GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289
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1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I F ]) bei hohen Strömen Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar SFH 4289 Gehäusegleich mit SFH 329 Features TOPLED with lens Very highly efficient GaAIAs-LED Good Linearity (I e = f [I F ]) at high currents DC (with modulation) or pulsed operations are possible High reliability High pulse handling capability Suitable for surface mounting (SMT) Available on tape and reel SFH 4289 same package as SFH 329 Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Automobiltechnik Sensorik Alarm- und Sicherungssysteme IR-Freiraumübertragung Applications Miniature photointerrupters Industrial electronics For drive and control circuits Automotive technology Sensor technology Alarm and safety equipment IR free air transmission Typ Type SFH 4289 Bestellnummer Ordering Code on request Gehäuse Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED with lens 2--9
2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 6 mm 2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 6 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Wert Value T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A Einheit Unit P tot 8 mw R thja R thjs 45 2 K/W K/W
3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma, t p = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = m A Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to%, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität, Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaßspannung, Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = A, t p = µs Sperrstrom, Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma Wert Value λ peak 88 nm λ 8 nm Einheit Unit ϕ ± 25 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm t r, t f.5 µs C o 5 pf V F V F.5 (.8) 3. ( 3.8) V V I R. ( ) µa Φ e 23 mw TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ +.25 nm/k
4 Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =. sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = A, t p = µs I emin I etyp Werte Values Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ 4 mw/sr
5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % 8 OHR877 Ι Radiant Intensity e Ι e ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e (ma) OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 2 Ι ma F OHR R thja = 45 K/W nm λ Forward Current I F = f (V F ) single pulse, t p = 2 µs A - -2 OHR V 8 V F Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) ϕ ma 4 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (t p ), T A = 25 C duty cycle D = parameter 4 ma DC D = t p D = T t p OHR886 T s 2 t p OHL C 2 T A Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us
6 Maßzeichnung Package Outlines 3.5 (.38) max. 3. (.8) 2.6 (.2) 2.3 (.9) 2. (.83) 2. (.83).7 (.67).9 (.35).7 (.28) 3.4 (.34) 3. (.8) 3.7 (.46) 3.3 (.3) ø2.6 (.2) ø2.55 (.) Package marking 2. (.43).5 (.2).6 (.24).4 (.6). (.4) (typ.).8 (.7).3 (.5) GEOY6956 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
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IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4211
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SM-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SM Package Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4211 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrSilizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4203
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4500 SFH 4505
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 45 SFH 455 SFH 45 SFH 455 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrSilizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm Sperrstromarm
MehrFeatures Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1.1 mm High optical total power
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 48 Wesentliche Merkmale Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x.6mm x.
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte Metallbauform
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (8 nm) GaAlAs Infrared Emitters (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 484 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrBPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW
MehrSilizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt
MehrTEL: FAX: , 481, 482 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 48 Q6273-Q87 18 A3 DIN
TEL:755-83376549 FAX:755-83376182E-MAIL: szss2@163.com GaAlAs-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 48, 481, 482 48 481 482 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrIR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit
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Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary
MehrDistributed by: www.jameco.com 1-8-831-4242 The content and copyrights of the attached material are the property of its owner. GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrCHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4053
CHIPLED (80 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (80 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 403 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Sehr
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Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
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