Technische Information / Technical Information

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Kajetan Bach
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1 Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung T vj = - 25 C...T vj max V RRM 1000 V repetitive peak forward reverse voltage 1200 V 1400 V Stoßspitzensperrspannung T vj = + 25 C...T vj max V RSM 1100 V non-repetitive peak reverse voltage 1300 V 1500 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I FRMSM 1400 A RMS forward current Dauergrenzstrom T C =100 C I FAVM 658 A mean forward current T C =71 C 900 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, tp = 10 ms I FSM A surge foward current T vj = T vj max, tp = 10 ms A T vj = 25 C, tp = 1 ms A T vj = T vj max, tp = 1 ms A Grenzlastintegral T vj = 25 C, tp = 10ms I²t A²s T vj = T vj max, tp = 10ms A²s T vj = 25 C, tp = 1ms A²s I²t-value T vj = T vj max, tp = 1ms A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung T vj = T vj max, i F = 2700 A v F max. 2,25 V forward voltage Schleusenspannung T vj = T vj max V (TO) 1 V threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 0,45 mω forward slope resistance Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC V FRM typ 2,9 V typical value of forward recovery voltage T vj = T vj max di F /dt=50a/µs, v R =0V Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t fr typ 5 µs forward recovery time T vj = T vj max, i FM =2700A di F /dt=50 A/µs, v R =0V Sperrstrom T vj = 25 C, v R =V RRM i R max. 20 ma reverse current T vj = T vj max, v R = V RRM max. 200 ma Rückstromspitze DIN IEC 747-2, T vj =T vj max I RM 87 A peak reverse recovery current i FM =900A,-di F /dt=50a/µs v R =100V, v RM< =200 V Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, T vj =T vj max Q r 285 µas recovered charge i FM =900 A,-di F /dt=50a/µs v R =100V, v RM< =200 V Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, T vj =T vj max t rr 4,5 µs reverse recovered time i FM =900A,-di F /dt=50a/µs v R =100 V; v RM< =200V Sanftheit T vj = T vj max SR µs/a 2) Softness i FM =A,-di F /dt=a/µs v R <=0,5 V RRM, v RM =0,8 V RRM Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / Seite/page 1

2 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Θ =180 sin max. 0,044 C/W beidseitig / two-sided, DC max. 0,041 C/W Anode / anode, Θ =180 sin max. 0,073 C/W Anode / anode, DC max. 0,070 C/W Kathode / cathode, Θ =180 sin max. 0,103 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,100 C/W Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0075 C/W einseitig / single-sided max. 0,015 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 150 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op C operating temperature Lagertemperatur T stg C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 30mm Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft F ,5 kn clamping force Gewicht G typ. 100 g weight Kriechstrecke 17 mm creepage distance Feuchteklasse DIN C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 5x9,81 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / Seite/page 2

3 SZ-M / Seite/page 3

4 Kühlung cooling Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical ementes of transient thermal impedance Z thjc for DC Pos.n beidseitig R thn [ C/W] 0, , , ,0142 0,02 two-sided τ n [s] 0, , , ,0641 0,336 anodenseitig R thn [ C/W] 0, , , ,0227 0,0385 anode-sided τ n [s] 0, , , ,1 3,059 0, ,731 kathodenseitig R thn [ C/W] 0, , , ,0187 0,0052 cathode-sided τ n [s] 0, , , ,0841 1,171 0,0688 2,458 n max Analytische Funktion / analytical function : Z thjc = = R thn ( 1 - EXP ( - t / τ n )) n=1 SZ-M / Seite/page 4

5 i F [A] ,5 1 1,5 2 2,5 3 v F [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i F =f(v F ) T vj = T vj max SZ-M / Seite/page 5

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