Š [V],,,,,,,,,,,, VŒ [V] date of publication: -- revision:. 5
6 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ = 7 Â, V Š = 3 V Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ =, V Š = 3 V,5,5, EØþÊ, EØþÊ,, EØþÊ, EØþÊ,,3,3 E [] E [],,,,, IŒ [], R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/W] R[Â] i: rí[k/w]: τí[s]:,5,5,,5 3,93,5,,,,,, t [s] T [ C] date of publication: -- revision:.
7 Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: -- revision:. 7
8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte nwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality ssessments; - the conclusion of Quality greements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. date of publication: -- revision:.
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EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled³ diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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FF5R2KE3G 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
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EconoPIM 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode EconoPIM 2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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FFR7KE 6mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode 6mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode / V Š» = 6V I ÒÓÑ = / I ç = 6 Typische nwendungen
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EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC ϑ V Š» = 6V I ÒÓÑ
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FPR2KT4_B EconoPIM 3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPIM 3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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EconoDUAL 2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC EconoDUAL 2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC V Š» = 2V I ÒÓÑ = A / I ç = A Typische Anwendungen
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 4A / I ç = 8A Typische
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MehrFZ600R65KF2. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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MehrFPR1W1T_B3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 6A / I ç = 32A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power
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EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Š» = 6 I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
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