GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

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1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I F ]) bei hohen Strömen Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar SFH 4289 Gehäusegleich mit SFH 329 Features TOPLED with lens Very highly efficient GaAIAs-LED Good Linearity (I e = f [I F ]) at high currents DC (with modulation) or pulsed operations are possible High reliability High pulse handling capability Suitable for surface mounting (SMT) Available on tape and reel SFH 4289 same package as SFH 329 Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Automobiltechnik Sensorik Alarm- und Sicherungssysteme IR-Freiraumübertragung Applications Miniature photointerrupters Industrial electronics For drive and control circuits Automotive technology Sensor technology Alarm and safety equipment IR free air transmission Typ Type SFH 4289 Bestellnummer Ordering Code on request Gehäuse Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED with lens 2--9

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 6 mm 2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 6 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Wert Value T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A Einheit Unit P tot 8 mw R thja R thjs 45 2 K/W K/W

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = m A Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to%, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität, Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaßspannung, Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = A, t p = µs Sperrstrom, Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma Wert Value λ peak 88 nm λ 8 nm Einheit Unit ϕ ± 25 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm t r, t f.5 µs C o 5 pf V F V F.5 (.8) 3. ( 3.8) V V I R. ( ) µa Φ e 23 mw TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ +.25 nm/k

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =. sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = A, t p = µs I emin I etyp Werte Values Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ 4 mw/sr

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % 8 OHR877 Ι Radiant Intensity e Ι e ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e (ma) OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 2 Ι ma F OHR R thja = 45 K/W nm λ Forward Current I F = f (V F ) single pulse, t p = 2 µs A - -2 OHR V 8 V F Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) ϕ ma 4 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (t p ), T A = 25 C duty cycle D = parameter 4 ma DC D = t p D = T t p OHR886 T s 2 t p OHL C 2 T A Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us

6 Maßzeichnung Package Outlines 3.5 (.38) max. 3. (.8) 2.6 (.2) 2.3 (.9) 2. (.83) 2. (.83).7 (.67).9 (.35).7 (.28) 3.4 (.34) 3. (.8) 3.7 (.46) 3.3 (.3) ø2.6 (.2) ø2.55 (.) Package marking 2. (.43).5 (.2).6 (.24).4 (.6). (.4) (typ.).8 (.7).3 (.5) GEOY6956 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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