Research Collection. Control strategies for balancing of series and parallel connected IGBT/diode modules. Doctoral Thesis.

Transkript

1 Research Collection Doctoral Thesis Control strategies for balancing of series and parallel connected IGBT/diode modules Author(s): Thalheim, Jan Publication Date: 2003 Permanent Link: Rights / License: In Copyright - Non-Commercial Use Permitted This page was generated automatically upon download from the ETH Zurich Research Collection. For more information please consult the Terms of use. ETH Library

2 Diss. ETH No Control Strategies for Balancing of Series and Parallel Connected IGBT/Diode Modules A dissertation submitted to the SWISS FEDERAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY ZURICH for the degree of Doctor of Sciences presented by JAN THALHEIM Dipl. Ing., University of Magdeburg born July 13 th, 1969 citizen of Germany accepted on the recommendation of Prof. Dr. W. Fichtner, examiner Prof. Dr. J. W. Kolar, co-examiner 2003

3 Abstract For high-voltage or high-power applications, it may be necessary to realize a logical switch by connecting smaller units in parallel and series to achieve high availability, high-frequency operation, and low cost due to build-in redundancy, reduced dynamic losses, and modular use of standardized units, respectively. IGBTs are very convenient to realize such units, because of quasi-linear controllability via a gate terminal. This thesis investigates control methodologies for power MOS semiconductor switches with focus on combined parallel and series connection of IGBT/diode modules. It is proposed to provide each IGBT with primary local control to monitor and adjust the IGBT s static and dynamic behavior. Secondary (global) control synchronizes the operation of multiple IGBTs. A globally synchronous clock can also be derived locally. This makes it possible to use low-cost low-bandwidth data links between series-connected units. Thereby, a flexible masterslave approach can avoid the need of dedicated global control. That is, the entire system is manageable by the local gate drive circuitry. A prototype ASIC has been fabricated in CMOS technology with high-voltage extension. The driver is partitioned into fourteen clusters with a measured gate current capability of one Ampere each. A classification of the IGBT s collector-emitter voltage and collector current signals allows for real-time reconfiguration of the controller structure to optimize the dynamic response of the system. The conduction state and the recovery speed of freewheeling diodes are controlled by the voltage drop across the DC link inductance, which is locally estimated at each IGBT. xi

4 Zusammenfassung Bei Hochspannungs-Umrichtern kann es erforderlich sein, einen logischen Schalter durch Parallel- und Reihenschaltung von Schaltelementen zu realisieren. Vorteile sind das Erreichen hoher Verfügbarkeit durch Ausnutzung von Redundanz, hoher Schaltfrequenzen durch Ausnutzung verringerter dynamischer Verluste und geringere Kosten durch modularen Einsatz standardisierter Module. IGBTs sind besonders geeignet für diesen Ansatz, da diese über einen Gate-Anschluss linear gesteuert werden können. Diese Arbeit behandelt Ansätze zur Ansteuerung von MOS-Leistungshalbleiterschaltern. Der Schwerpunkt dabei ist die kombinierte Parallel- und Reihenschaltung von IGBT/Diode Modulen. Es wird vorgeschlagen, das statische und dynamische Verhalten der IGBTs lokal zu beobachten und anzupassen. Eine weitere (globale) Steuerung dient der Synchronisation mehrerer IGBTs. Eine systemweit synchrone Bezugszeit kann auch auf lokaler Ebene abgeleitet werden. Dies ermöglicht den Einsatz preiswerter Datenübertragungssysteme mit geringer Kanalkapazität zwischen reihengeschalteten Modulen. Dabei kann durch einen flexiblen Master-Slave Ansatz auf eine spezielle globale Steuerung verzichtet werden und das gesamte System über die lokalen Gate-Treiber gesteuert werden. Ein Prototypen ASIC wurde in CMOS Technologie fabriziert. Der Treiber ist in 14 Cluster mit jeweils 1 Ampere Gatestrom unterteilt. Es erfolgt eine Zustandsklassifizierung auf Grundlage der Signale der Kollektor-Emitterspanungen und Kollektorströme der IGBTs. Dies erlaubt eine Rekonfigurierung der Steuerungsstruktur in Echtzeit zur Optimierung der Systemdynamik. Die Steuerung des Leitzustandes und des Kommutierungsverhaltens der Freilaufdioden erfolgt dabei xiii

5 xiv CONTENTS auf lokaler Ebene über den Spannungsabfall an der Induktivität des Spannungszwischenkreises.