SFH 300 SFH 300 FA. ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA

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1 ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feof6652 feo06652 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm () und bei 880 nm () Hohe Linearität 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse Gruppiert lieferbar Anwendungen Computer-Blitzlichtgeräte Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm () and of 880 nm () High linearity 5 mm LED plastic package Available in groups Applications Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group

2 Typ (*vorher) Type (*formerly) (*BP 103 B) -2 (*BP 103 B-2) -3 (*BP 103 B-3) -4 1) (*BP 103 B-4) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1189 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4 Typ (*vorher) Type (*formerly) (*BP 103 BF) -2 (*BP 103 BF-2) -3 (*BP 103 BF-3) -4 (*BP 103 BF-4) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1193 Q62702-P1192 Q62702-P1057 Q62702-P1058 1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 35 V I C 50 ma I CS 100 ma V EC 7 V Semiconductor Group 241

3 Grenzwerte Maximum Ratings (cont d) Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance P tot 200 mw R thja 375 K/W Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, V EC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom V CE = 35 V, E = 0 λ S max nm λ nm A mm 2 L B mm mm L W H mm ϕ ± 25 ± 25 Grad deg. C CE pf I CEO 5 ( 100) 5 ( 100) na Semiconductor Group 242

4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Fotostrom, λ = 950 nm E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V : E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, V CE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3, E e = 0.5 mw/cm 2 I PCE I PCE ma ma t r, t f µs V CEsat mv 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 243

5 Relative spectral sensitivity, S rel = f (λ) Relative spectral sensitivity, S rel = f (λ) I CEO /I CEO25 o = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V I PCE = f (E e ), V CE = 5 V I CEO = f (V CE ), E = 0 Directional characteristics S rel = f (ϕ) Collector-emitter capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 244

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